公司遵循國際質量管理標準,通過 ISO9001:2008 認證,并在生產過程中執行 8S 現場管理,從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例,其無鹵無鉛配方符合環保要求,同時具備低飛濺、高潤濕性等特點,適用于電子產品組裝。此外,公司建立了行業標準化實驗室,配備先進檢測設備,確保產品性能達到國際同類水平。
憑借多年研發積累,公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面,不僅提供常規錫膏、助焊膏,還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品,滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時,感光膠系列產品分為水性與油性兩類,兼具耐潮性與易操作性,廣泛應用于印刷電路板制造。
吉田半導體:以技術革新驅動光刻膠產業升級。河北油性光刻膠品牌
? 正性光刻膠
? YK-300:適用于半導體制造,具備高分辨率(線寬≤10μm)、耐高溫(250℃)、耐酸堿腐蝕特性,主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,適配UV光源(365nm/405nm)。
? 技術優勢:采用進口樹脂及光引發劑,絕緣阻抗高(>10^14Ω),滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。
? 負性光刻膠
? JT-1000:負性膠,主打優異抗深蝕刻性能,分辨率達3μm,適用于功率半導體、MEMS器件制造,可承受氫氟酸(HF)、磷酸(H3PO4)等強腐蝕液處理。
? SU-3:經濟型負性膠,性價比高,適用于分立器件及低端邏輯芯片,光源適應性廣(248nm-436nm),曝光靈敏度≤200mJ/cm2。
2. 顯示面板光刻膠
? LCD正性光刻膠YK-200:專為TFT-LCD制程設計,具備高涂布均勻性(膜厚誤差±1%)、良好的基板附著力,用于彩色濾光片(CF)和陣列基板(Array)制造,支持8.5代線以上大規模生產。
? 水性感光膠JT-1200:環保型產品,VOC含量<50g/L,符合歐盟RoHS標準,適用于柔性顯示基板,可制作20μm以下精細網點,主要供應京東方、TCL等面板廠商。
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人才與生態:跨學科團隊的“青黃不接”
前段人才的結構性短缺
光刻膠研發需材料化學、半導體工藝、分析檢測等多領域。國內高校相關專業畢業生30%進入光刻膠行業,且缺乏具有10年以上經驗的工程師。日本企業通過“技術導師制”培養人才,而國內企業多依賴“挖角”,導致技術傳承斷裂。
產業鏈協同的“孤島效應”
光刻膠研發需與晶圓廠、設備商、檢測機構深度協同。國內企業因信息不對稱,常出現“材料性能與工藝需求不匹配”問題。例如,某國產KrF光刻膠因未考慮客戶產線的顯影液參數,導致良率損失20%。
不同光刻膠類型的適用場景對比
類型 波長范圍 分辨率 典型應用產品
G線/i線光刻膠 436/365nm ≥1μm PCB、LCD黑色矩陣 吉田半導體JT-100系列
KrF光刻膠 248nm 0.25-1μm 28nm以上芯片、Mini LED制備 吉田半導體YK-300系列
ArF光刻膠 193nm 45nm-0.25μm 14nm及以上芯片、OLED電極圖案化 國際主流:JSR ARF系列
EUV光刻膠 13.5nm ≤7nm 7nm以下先進制程、3D NAND堆疊 研發中(吉田半導體合作攻關)
水性光刻膠 全波長適配 5-50μm 柔性顯示、環保PCB阻焊層 吉田半導體WT-200系列
總結:多領域滲透的“工業維生素”
光刻膠的應用深度綁定電子信息產業,從半導體芯片的“納米級雕刻”到PCB的“毫米級線路”,再到顯示面板的“色彩精細控制”,其技術參數(分辨率、耐蝕刻性、靈敏度)需根據場景設計。隨著**新能源(車規芯片、光伏)、新型顯示(Micro LED)、先進制造(納米壓印)**等領域的發展,光刻膠的應用邊界將持續擴展,成為支撐制造的關鍵材料。
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光伏電池(半導體級延伸)
? HJT/TOPCon電池:在硅片表面圖形化金屬電極,使用高靈敏度光刻膠(曝光能量≤50mJ/cm2),線寬≤20μm,降低遮光損失。
? 鈣鈦礦電池:用于電極圖案化和層間隔離,需耐有機溶劑(適應溶液涂布工藝)。
納米壓印技術(下一代光刻)
? 納米壓印光刻膠:通過模具壓印實現10nm級分辨率,用于3D NAND存儲孔陣列(直徑≤20nm)、量子點顯示陣列等。
微流控與生物醫療
? 微流控芯片:制造微米級流道(寬度10-100μm),材料需生物相容性(如PDMS基材適配)。
? 生物檢測芯片:通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點,精度≤5μm。
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光刻膠的主要應用領域
光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:
半導體制造
? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。
? 分類:
? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。
? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。
? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。
平板顯示(LCD/OLED)
? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。
? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。
印刷電路板(PCB)
? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。
? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。
LED與功率器件
? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。
? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。
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