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南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司對外提供Si基GaN微波毫米波器件與芯片技術開發服務，該芯片相對于Si LDMOS，具有工作頻率高、功率大、體積小等優勢；相對于傳統SiC基GaN芯片，具備低成本、高密度集成、大尺寸等優勢；適應于C、Ka、W等主流波段的攻放、開關、低噪放等芯片；南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射頻器件和電路芯片研制與代工服務；該芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽車雷達、手機終端、人工智能等領域。芯谷高頻研究院提供薄膜型SBD集成電路開發服務，適用于0.5THz以上、集成度要求高的太赫茲混頻、倍頻應用。

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芯片在網絡安全領域的應用，如防火墻、入侵檢測等，保障了網絡的安全和穩定。天津化合物半導體芯片開發

南京中電芯谷高頻器件產業技術研究院有限公司公共技術服務平臺在背面工藝方面，擁有鍵合機、拋光臺、磨片機等，可以進行晶片的減薄、拋光以及劃片工藝。公司公共技術服務平臺支持晶圓鍵合工藝，可以支持6英寸及以下晶圓的鍵合，并具備介質、熱壓、共晶、膠粘等鍵合能力，鍵合精度達到2um。鍵合工藝可以將不同的晶圓材料組合在一起，從而制造出具有更高性能的芯片。憑借研究院的技術實力和專業的服務團隊，公共技術服務平臺將為客戶提供更加優良的技術服務，不斷創新晶圓鍵合工藝，助力高科技產業的發展。天津化合物半導體芯片開發