電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不 會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機 或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。在連續導通模式下，MOSFET處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這個較大電流的器件便可。在設計電路時，合理選擇場效應管的型號和工作參數，以滿足電路要求。深圳小噪音場效應管參考價

場效應管主要參數：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時，場效應管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項極限參數，加在場效應管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項極限參數，是指場效應管性能不變壞時所允許的較大漏源耗散功率。運用時場效應管實踐功耗應小于PDSM并留有—定余量。3、較大漏源電流。較大漏源電流IDSM是另一項極限參數，是指場效應管正常工作時，漏源間所允許經過的較大電流。場效應管的工作電流不應超越IDSM。深圳小噪音場效應管參考價場效應管的靈敏度較高，可以實現精確的電流控制。

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。（4）場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。

場效應管由于它只靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。場效應管分為結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。場效應管在新能源汽車、物聯網、5G通信等新興領域具有巨大的創新應用潛力。

小噪音場效應管在專業錄音設備中的應用：專業錄音追求音質還原，小噪音場效應管是實現這一目標的關鍵元件。在專業麥克風前置放大器中，聲音信號極其微弱，小噪音場效應管的任務是將這些微弱信號放大，同時幾乎不引入額外噪聲。在錄制音樂時，歌手歌聲中的每一個細微變化，樂器演奏時的微妙音色，都能被小噪音場效應管精細捕捉并放大。例如在錄制弦樂四重奏時，小提琴的悠揚、中提琴的醇厚、大提琴的深沉，小噪音場效應管能夠將這些音色原汁原味地呈現出來，為音樂制作提供純凈的原始素材。在電影配音、廣播電臺錄制等領域，它同樣保障了聲音質量的清晰、真實，為藝術創作與文化傳播奠定了堅實基礎，讓優良的音樂、影視作品能夠以比較好狀態呈現在觀眾和聽眾面前。IGBT結合了場效應管和雙極晶體管的優點，適用于高電壓和高頻率的場合。深圳源極場效應管尺寸

場效應管的表示特性是輸入電阻高、輸入電容小、開關速度快和功耗低。深圳小噪音場效應管參考價

場效應晶體管：截止區：當 UGS 小于開啟電壓 UGSTH時，MOS 不導通。可變電阻區：UDS 很小，I_DID 隨UDS 增大而增大。恒流區：UDS 變化，I_DID 變化很小。擊穿區：UDS 達到一定值時，MOS 被擊穿，I_DID 突然增大，如果沒有限流電阻，將被燒壞。過損耗區：功率較大，需要加強散熱，注意較大功率。場效應管主要參數。場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時主要關注以下一些重點參數：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和較大漏源電流IDSM。深圳小噪音場效應管參考價