電阻應變計半導體應變計,將半導體應變計安裝在被測構件上,在構件承受載荷而產生應變時,其電阻率將發生變化。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的,其敏感柵由鍺或硅等半導體材料制成。這種應變計可分為體型和擴散型兩種。前者的敏感柵由單晶硅或鍺等半導體經切片和腐蝕等方法制成,后者的敏感柵則是將雜質擴散在半導體材料中制成的。半導體應變計的優點是靈敏系數大,機械滯后和蠕變小,頻率響應高;缺點是電阻溫度系數大,靈敏系數隨溫度而明顯變化,應變和電阻之間的線性關系范圍小。正確選擇半導體材料和改進生產工藝,這些缺點可望得到克服。半導體應變計多用于測量小的應變(10-1微應變到數百微應變),已普遍用于應變測量和制造各種類型的傳感器(見電阻應變計式傳感器)。應變計是電氣測量技術中較重要的傳感器之一。貴陽不銹鋼應變計報價
金屬電阻應變計還可以按敏感柵的結構形狀分為下述幾類:(1)單軸應變計:單軸應變計一般是指具有一個敏感柵的應變計。這種應變計可用來測量單向應變。(2)單軸多柵應變計:把幾個單軸敏感柵粘貼在同一個基底上,可構成平行軸多柵和同軸多柵,這種應變計可方便地測量構件表面的應變梯度。(3)應變花(多軸應變計):具有兩個或兩個以上軸線相交成一定角度的敏感柵制成的應變計稱為多軸應變計,也稱為應變花其敏感柵可由金屬絲或金屬箔制成。采用應變花可方便地測定平面應變狀態下構件上某一點處的應變。貴陽不銹鋼應變計報價雙層應變計,在進行薄殼、薄板應變的測量時,需要在殼和板的內、外表面對稱貼片。
電阻應變片的靈敏系數,貼在構件上的電阻應變片,由于構件產生應變。應變片產生了微小的電阻變化。電阻變化率(△R/R)與應變(ε=△L/L)之比稱為應變片的靈敏系數(K)。根據推導,電阻絲單絲的靈敏系數KS主要與電阻絲材料的波桑比有關,因而為一常數。通常所用的柵狀電阻絲應變片,由于電阻應變片兩端的阻絲有圓弧彎轉部分,所以不僅沿電阻絲方向的應變能使應變片產生電阻變化,而垂直于電阻絲方向的應變亦使應變片產生部分電阻變化。這種現象稱為應變片的橫向效應。因此應變片的靈敏系數與電阻絲單絲的靈敏系數有所不同,但仍接近于常數。
本實用新型的提供一種垂向土應變計,應變計包括上支撐座、下支撐座、承重桿和應變計組;所述承重桿兩端與所述上支撐座和下支撐座固定連接,所述承重桿外面的同軸心套有減震裝備;所述應變計組外側套有隔溫裝置,所述應變計組包括垂向電阻應變計和彎矩電阻應變計,所述垂向電阻應變計設于所述下支撐座頂端,位于所述承重桿正下方;所述彎矩電阻應變計設于所述承重桿側壁上。進一步地,所述上支撐座和下支撐座均為圓臺型。進一步地,所述上支撐座和下支撐座外面的均圓周分布有多個貫穿孔。進一步地,所述減震裝備為中空的螺旋結構體,用于抵消地下土壤橫向剪切力。進一步地,所述減震裝備為矩形截面的螺旋彈簧或普通絲繞螺旋彈簧。進一步地,所述減震裝備長度小于所述承重桿。進一步地,所述彎矩電阻應變計設置在所述承重桿較易于發生彎曲的平面上。進一步地,所述隔溫裝置與所述下支撐座和承重桿固定連接,套于所述垂向電阻應變計和彎矩電阻應變計外側。進一步地,所述隔溫裝置包括保護殼,所述包括殼內設有隔溫層。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的。
電阻應變計根據被測構件的應變狀態:(1)應變分布梯度應變計測出的應變值是應變計柵長范圍內的平均應變值。因此當應變沿試件軸向為均勻分布時,可以選用任意柵長的應變計,而對測試精度無直接影響。柵長大的應變計,其橫向效應系數小,且粘貼也比較容易。如果是對應變梯度大的構件進行測試,則應視具體情況選用柵長小的應變計。(2)應變性質對于靜態應變測量,溫度變化是產生誤差的重要原因,如有條件,可針對具體試件材料選用溫度自補償應變計。對于動態應變測量,應選用疲勞壽命高的應變計,如箔式應變計。應變計按安裝位置可分為埋入式應變計、表面式應變計。佛山振弦式應變計哪家好
應變計絲柵在交變載荷作用下發生冷作硬化。貴陽不銹鋼應變計報價
應變計敏感柵材料和基底材料的選擇:60℃以內、長時間、較應變量在1000μm/m以下的應變測量,一般選用以康銅合金或卡瑪合金箔為敏感柵、改性酚醛或聚酰亞胺為基底的應變計(BE、ZF、BA及日用衡器類應變計系列);150℃以內的應變測量,一般選用以康銅、卡瑪合金箔為敏感柵、聚酰亞胺為基底的應變計(BA系列);60℃以內高精度傳感器常用以康銅合金或卡瑪合金箔為敏感柵、改性酚醛為基底的應變計(BF、ZF系列)。應變計敏感柵結構型式的選擇:測量未知主應力方向試件的應變或測量剪應變時選用多軸應變計,前者可用三軸互相夾角為45°,或60°,或120°等的應變計,后者用夾角為90°的二軸應變計;測量已知主應力方向試件的應變時,可選用單軸應變計;用于壓力傳感器的應變計可選用圓形敏感柵的多軸應變計;測量應力分布時,可選用排列成串或成行的5~10個敏感柵的多軸應變計。貴陽不銹鋼應變計報價
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