珠海LED光刻膠價格
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發布時間：2025-06-11
聚焦先進封裝需求，吉田半導體提供從光刻膠到配套材料的一站式服務，助力高性能芯片制造。
在 5G 芯片與 AI 處理器封裝領域，吉田半導體研發的 SU-3 負性光刻膠支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，為高密度金屬互連提供可靠支撐。其 BGA 助焊膏采用低溫固化技術（180℃），焊接空洞率 < 5%；針筒錫膏適用于 01005 超微型元件，印刷精度達 ±5μm。通過標準化實驗室與快速響應團隊，公司為客戶提供工藝優化建議，幫助降低生產成本，增強市場競爭力。政策支持：500億加碼產業鏈。珠海LED光刻膠價格
廈門正性光刻膠廠家負性光刻膠的工藝和應用場景。
? 正性光刻膠
? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。
? 技術優勢：采用進口樹脂及光引發劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。
? 負性光刻膠
? JT-1000：負性膠，主打優異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。
? SU-3：經濟型負性膠，性價比高，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應性廣（248nm-436nm），曝光靈敏度≤200mJ/cm2。
2. 顯示面板光刻膠
? LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設計，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）、良好的基板附著力，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規模生產。
? 水性感光膠JT-1200：環保型產品，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標準，適用于柔性顯示基板，可制作20μm以下精細網點，主要供應京東方、TCL等面板廠商。
感光機制
? 重氮型（雙液型）：需混合光敏劑（如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉），曝光后通過交聯反應固化，適用于精細圖案（如PCB電路線寬≤0.15mm）。
? SBQ型（單液型）：預混光敏劑，無需調配，感光度高（曝光時間縮短30%），適合快速制版（如服裝印花）。
? 環保型：采用無鉻配方（如CN10243143A），通過多元固化體系（熱固化+光固化）實現12-15mJ/cm2快速曝光，分辨率達2μm，符合歐盟REACH標準。
功能細分
? 耐溶劑型：如日本村上AD20，耐酒精、甲苯等溶劑，適用于電子油墨印刷。
? 耐水型：如瑞士科特1711，抗水性強，適合紡織品水性漿料。
? 厚版型：如德國K?ppen厚版膠，單次涂布可達50μm，用于立體印刷。
典型應用場景：
? PCB制造：使用360目尼龍網+重氮感光膠，配合LED曝光（405nm波長），實現0.15mm線寬，耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花：圓網制版采用9806A型感光膠，涂布厚度20μm，耐堿性染料色漿，耐印率超10萬次。
? 包裝印刷：柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材，UV-LED曝光+無溶劑工藝，碳排放降低40%。
水性感光膠推薦吉田 JT-1200，精細網點 + 易操作性！
關鍵應用領域
半導體制造：
? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。
印刷電路板（PCB）：
? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。
顯示面板（LCD/OLED）：
? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統（MEMS）：
? 加工微結構（如傳感器、執行器）。
工作原理（以正性膠為例）
1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。
2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影：用顯影液溶解曝光區域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區域），或去除光刻膠（剝離工藝）。
光刻膠生產工藝流程與應用。重慶高溫光刻膠國產廠商吉田技術自主化與技術領域突破！珠海LED光刻膠價格
關鍵工藝流程
涂布：
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調整），需均勻無氣泡（旋涂轉速500-5000rpm）。
前烘（Soft Bake）：
? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強附著力（避免顯影時邊緣剝離）。
曝光：
? 光源匹配：
? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。
? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲芯片）。
? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級缺陷）。
? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影：
? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區域膠膜溶解，未曝光區域保留，形成三維立體圖案。
后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：
? 化學增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發光酸催化反應，提高分辨率和耐蝕刻性。
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