您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？

可控硅模塊導通的條件是陽極承受正電壓，只有當正向觸發電壓時，可控硅才能導通。由門級施加的正向觸發脈沖的較小寬度應使陽極電流達到維持直通狀態所需的較小的陽極電流，即高于電流IL。可控硅導通后的電壓降很小。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值，即保持電流IH。有兩種方法：

1.將正極電壓降低至數值，或添加反向陽極電壓。

2.增加負載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導通狀態，希望能幫助您 淄博正高電氣有限公司團結、創新、合作、共贏。廣東小功率可控硅模塊廠家

可控硅模塊的使用注意事項

1.在選擇可控硅模塊的額定電流時，應注意的是，除考慮通過元件的平均電流外，還必須注意正常運行過程中傳導角的大小、散熱和通風條件等因素，同時，管殼的溫度不得超過相應電流的允許值。

2.使用可控硅模塊時，使用萬用表檢查可控硅模塊是否處于良好狀態，如有短路或斷路，應立即更換。

3.嚴禁使用兆歐表來檢查部件的絕緣情況。

4.率大于5A的可控硅模塊，應安裝散熱器，并保證規定的冷卻條件。同時，為保證散熱器與可控硅模塊管芯接觸良好，應在兩者之間涂一層有機硅油或硅脂，以利于更好的散熱。

5.根據規定，主電路中的可控硅模塊采用過電壓和過電流保護裝置。

6.防止控制極正向過載和反向擊穿。 廣東小功率可控硅模塊廠家誠信是企業生存和發展的根本。

可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中相當主要的是導通損耗。為了確保器件長期可靠地工作，設計時散熱器及其冷卻方式的選擇與電力半導體模塊的電流電壓的額定值選擇同等重要，千萬不可大意！散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。考慮散熱問題的總原則是：控制模塊中管芯的結溫Tj不超過產品數據表給定的額定結溫

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司以發展求壯大，就一定會贏得更好的明天。

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 淄博正高電氣有限公司在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。可控硅模塊哪家好

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可控硅模塊規格的選擇方法：考慮到可控硅產品一般為非正弦電流，存在導通角問題，負載電流存在一些波動和不穩定因素，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規格時必須留出一定的裕度。

推薦選擇方法可按照以下公式計算：I＞K×I負載×U∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的強大電流； U實際：負載上的小電壓；

U強大 模塊能輸出的強大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標稱的電流必須大于該值。 廣東小功率可控硅模塊廠家

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