反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿，另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。二極管的工作狀態受溫度影響，應注意散熱問題，確保其穩定性。惠州阻尼二極管定制

二極管的伏安特性曲線，半導體二極管較重要的特性是單向導電性。即當外加正向電壓時，它呈現的電阻（正向電阻）比較小，通過的電流比較大，當外加反向電壓時，它呈現的電阻（反向電阻）很大，通過的電流很小（通常可以忽略不計）。反映二極管的電流隨電壓變化的關系曲線，叫做二極管的伏安特性。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。惠州阻尼二極管定制二極管的正向壓降較小，有助于減少能量損耗。

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

正向偏置（Forward Bias），二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入空穴。這樣一來，讓多數載流子過剩，耗盡層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區域，電流隨著偏置的增加也急遽地增加。伴隨著電子與空穴的再結合，兩者所帶有的能量轉變為熱（和光）的形式被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。當二極管的正極連接到P區，負極連接到N區時，電流可以流過二極管，實現導電。

二極管特性及參數：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時才導通）。2、主要參數：較大整流電流 I_FIF： 表示長期運行允許的較大正向平均電流，超出可能因結溫過高燒壞。較高反向工作電壓 U_RUR：允許施加的較大反向電壓，超出可能擊穿。（U_RUR 通常為擊穿電壓的一半）。反向電流 I_RIR： 未擊穿時的反向電流，越小導電性越好。較高工作頻率 f_MfM： 上線截止頻率。因結電容作用，超出可能不能很好體現的單向導電性。二極管在電子領域的應用極為普遍，是現代電子技術中不可或缺的關鍵器件之一。惠州阻尼二極管定制

二極管在逆向電壓下要避免擊穿，以防損壞器件。惠州阻尼二極管定制

二極管的誕生得益于半導體技術，從原理上講它涉及到微觀電子學，所以它的底層原理是比較復雜的，但我們實際運用時主要在于根據我們電路的特點選擇合適的二極管型號，所以底層原理這里沒有說明，之后在實際電子設計中再將進一步了解。你是否還記得，很多時候你媽媽興沖沖的走到你面前，眉飛色舞的要和你說點啥，可是話到嘴邊卻給忘了！然后她會拍拍腦袋尷尬的說：我這二極管又短路了，雖然她老人家大概率不知道二極管到底是個啥，有什么作用，但是還是很自然的用二極管短路表達了當前的窘境。因為其他老頭老太太碰到這個情況都是這樣說的，而且大家都能心領神會！而你也一定會會心的一笑，表示理解和認同。不好意思忘了，可是，你真的了解媽媽口中的二極管嗎？如果不了解，或者一知半解，這里我們就一起來聊一聊關于二極管的前世今生和功能作用吧！惠州阻尼二極管定制