隨著頻率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消時(shí)的頻率為鋁電解電容器的諧振頻率，這時(shí)的阻抗比較低，只剩下ESR。如果ESR為零，則這時(shí)的阻抗也為零；頻率繼續(xù)上升，感抗開(kāi)始大于容抗，當(dāng)感抗接近于ESR時(shí)，阻抗頻率特性開(kāi)始上升，呈感性，從這個(gè)頻率開(kāi)始以上的頻率下電容器時(shí)間上就是一個(gè)電感。由于制造工藝的原因，電容量越大，寄生電感也越大，諧振頻率也越低，電容器呈感性的頻率也越低。這就要求它在開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的工作頻段內(nèi)要有低的等效阻抗，同時(shí)，對(duì)于電源內(nèi)部，由于半導(dǎo)體器件開(kāi)始工作所產(chǎn)生高達(dá)數(shù)百千赫的尖峰噪聲，亦能有良好的濾波作用，一般低頻用普通電解電容器在10kHz左右，其阻抗便開(kāi)始呈現(xiàn)感性，無(wú)法滿足開(kāi)關(guān)電源使用要求。MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。鹽城高壓電容規(guī)格

電解電容器在電子電路中是必不可少的。而且隨著電子設(shè)備的小型化，越來(lái)越要求電解電容器具有更好的頻率特性、更低的ESR、更低的阻抗、更低的ESL、更高的耐壓和無(wú)鉛，這也是電解電容器未來(lái)的發(fā)展方向。采用鈮、鈦等新型介電材料，改進(jìn)結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)電容器的小型化和大容量化。通過(guò)開(kāi)發(fā)和優(yōu)化新型電解質(zhì)的工藝和結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)低ESR和低ESL，產(chǎn)品將向更高電壓方向發(fā)展。在日新月異的信息技術(shù)領(lǐng)域，電容永遠(yuǎn)是關(guān)鍵元件之一。我們將應(yīng)用新技術(shù)和新材料，不斷開(kāi)發(fā)高性能電容器，以滿足信息時(shí)代的需求。中國(guó)臺(tái)灣陶瓷電容器廠家鉭電容也屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質(zhì)，不像普通電解電容那樣使用電解液。

電容和體積由于電解電容大多采用卷繞結(jié)構(gòu)，容易擴(kuò)大體積，所以單位體積的電容很大，比其他電容大幾倍到幾十倍。然而，大電容的獲得是以體積膨脹為代價(jià)的。開(kāi)關(guān)電源要求更高的效率和更小的體積。因此，有必要尋找新的解決方案來(lái)獲得具有大電容和小體積的電容器。一旦有源濾波電路用于開(kāi)關(guān)電源的原邊，鋁電解電容器的使用環(huán)境就變得比以前更加惡劣：(1)高頻脈沖電流主要是20kHz~100kHz的脈動(dòng)電流，而且增加很大；(2)變流器主開(kāi)關(guān)管發(fā)熱，導(dǎo)致鋁電解電容器環(huán)境溫度升高；(3)大部分變換器采用升壓電路，所以需要耐高壓的鋁電解電容。結(jié)果，由現(xiàn)有技術(shù)制造的鋁電解電容器不得不選擇大尺寸的電容器，因?yàn)樗鼈冃枰毡纫郧案嗟拿}動(dòng)電流。結(jié)果，電源的體積巨大，并且難以在小型化的電子設(shè)備中使用。為了解決這些問(wèn)題，有必要研究和開(kāi)發(fā)一種新型的電解電容器，這種電容器體積小，耐高壓，并允許大量的高頻脈沖電流流過(guò)。另外，這種電解電容器，在高溫環(huán)境下工作，工作壽命長(zhǎng)。

在較低頻率下，較大的電容可以提供低電阻接地路徑。一旦這些電容達(dá)到自諧振頻率，它們的電容特性就消失了，它們變成了具有電感特性的元件。這就是并聯(lián)使用多個(gè)電容的主要原因，可以在很寬的頻率范圍內(nèi)保持較低的交流阻抗。芯片電源要求電源穩(wěn)定，但實(shí)際電源不穩(wěn)定，高頻低頻干擾混雜。實(shí)際電容與理想電容大相徑庭，具有RLC三重性質(zhì)。10uf的電容對(duì)低頻干擾的過(guò)濾效果很好，但對(duì)于高頻干擾，電容是感性的，阻抗太大無(wú)法有效濾除，所以組合一個(gè)0.1uf的電容濾除高頻成分。如果你的設(shè)計(jì)要求不高，沒(méi)必要完全遵守這個(gè)規(guī)則。電解電容由于有正負(fù)極性，因此在電路中使用時(shí)不能顛倒聯(lián)接。

MLCC電容生產(chǎn)工藝流程包含倒角：將燒結(jié)好的瓷介電容器、水和研磨介質(zhì)裝入倒角槽中，通過(guò)球磨和行星研磨的方式移動(dòng)，形成光滑的表面，保證產(chǎn)品內(nèi)部電極充分暴露，內(nèi)外電極連接。端接：在倒角芯片露出的內(nèi)電極兩端涂上端糊，同側(cè)的內(nèi)電極連接形成外電極。老化：只有在低溫?zé)Y(jié)終止產(chǎn)品后，才能確保內(nèi)外電極之間的連接。并使端頭與瓷有一定的粘結(jié)強(qiáng)度。末端處理：表面處理過(guò)程是電沉積過(guò)程，是指電解液中的金屬離子(或絡(luò)合離子)在直流電的作用下，在陰極表面還原成金屬(或合金)的過(guò)程。電容器通常在端子(銀端子或銅端子)上鍍一層鎳，然后鍍錫。外觀選擇：借助放大鏡或顯微鏡選擇有表面缺陷的產(chǎn)品。測(cè)試：電容器產(chǎn)品電性能分類：容量、損耗、絕緣、電阻、耐壓100%測(cè)量分級(jí)，排除不良品。捆扎：根據(jù)尺寸和數(shù)量要求，用紙帶或塑料袋包裝電容器。鉭電容器的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。連云港射頻電容批發(fā)

電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。鹽城高壓電容規(guī)格

電容允許偏差：這個(gè)上期我們講安規(guī)電容的作用時(shí)又提起過(guò)，顧名思義，這就是電容的較大允許偏差范圍。常用的容量誤差為：J表示允許偏差±5%,K表示允許偏差±10%,M表示允許偏差±20%。額定工作電壓：在電路中能長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定、可靠地工作，并能承受較大直流電壓，也叫耐壓。對(duì)結(jié)構(gòu)、容量一樣的電子器件，耐壓越高，體積越大。損耗：貼片陶瓷電容在電場(chǎng)的作用下，由于每單位時(shí)間產(chǎn)生熱量而消耗能量。這種損失主要來(lái)源于介質(zhì)損失和金屬損失。一般都是以損耗角正切值表示的。上述就是關(guān)于貼片陶瓷電容的一些基本常識(shí)，想要了解更多電容相關(guān)咨詢的，可關(guān)注江蘇芯聲微電子科技。鹽城高壓電容規(guī)格