南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。芯谷高頻研究院的CVD用固態微波功率源產品可直接與各類射頻CVD設備直接集成，應用于金剛石等材料的生長。遼寧異質異構集成器件及電路芯片設計

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于光電芯片技術的研發和工藝流片服務，以滿足客戶的多樣化需求。公司匯聚了一批業界精英，他們具備深厚的專業知識和豐富的實踐經驗。通過不懈的技術深耕，已經成功轉化并應用了多項重要成果。此外，公司積極與國內外科研機構和高等學府展開合作，加強技術交流與合作，以持續提升科研水平和創新能力。公司始終堅持以客戶需求為導向，致力于為客戶提供高效且專業的光電芯片解決方案。在光電芯片工藝和測試方面，持續進行創新和優化，旨在提高服務的質量和效率。憑借公司的創新能力和技術實力，南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司在光電芯片領域定能展現出更加突出的表現，為推動我國光電產業的發展做出積極的貢獻。江蘇光電芯片設計芯片作為電子設備的“大腦”，負責處理和分析各種信息，是實現智能化和自動化的關鍵。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發。

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于散熱技術和熱管理解決方案的研發，為客戶提供高效、可靠的高功率密度熱源產品。公司根據客戶需求量身定制，確保產品的散熱性能和熱管理能力達到客戶要求。這些高功率密度熱源產品的推出，為微系統和微電子領域的發展帶來了新的機遇和可能性。通過提升設備的性能和效能，公司為客戶創造了更多的商業價值。同時，中電芯谷也致力于推動整個行業的進步和創新，與客戶共同邁向更美好的未來。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產品開發服務。

    南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司專注于為客戶量身定制芯片研發方案。公司具備較強的服務能力，涵蓋芯片設計、流片和測試等環節。公司的技術團隊匯聚了眾多經驗豐富的工程師，他們能夠準確解讀客戶需求，轉化為創新的解決方案。此外，公司還提供單步或多步工藝開發服務，幫助客戶在短時間內實現技術或產品的研發突破。公司以提供高質量的芯片研發服務為核心競爭力，致力于為客戶提供一站式的解決方案，確保項目順利完成。在芯片研發的每個環節，公司都將竭誠為客戶提供高效的解決方案，助力客戶的業務蓬勃發展。公司的服務團隊將與客戶緊密合作，深入了解客戶的需求，共同推動項目的進展。公司深知每個項目都有其獨特性，因此公司將根據客戶的具體要求進行定制化服務，確保結果符合客戶的期望。選擇中電芯谷，客戶將獲得可靠的芯片研發服務。 芯谷高頻研究院的高功率密度熱源產品可對熱管理技術進行定量的表征和評估，且具有良好的可定制性和適應性。陜西碳納米管器件及電路芯片工藝技術服務

芯谷高頻公司擁有芯片研發與制造能力，能夠高效地完成芯片流片，包括太赫茲、異質異構集成等領域芯片。遼寧異質異構集成器件及電路芯片設計

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司是國內為數不多擁有先進太赫茲測試能力的單位之一。公司能夠進行高效準確的測試工作，可以測試至400GHz的各類元器件、MMIC電路及模塊的散射參數測試和器件建模。此外，公司還能夠實現高達500GHz的電路功率測試和噪聲測試。這些能力展示了公司在太赫茲測試領域較強的實力。通過持續的創新和研發，公司不斷拓展技術邊界，為客戶提供更加專業、高質量的服務。作為高頻器件產業企業，公司為整個行業的發展貢獻著自己的力量。南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司將繼續致力于太赫茲測試技術的創新和應用，為推動整個行業的進一步發展做出更大的貢獻。遼寧異質異構集成器件及電路芯片設計