賽瑞達智能電子裝備（無錫）有限公司2025-03-08

在氧化過程中，首先由氣體供應系統向爐內通入適量的氧氣。加熱系統將爐內溫度升高到適合氧化反應的溫度范圍，一般根據不同材料和工藝要求，溫度在幾百攝氏度到上千攝氏度不等。例如在半導體硅片氧化時，溫度常控制在 900 - 1200℃。硅片表面的硅原子與氧氣發生化學反應，生成二氧化硅（SiO?）。反應方程式為：Si + O? → SiO? 。通過精確控制氧氣流量、溫度以及反應時間，可以精細調控氧化膜的厚度和質量。氣體供應系統的流量穩定性和溫度控制系統的精度對氧化過程的順利進行和氧化膜的一致性至關重要。?

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