可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣，它已經應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。

1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。

  若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。

  若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。

  若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。

  若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG可控硅模塊。

  若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。

  若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路，可選用光控可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實力和豐富的實踐經驗。湖南雙向可控硅模塊組件

可控硅模塊的分類：

1、以關斷、導通及控制方式來分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

2、以引腳和極性來分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

3、以封裝形式來分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

4、以電流容量來分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

5、以關斷速度來分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

6、過零觸發，一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅參數介紹

7、非過零觸發，無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸發。

接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻，正反向測量阻值均應幾百千歐以上，若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋，測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右，如出現正向阻值接近于零值或為無窮大，表明控制極與陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大，但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。

  如果想要判斷可控硅是否已經被擊穿損壞，工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋，然后將黑表筆接陽極，紅表筆仍接陰極，此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動，黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆，陰極接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。

單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑筆接的引腳為控制極G，紅筆接的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G，此時萬用表指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅表筆時，萬用表指針發生偏轉，說明該單向可控硅已擊穿損壞。 淄博正高電氣有限公司以誠信為根本，以質量服務求生存。

過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統儲能的急劇變化，使系統轉換太晚，或是系統中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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導通角與模塊輸出電流的關系：山東可控硅模塊的導通角與模塊能輸出的器強大電流有直接關系，模塊的標稱電流是強大導通角時能輸出的強大電流。在小導通角（輸出電壓與輸入電壓比值很小）下輸出的電流峰值很大，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時比實際值小），但是輸出電流的有效值很大，半導體器件的發熱與有效值的平方成正比，會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。因此，山東可控硅模塊應選擇在強大導通角的65％以上工作，及控制電壓應在5V以上。湖南雙向可控硅模塊組件

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