山西水性光刻膠國產廠家

來源：發布時間：2025-05-21

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。

負性光刻膠

SU-3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
負性光刻膠 JT-1000：有 1L 和 100g 兩種規格，具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度，光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域，如半導體器件制造。
耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100：重量 1L，具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝，如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。

挑戰與未來展望的發展。山西水性光刻膠國產廠家

光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料，廣泛應用于以下領域：

半導體制造

? 功能：在晶圓表面形成微細電路圖案，作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類：

? 正性光刻膠：曝光區域溶解于顯影液，形成與掩膜版一致的圖案（主流，分辨率高）。

? 負性光刻膠：未曝光區域溶解，形成反向圖案（用于早期工藝，耐蝕刻性強）。

? 技術演進：隨制程精度提升，需匹配不同曝光波長（紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV），例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

平板顯示（LCD/OLED）

? 彩色濾光片（CF）：在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元，光刻膠用于圖案化黑矩陣（BM）、彩色層（R/G/B）和保護層。

? 電極圖案：制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極，需高透光率和精細邊緣控制。

印刷電路板（PCB）

? 線路蝕刻：在覆銅板上涂膠，曝光顯影后保留線路區域，蝕刻去除未保護的銅箔，形成導電線路。

? 阻焊與字符層：阻焊膠覆蓋非線路區域，防止短路；字符膠用于印刷電路板標識。

LED與功率器件

? 芯片制造：在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構，需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED：微米級芯片轉移和陣列化，依賴超高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，各有特性與優勢，適用于不同領域。

厚板光刻膠 JT - 3001：具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年，適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景，如一些特殊的電路板制造。

SU - 3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應。重量為 100g，常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000：有 1L 和 100g 兩種規格，具有優異的分辨率，準確性和穩定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造，能滿足其對光刻膠高精度和穩定性的需求。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠：耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高。重量 100g，適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝，如一些半導體器件的制造。

定義與特性

正性光刻膠是一種在曝光后，曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案一致的圖形。與負性光刻膠（未曝光區域溶解）相比，其優勢是分辨率高、圖案邊緣清晰，是半導體制造（尤其是制程）的主流選擇。

化學組成與工作原理

主要成分

? 樹脂（成膜劑）：

? 傳統正性膠：采用**酚醛樹脂（Novolak）與重氮萘醌（DNQ，光敏劑）**的復合體系（PAC體系），占比約80%-90%。

? 化學增幅型（用于DUV/EUV）：含環化烯烴樹脂或含氟聚合物，搭配光酸發生器（PAG），通過酸催化反應提高感光度和分辨率。

? 溶劑：溶解樹脂和感光劑，常用丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乳酸乙酯。

? 添加劑：表面活性劑（改善涂布均勻性）、穩定劑（防止暗反應）、堿溶解度調節劑等。

工作原理

? 曝光前：光敏劑（如DNQ）與樹脂結合，形成不溶于堿性顯影液的復合物。

? 曝光時：

? 傳統PAC體系：DNQ在紫外光（G線436nm、I線365nm）照射下發生光分解，生成羧酸，使曝光區域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。

? 化學增幅型：PAG在DUV/EUV光下產生活性酸，催化樹脂發生脫保護反應，大幅提高顯影速率（靈敏度提升10倍以上）。

? 顯影后：曝光區域溶解去除，未曝光區域保留，形成正性圖案。

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光刻膠的納米級性能要求

超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊，避免散射導致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）。

低缺陷率：納米級結構對膠層中的顆粒或化學不均性極其敏感，需通過化學增幅型配方（如酸催化交聯）提升對比度和抗刻蝕性。

多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕、原子層沉積），例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。

技術挑戰與前沿方向

? EUV光刻膠優化：解決曝光后酸擴散導致的線寬波動，開發含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度。

? 無掩膜光刻：結合機器學習優化電子束掃描路徑，直接寫入復雜納米圖案（如神經網絡芯片的突觸陣列），縮短制備周期。

? 生物基光刻膠：開發可降解、低毒性的天然高分子光刻膠，用于生物芯片或環保型納米制造。

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發展戰略與行業地位。山西水性光刻膠國產廠家

企業定位與資質

? 成立背景：深耕半導體材料行業23年，位于松山湖經濟技術開發區，注冊資本2000萬元，是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業及廣東省創新型中小企業。

? 質量體系：通過ISO9001:2008認證，嚴格執行8S現場管理，原材料源自美國、德國、日本等國，確保產品穩定性。

? 市場布局：產品遠銷全球，與世界500強企業及多家電子加工企業建立長期合作關系，覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領域。

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企業優勢

? 研發能力：擁有多項專利證書，自主研發芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產品，配備全自動化生產設備，具備從材料合成到成品制造的全流程能力。

? 產能與品控：采用進口原材料和嚴格制程管控，確保金屬雜質含量低于行業標準（如半導體光刻膠金屬雜質<5ppb），良率達99%以上。

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