賽瑞達智能電子裝備（無錫）有限公司2025-04-05

在晶體管制造中，通過 POCl?擴散形成 N 型源極和漏極區(qū)域，控制晶體管的導通和截止特性。在集成電路制造中，用于形成電阻、電容等元件的摻雜區(qū)域，調(diào)整其電學性能。在太陽能電池制造中，POCl?擴散可在硅片表面形成 N 型發(fā)射區(qū)，提高電池的光電轉換效率。幾乎在所有需要精確控制半導體電學性能、形成特定半導體區(qū)域的半導體制造場景中，三氯氧磷擴散都發(fā)揮著重要作用。?

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