在較低頻率下，較大的電容可以提供低電阻接地路徑。一旦這些電容達到自諧振頻率，它們的電容特性就消失了，它們變成了具有電感特性的元件。這就是并聯使用多個電容的主要原因，可以在很寬的頻率范圍內保持較低的交流阻抗。芯片電源要求電源穩(wěn)定，但實際電源不穩(wěn)定，高頻低頻干擾混雜。實際電容與理想電容大相徑庭，具有RLC三重性質。10uf的電容對低頻干擾的過濾效果很好，但對于高頻干擾，電容是感性的，阻抗太大無法有效濾除，所以組合一個0.1uf的電容濾除高頻成分。如果你的設計要求不高，沒必要完全遵守這個規(guī)則。MLCC成為使用數量較多的電容。江蘇片式多層陶瓷電容器多少錢

陶瓷電容器的起源：1900年，意大利人L.longbadi發(fā)明了陶瓷介質電容器。20世紀30年代末，人們發(fā)現在陶瓷中加入鈦酸鹽可以使介電常數加倍，從而制造出更便宜的陶瓷介質電容器。1940年左右，人們發(fā)現陶瓷電容器的主要原料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性，隨后陶瓷電容器開始用于尺寸小、精度要求高的電子設備中。陶瓷疊層電容器在1960年左右開始作為商品開發(fā)。到1970年，隨著混合集成電路、計算機和便攜式電子設備的發(fā)展，它迅速發(fā)展起來，成為電子設備中不可缺少的一部分。目前，陶瓷介質電容器的總數量約占電容器市場的70%。中國臺灣NPO電容品牌MLCC可適用于各種電路，如振蕩電路、定時或延時電路、耦合電路、往耦電路、平濾濾波電路、抑制高頻噪聲等。

當負載頻率上升到電容器中流動的交流電流的額定電流值時，即使負載電壓沒有達到額定交流電壓，也需要降低電容器的負載交流電壓，以保證流經電容器的電流不超過額定電流值，即左圖曲線開始下降；但是，負載頻率不斷上升，電容器損耗因數引起的發(fā)熱成為電容器負載電壓的主要限制因素，即負載電壓會隨著頻率的增加而急劇下降，即左中圖中曲線的急劇下降部分與負載交流電壓相反。當電容器加載的交流電流頻率較低時，即使電流沒有達到額定電流，電容器上的交流電壓也已經達到其額定值，即加載交流電流受到電容器額定電壓的限制，加載交流電流隨著頻率的增加而增加。

根據經驗，在電路的總電源原理圖中，設計原理圖時把這些電容畫在一起，因為是同一個網絡，而在設計實際PCB時，這些電容分別放在各自的ic上。電容越大，信號頻率越高，電容的交流阻抗越小。電源(或信號)或多或少會疊加一些交流高頻和低頻信號，對系統不利。IC電源的引腳與地之間并聯放置電容，一般是為了濾除對系統不利的交流信號。10uf和0.1uf的電容配合使用，使電源(或信號)對地的交流阻抗在很寬的頻率范圍內很小，這樣可以更干凈地濾除交流分量。大容量低耐壓鉭電容的替代產品：高分子聚合物固體鋁電解電容器。

為了滿足電子整機不斷向小型化、大容量化、高可靠性和低成本的方向發(fā)展。MLCC也隨之迅速向前發(fā)展：種類不斷增加，體積不斷縮小，性能不斷提高，技術不斷進步，材料不斷更新，輕薄短小系列產品已趨向于標準化和通用化。其應用逐步由消費類設備向投資類設備滲透和發(fā)展。移動通信設備更是大量采用片式元件。隨著世界電子信息產業(yè)的迅速發(fā)展，MLCC的發(fā)展方向呈現多元化：1、為了適應便攜式通信工具的需求，片式多層電容器也正在向低壓大容量、超小超薄的方向發(fā)展。2、為了適應某些電子整機和電子設備向大功率高耐壓的方向發(fā)展（通信設備居多），高耐壓大電流、大功率、超高Q值低ESR型的中高壓片式電容器也是目前的一個重要的發(fā)展方向。3、為了適應線路高度集成化的要求，多功能復合片式電容器（LTCC）正成為技術研究熱點。電容作為基本元器件之一，實際生產的電容都不是理想的，會有寄生電感，等效串聯電阻存在。常州陶瓷電容器哪家好

陶瓷電容器從介質類型主要可以分為兩類，即Ⅰ類陶瓷電容器和Ⅱ類陶瓷電容器。江蘇片式多層陶瓷電容器多少錢

I類陶瓷電容器按照美國電工協會(EIA)的標準，是C0G(數字0，不是字母O，部分文件筆誤COG)或NP0(數字0，不是字母O，部分文件筆誤NPO)，以及中國標準CC系列等各類陶瓷介質(溫度系數為030ppm/)，極其穩(wěn)定，溫度系數極低，不會出現老化現象和損耗因子。這種介質非常適用于高頻(特別是用于工業(yè)高頻感應加熱、高頻無線傳輸等應用的高頻電力電容器)、超高頻以及對電容和穩(wěn)定性有嚴格要求的定時和振蕩電路的工作環(huán)境。這種介質電容的缺點就是電容不能做得很大(因為介電系數比較小)。通常情況下，1206表貼C0G介質電容的電容范圍為0.5pf至0.01f。江蘇片式多層陶瓷電容器多少錢