重慶LCD光刻膠廠家

來源：發(fā)布時(shí)間：2025-05-15

工藝流程

? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強(qiáng)感光膠附著力。

? 方法：

? 化學(xué)清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；

? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。

涂布（Coating）

? 方式：

? 旋涂：半導(dǎo)體/顯示領(lǐng)域，厚度控制精確（納米至微米級(jí)），轉(zhuǎn)速500-5000rpm；

? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領(lǐng)域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級(jí)，如負(fù)性膠可達(dá)100μm）。

? 關(guān)鍵參數(shù)：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。

前烘（Soft Bake）

? 目的：揮發(fā)溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力和穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負(fù)性膠可至100℃以上）；

? 時(shí)間：5-30分鐘（根據(jù)膠厚調(diào)整，厚膠需更長(zhǎng)時(shí)間）。

曝光（Exposure）

? 光源：

? 紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統(tǒng)光刻（分辨率≥1μm）；

? 深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導(dǎo)體先進(jìn)制程（分辨率至20nm）；

? 極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。

? 曝光方式：

? 接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；

? 投影式：通過物鏡聚焦（半導(dǎo)體，分辨率高，如ArF光刻機(jī)精度達(dá)22nm）。

嚴(yán)苛光刻膠標(biāo)準(zhǔn)品質(zhì)，吉田半導(dǎo)體綠色制造創(chuàng)新趨勢(shì)。重慶LCD光刻膠廠家

作為中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略，通過 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新，成功突破多項(xiàng) “卡脖子” 技術(shù)，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國(guó)產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。

吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破：

YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，已通過中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證。
SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%。
JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%，性能對(duì)標(biāo)德國(guó) MicroResist 系列，已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝。

重慶LCD光刻膠廠家半導(dǎo)體材料選吉田，歐盟認(rèn)證，支持定制化解決方案!

主要原材料“卡脖子”：從樹脂到光酸的依賴

樹脂與光酸的技術(shù)斷層

光刻膠成本中50%-60%來自樹脂，而國(guó)內(nèi)KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國(guó)產(chǎn)化率不足10%。例如，日本信越化學(xué)的KrF樹脂純度達(dá)99.999%，金屬雜質(zhì)含量低于1ppb，而國(guó)內(nèi)企業(yè)的同類產(chǎn)品仍存在批次穩(wěn)定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”，其合成需要超純?cè)噭┖蛷?fù)雜純化工藝，國(guó)內(nèi)企業(yè)在純度控制（如金屬離子含量）上與日本關(guān)東化學(xué)等國(guó)際巨頭存在代差。

原材料供應(yīng)鏈的脆弱性

光刻膠所需的酚醛樹脂、環(huán)烯烴共聚物（COC）等關(guān)鍵原料幾乎全部依賴進(jìn)口。日本信越化學(xué)因地震導(dǎo)致KrF光刻膠產(chǎn)能受限后，國(guó)內(nèi)部分晶圓廠采購(gòu)量從100kg/期驟降至10-20kg/期。更嚴(yán)峻的是，光敏劑原料焦性沒食子酸雖由中國(guó)提取，但需出口至日本加工成光刻膠光敏劑后再高價(jià)返銷，形成“原料出口-技術(shù)溢價(jià)-高價(jià)進(jìn)口”的惡性循環(huán)。

光刻膠的工作原理：

1. 涂覆與曝光：在基底（如硅片、玻璃、聚合物）表面均勻涂覆光刻膠，通過掩膜（或直接電子束掃描）對(duì)特定區(qū)域曝光。

2. 化學(xué)變化：曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)（正性膠曝光后溶解，負(fù)性膠曝光后交聯(lián)不溶）。

3. 顯影與刻蝕：溶解未反應(yīng)的部分，留下圖案化的膠層，作為后續(xù)刻蝕或沉積的掩模，將圖案轉(zhuǎn)移到基底上。

在納米技術(shù)中，關(guān)鍵挑戰(zhàn)是突破光的衍射極限（λ/2），因此需依賴高能束曝光技術(shù)（如電子束光刻、極紫外EUV光刻）和高性能光刻膠（高分辨率、低缺陷）。

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產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：多元化布局與專業(yè)化延伸

全品類覆蓋

吉田產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導(dǎo)體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產(chǎn)品線。例如：

? 芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6英寸、8英寸晶圓制造。

? 納米壓印光刻膠：用于MEMS、光學(xué)器件等領(lǐng)域，替代傳統(tǒng)光刻工藝。

專業(yè)化延伸

公司布局半導(dǎo)體用KrF光刻膠，計(jì)劃2025年啟動(dòng)研發(fā)，目標(biāo)進(jìn)入中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等晶圓廠供應(yīng)鏈。

質(zhì)量與生產(chǎn)優(yōu)勢(shì)：嚴(yán)格品控與自動(dòng)化生產(chǎn)

ISO認(rèn)證與全流程管控

公司通過ISO9001:2008質(zhì)量體系認(rèn)證，生產(chǎn)環(huán)境執(zhí)行8S管理，原材料采用美、德、日進(jìn)口高質(zhì)量材料，確保產(chǎn)品批次穩(wěn)定性。

質(zhì)量指標(biāo)：光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。

自動(dòng)化生產(chǎn)能力

擁有行業(yè)前列的全自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)能達(dá)2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規(guī)模訂單交付。

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吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠：半導(dǎo)體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出，在顯影與蝕刻過程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證，良率達(dá) 98% 以上，生產(chǎn)過程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn)，幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求，為國(guó)產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。

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標(biāo)簽：光刻膠錫片

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