山西低溫光刻膠國產廠家
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發布時間：2025-05-20
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感光膠的工藝和應用。
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光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：
半導體制造
? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類：
? 正性光刻膠：曝光區域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。
? 負性光刻膠：未曝光區域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。
? 技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示（LCD/OLED）
? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。
? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板（PCB）
? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。
? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。
感光膠的工藝和應用。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。
UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。
其他光刻膠
- 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發、可定制、使用、品質保障、性能穩定的特點，重量 1L。
- 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優勢，應用場景。
厚板光刻膠 JT-3001，抗深蝕刻，PCB 電路板制造Preferred!吉林負性光刻膠廠家
光刻膠：半導體之路上的挑戰與突破。山西低溫光刻膠國產廠家
? 化學反應：
? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；
? 負性膠：曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。
5. 顯影（Development）
? 顯影液：
? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區域；
? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區域。
? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩定性。
? 條件：
? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；
? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續工藝）
? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；
? 離子注入：膠膜保護未曝光區域，使雜質離子只能注入曝光區域（半導體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
? 方法：
? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。
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