限流作用的強弱調節使靜止的。無接觸的。非機械式的，這就為微電子技術打開了大門。所以，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能，其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質的區別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統的大慣性來說，磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波，這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源，噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發軟起動行業的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優于液阻軟起動。與液阻軟起動相比，它體積小，結構緊湊，維護量小，功能齊全，菜單豐富，起動重復性好，保護周全，這些都是液阻軟起動難以望其項背的。正高電氣累積點滴改進，邁向優良品質！青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

晶閘管智能模塊的輸出特性

模塊的控制電壓與控制角α的關系因負載性質和電路形式的不同而有所區別：

單相交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

單相整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。

三相全控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。

三相半控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相全控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應1.5V～9V。

三相半控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應0.5V～9.5V。

三相整流充放電模塊逆變放電時，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應0.5V～5V；整流充電時，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應5V～9.5V。

注：交流調壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當α≤Ψ時，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。 青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家正高電氣為客戶服務，要做到更好。

    ：觸發脈峰值電壓：≥22V觸發脈峰值電流：≥3A觸發脈沖前沿陡度：≥2A/μS（逆變的觸發脈沖變壓器是外接的）比較大外型尺寸：238×175×40mm。：控制板在檢測到故障信號時，輸出一組接點信號，該接點容量為AC：5A/220V：DC：10A/28V。6、電路原理整個控制電路除逆變末級觸發單元外，做成一塊印刷電路板結構。功能上包括電源、整流觸發、調節器、逆變、啟動演算等，除調節器為模擬運算電路外，其余均為數字電路。組成該控制板的集成電路為IC6，型號為MPU-2，它是一塊**超大規模數字集成電路，有3路時鐘輸入口，31路輸入/輸出口，內部功能包括整流移相觸發、相序自適應、逆變觸發、逆變引前角鎖定、逆變重復起動、過流保護、過壓保護、缺相保護、水壓低保護、控制板欠壓保護，另外還有三個。這部分電路包括三相同步、相序自適應、壓控時鐘、數字觸發、末級驅動等電路。三相同步信號直接由晶閘管的門極引線K4、K6、K2從主回路的三相進線上取得，由R3、C1、R7、C2、R11、C3進行濾波，再經6只光電耦合器進行電位隔離，獲得6個相位互差60度的矩形波同步信號（低電平有效），輸入到IC6的5P-10P。在IC6的內部有相序自適應電路，確保了中頻電源的三相交流輸入可以不分相序。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極，剩下的就是A極。2．檢查觸發能力如圖2(a)所示，首先將表Ⅰ的黑表筆接A極，紅表筆接K極，電阻為無窮大；然后用黑表筆尖也同時接觸G極，加上正向觸發信號，表針向右偏轉到低阻值即表明GTO已經導通；脫開G極，只要GTO維持通態，就說明被測管具有觸發能力。3．檢查關斷能力現采用雙表法檢查GTO的關斷能力，如圖2(b)所示，表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔，紅表筆接G極，黑表筆接K極，施以負向觸發信號，如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置，證明GTO具有關斷能力。4．估測關斷增益βoff進行到第3步時，先不接入表Ⅱ，記下在GTO導通時表Ⅰ的正向偏轉格數n1；再接上表Ⅱ強迫GTO關斷，記下表Ⅱ的正向偏轉格數n2。根據讀取電流法按下式估算關斷增益：βoff=IATM/IGM≈IAT/IG＝K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數；K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數。βoff≈10×n1/n2此式的優點是，不需要具體計算IAT、IG之值，只要讀出二者所對應的表針正向偏轉格數，即可迅速估測關斷增益值。注意事項：（1）在檢查大功率GTO器件時，建議在R×1檔外邊串聯一節′，以提高測試電壓和測試電流，使GTO可靠地導通。。正高電氣在客戶和行業中樹立了良好的企業形象。

    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從發射極注入硅晶體，導致發射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣是多層次的模式與管理模式。青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

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晶閘管智能模塊電流規格的選取方法

考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：

I>K×I負載×U較大∕U實際

K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；

I負載：負載流過的較大電流；    U實際：負載上的較大電壓；

U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；

I：需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電流一定要大于該值。

例：某系統用三相整流模塊電爐調溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調350V～450V，應選擇什么型號的模塊？

選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 青島MTAC260晶閘管智能模塊廠家

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