數字三極管數字三極管：Digital Transistor。是內部已經集成了電阻的三極管，屬于集成電路元件。俗稱帶阻三極管，也就是內部自帶電阻，常用來做電子開關，和同反相器功能相同。這樣做的好處是，集成度高，省掉了電阻的組裝，方便、減少用戶的使用成本。但是數字三極管配的電阻一般都是固定的，和普通三極管相比，使用靈活性要稍微差一些。電阻集成：一般集成一到兩個電阻。有的在基極上串聯一只電阻, 一般稱為R1； 有的在基極與發射極之間還并聯一只電阻R2 。電阻R1 與電阻R2 可按多種方式搭配，因此數字晶體管的品種很多。三級管硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。深圳普通三極管作用
三極管單純從“放大”的角度來看，我們希望 β 值越大越好。可是，三極管接成共發射極放大電路時，從管子的集電極 c 到發射極 e 總會產生一有害的漏電流，稱為穿透電流 I ceo ，它的大小與 β 值近似成正比， β 值越大， I ceo 就越大。 I ceo 這種寄生電流不受 I b 控制，卻成為集電極電流 I c 的一部分， I c ＝ βI b ＋ I ceo 。值得注意的是， I ceo 跟溫度有密切的關系，溫度升高， I ceo 急劇變大，破壞了放大電路工作的穩定性。所以，選擇三極管時，并不是 β 越大越好，一般取硅管 β 為 40 ～ 150 ，鍺管取 40 ～ 80 。紹興NPN型三極管BJT、JFET、MOS管，半導體三極管里較基礎、較重要的三劍客。
三極管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當然這種轉換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數就是電流放大系數β。當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關，配合其它元件還可以構成振蕩器。 半導體三極管除了構成放大器和作開關元件使用外，還能夠做成一些可單獨使用的兩端或三端器件。
三極管放大電路的原理：信號放大輸入信號Ui經C1耦合到VT的基極，使VT的基極電流Ib隨Ui變化而變化，致使VT的發射極電流Ie隨之變化，并且變化量為（1+β）Ib。Ie在R2兩端產生隨之變化的壓降U2。U2經C2耦合后得到交流輸出信號Uo。由于Uo與Ui的相位相同，所以該放大器也叫射極跟隨放大器，簡稱射極跟隨器。通過以上分析可知，共集電極放大器的輸入信號Ui是從放大器的基極、發射極之間輸入的，輸出信號Uo取自發射極。由于U2等于Ub?0.6V，所以該放大器有電流放大功能，而沒有電壓放大功能。三極管兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。
三極管鍺管的穿透電流比較大，一般由幾十微安到幾百微安，硅管的穿透電流就比較小，一般只有零點幾微安到幾微安。 I ceo 雖然不大，卻與溫度有著密切的關系，它們遵循著所謂的“加倍規則”，這就是溫度每升高 10℃ ， I ceo 約增大一倍。例如，某鍺管在常溫 20℃ 時， I ceo 為 20μA ，在使用中管芯溫度上升到 50℃ ， I ceo 就增大到 160μA 左右。測量 I ceo 的電路很簡單，三極管的基極開路，在集電極與發射極之間接入電源 V CC （ 6V ），串聯在電路中的電流表（可用萬用表中的 0.1mA 擋）所指示的電流值就是 I ceo 。兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區。東莞高壓三極管參數
三極管有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管。深圳普通三極管作用
三極管的電子運動原理：發射結加正向電壓，擴散運動形成發射極電流IE發射結加正向電壓且發射區雜質濃度高，所以大量自由電子因擴散運動越過發射結到達基區。與此同時，空穴也從基區向發射區擴散，但由于基區雜質濃度低，所以空穴形成的電流非常小，近似分析時可忽略不計。可見，擴散運動形成了發射極電流IE。由于基區很薄，雜質濃度很低，集電結又加了反向電壓，所以擴散到基區的電子中只有極少部分與空穴復合，其余部分均作為基區的非平衡少子到達集電結。又由于電源 VBE的作用，電子與空穴的復合運動將源源不斷地進行，形成基極電流IB。深圳普通三極管作用
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