斷一個可控硅元件是否完好，工程師需要從四個方面進行檢查，首先是判斷該元件的三個PN結應完好，其次是當陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導通，第三是當控制極開路時，陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導通，第四是給控制極加上正向電流，給陰極與陽極加正向電壓時，可控硅應當導通，把控制極電流去掉后仍處于導通狀態。滿足以上四個條件的可控硅元件，才是符合設計使用要求的。

  想要看一個可控硅元件是否符合以上要求，其實非常簡單，只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻，就可對**個方面的好壞進行判斷。具體的操作方法是：用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓)，此兩個阻值均應很大。電阻值越大，表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低，或近于無窮大，說明可控硅已經擊穿短路或已經開路，此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司周邊生態環境狀況好。濱州可控硅模塊報價

雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后，再仔細測量A1、G極間正反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2，紅表筆接陽極A1，此時萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負向的觸發電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節1.5V干電池，以提高觸發電壓。 濱州可控硅模塊報價淄博正高電氣有限公司尊崇團結、信譽、勤奮。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態及動態的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。

雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向，只要控制極G和***陽極A1間加有正負極性不同的觸發電壓，就可觸發導通呈低阻狀態。此時A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導通，即使失去觸發電壓，也能繼續保持導通狀態。只有當***陽極A1、第二陽極A2電流減小，小于維持電流或A1、A2間當電壓極性改變且沒有觸發電壓時，雙向可控硅才截斷，此時只有重新加觸發電壓方可導通。

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可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。

 由于BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由于觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

  由于可控硅只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化 淄博正高電氣有限公司真誠希望與您攜手、共創輝煌。貴州高壓可控硅模塊品牌

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任何的東西都有其使用的壽命，可控硅也不例外，可控硅模塊使用時間長了，它的溫度就會升高，如果溫度過高就容易損壞，并且降低使用壽命，這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法：

1 可控硅模塊環境溫度的測定：在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計，溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高，溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響，環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。

2 可控硅模塊溫升按下式計算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。

3 可控硅模塊工作溫度的測定：被測可控硅模塊溫升的測定，通常與減速機的承載能力及傳動效率測定同時進行，也可單獨進行，被測減速機在符合規定時，讀取它在額定轉速、額定輸入功率下的工作溫度

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