1907 年，英國科學家史密斯發現碳化硅晶體的電致發光現象，雖亮度 0.1mcd（燭光 / 平方米），卻埋下 LED 的種子。1962 年，通用電氣工程師霍洛尼亞克發明首只紅光 LED（GaAsP），光效 1lm/W，主要用于儀器面板指示燈；1972 年，惠普推出綠光 LED（GaP），光效提升至 10lm/W，使七段數碼管顯示成為可能，計算器與電子表從此擁有清晰讀數。1993 年，中村修二突破氮化鎵外延技術，藍光 LED（InGaN）光效達 20lm/W，與紅綠光組合實現全彩顯示 —— 這一突破使 LED 從 “指示燈” 升級為 “光源”，2014 年中村因此獲諾貝爾獎。 21 世紀，LED 進入爆發期：2006 年，白光 LED（熒光粉轉換）光效突破 100lm/W，替代白熾燈成為主流照明；2017 年，Micro-LED 技術將二極管尺寸縮小至 10μm，像素密度達 5000PPI齊納二極管通過反向擊穿特性，為精密儀器提供穩定基準電壓，保障測量精度與信號穩定性。閔行區TVS瞬態抑制二極管誠信合作

航空航天領域對電子元器件的性能、可靠性與穩定性有著極為嚴苛的要求，二極管作為基礎元件，其發展前景同樣廣闊。在飛行器的電子控制系統中，耐高溫、抗輻射的二極管用于保障系統在極端環境下的正常運行；在衛星通信系統中，高頻、低噪聲二極管用于信號的接收與發射，確保衛星與地面站之間的穩定通信。隨著航空航天技術不斷突破，如新型飛行器的研發、深空探測任務的推進，對高性能二極管的需求將持續增加，促使企業加大研發投入，開發出更適應航空航天復雜環境的二極管產品。閔行區MOSFET場效應管二極管銷售恒流二極管輸出恒定電流，為需要穩定電流的電路提供可靠保障。

車規級二極管在汽車電氣化中不可或缺。肖特基二極管（AEC-Q101 認證）在 OBC 充電機中實現 0.4V 正向壓降，充電速度提升 30%，同時耐受 - 40℃~+125℃溫度循環。快恢復二極管（FRD）在電驅系統中以 100kHz 開關頻率控制電機，效率達 95%，較硅基 IGBT 方案體積縮小 40%。碳化硅二極管集成于 800V 高壓平臺后，支持電動車超快充（10 分鐘補能 80%），同時降低電驅系統 30% 能耗。從發電機整流到 ADAS 傳感器保護，二極管以高可靠性支撐汽車從燃油向智能電動的轉型。

穩壓二極管的工作基礎是齊納擊穿效應，主要用于反向偏置時的電壓穩定。當反向電壓達到特定值（齊納電壓），內建電場強度足以直接拉斷半導體共價鍵，產生大量電子 - 空穴對，形成穩定的擊穿電流。與通過碰撞電離引發的雪崩擊穿不同，齊納擊穿通常發生在較低電壓（小于 5V），且具有負溫度系數（如電壓隨溫度升高而降低）。通過串聯限流電阻控制電流在安全范圍（通常 5-50 毫安），可使輸出電壓穩定在齊納電壓附近。例如 TL431 可調基準源，通過外接電阻分壓，能在 2.5-36V 范圍內提供高精度穩定電壓，溫漂極低，常用于精密電源和電池保護電路。雪崩二極管利用雪崩擊穿效應，產生尖銳的脈沖信號，在雷達等設備中肩負重要使命。

低頻二極管（＜100kHz）：工頻場景的主力 采用面接觸型結構，結電容＞100pF，如 1N5404（3A/400V）用于電焊機時，在 50Hz 工頻下效率達 95%，配合散熱片可連續工作 8 小時以上。鋁電解電容配套的橋式整流堆（KBPC3510），內部集成 4 個面接觸型二極管，在 100Hz 頻率下紋波系數＜8%，用于空調、洗衣機等大功率家電。 中頻二極管（100kHz~10MHz）：開關電源的 MUR1560（15A/600V）快恢復二極管采用外延工藝，反向恢復時間縮短至 500ns，在反激式開關電源中支持 100kHz 開關頻率，較傳統工頻變壓器體積縮小 60%。通信基站的 48V 電源系統中，中頻二極管（如 DSEI2x101-12A）在 500kHz 頻率下實現高效整流，效率達 96%，保障基站 24 小時穩定供電。交通信號燈采用發光二極管，憑借其高亮度、長壽命，保障交通安全有序。昆山LED發光二極管

工業控制電路依靠二極管實現精確的電流控制與信號處理，保障生產穩定運行。閔行區TVS瞬態抑制二極管誠信合作

雪崩二極管通過雪崩擊穿效應產生納秒級脈沖，適用于雷達和激光觸發等場景。當反向電壓超過擊穿閾值時，載流子在強電場中高速運動，碰撞電離產生連鎖反應，形成急劇增長的雪崩電流。這一過程可在 10 納秒內產生陡峭的脈沖前沿，例如 2N690 雪崩二極管在 50V 偏置下，能輸出寬度小于 5 納秒、幅度超過 20V 的脈沖，用于激光雷達的時間同步觸發。通過優化結區摻雜分布（如緩變結設計），可控制雪崩擊穿的均勻性，降低脈沖抖動（小于 1 納秒），提升測距精度。閔行區TVS瞬態抑制二極管誠信合作

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