產品優勢:多元化布局與專業化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如:
? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學器件等領域,替代傳統光刻工藝。
專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發,目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優勢:嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料,確保產品批次穩定性。
質量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。
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依托自主研發與國產供應鏈,吉田半導體 LCD 光刻膠市占率達 15%,躋身國內前段企業。吉田半導體 YK-200 LCD 正性光刻膠采用國產樹脂與單體,實現 100% 國產化替代。其分辨率 0.35μm,附著力 > 3N/cm,性能優于 JSR 的 AR-P310 系列。通過與國內多家大型企業的深度合作,產品覆蓋智能手機、電視等顯示終端,年供貨量超 200 噸。公司建立國產原材料溯源體系,確保每批次產品穩定性,推動 LCD 面板材料國產化進程。
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光刻膠的工作原理:
1. 涂覆與曝光:在基底(如硅片、玻璃、聚合物)表面均勻涂覆光刻膠,通過掩膜(或直接電子束掃描)對特定區域曝光。
2. 化學變化:曝光區域的光刻膠發生光化學反應(正性膠曝光后溶解,負性膠曝光后交聯不溶)。
3. 顯影與刻蝕:溶解未反應的部分,留下圖案化的膠層,作為后續刻蝕或沉積的掩模,將圖案轉移到基底上。
在納米技術中,關鍵挑戰是突破光的衍射極限(λ/2),因此需依賴高能束曝光技術(如電子束光刻、極紫外EUV光刻)和高性能光刻膠(高分辨率、低缺陷)。
國際廠商策略調整
應用材料公司獲曝光后處理,可將光刻膠工藝效率提升40%。杜邦因反壟斷調查在中國市場面臨壓力,但其新一代乾膜式感光型介電質材料(CYCLOTENE DF6000 PID)仍在推進,試圖通過差異化技術維持優勢。日本企業則通過技術授權(如東京應化填補信越產能缺口)維持市場地位。
國內產業鏈協同升級
TSMC通過租賃曝光設備幫助供應商降低成本,推動光刻膠供應鏈本地化,其中國臺灣EUV光刻膠工廠年產能達1000瓶,產值超10億新臺幣。國內企業借鑒此模式,如恒坤新材通過科創板IPO募資15億元,建設集成電路前驅體項目,形成“光刻膠-前驅體-設備”協同生態。
技術標準與壁壘
美國實體清單限制日本廠商對華供應光刻膠,中國企業需突破。例如,日本在EUV光刻膠領域持有全球65%的,而中國只占12%。國內企業正通過產學研合作(如華中科技大學與長江存儲聯合攻關)構建自主知識產權體系。
半導體光刻膠:技術領域取得里程碑。
研發投入
? 擁有自己實驗室和研發團隊,研發費用占比超15%,聚焦EUV光刻膠前驅體、低缺陷納米壓印膠等前沿領域,與中山大學、華南理工大學建立產學研合作。
? 專項布局:累計申請光刻膠相關的項目30余項,涵蓋樹脂合成、配方優化、涂布工藝等細致環節。
生產體系
? 全自動化產線:采用德國曼茨(Manz)涂布設備、日本島津(Shimadzu)檢測儀器,年產能超500噸(光刻膠),支持小批量定制(小訂單100g)和大規模量產。
? 潔凈環境:生產車間達萬級潔凈標準(ISO 8級),避免顆粒污染,確保光刻膠缺陷密度<5個/cm2。
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感光機制
? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯反應固化,適用于精細圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。
? SBQ型(單液型):預混光敏劑,無需調配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。
? 環保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達2μm,符合歐盟REACH標準。
功能細分
? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強,適合紡織品水性漿料。
? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達50μm,用于立體印刷。
典型應用場景:
? PCB制造:使用360目尼龍網+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花:圓網制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。
? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
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