超聲影像芯片的全集成MEMS設計與性能突破：針對超聲PZT換能器及CMUT/PMUT新型傳感器的收發需求，公司開發了**SoC超聲收發芯片，采用0.18mm高壓SOI工藝實現發射與開關復用，大幅節省芯片面積的同時提升性能。在發射端，通過MEMS高壓驅動電路設計，實現±100V峰值輸出電壓與1A持續輸出電流，較TI同類產品提升30%，滿足深部組織成像的能量需求；接收端集成12位ADC，采樣率可達100Msps，信噪比（SNR）達73.5dB，有效提升弱信號檢測能力。芯片采用多層金屬布線與硅通孔（TSV）技術，實現3D堆疊集成，封裝尺寸較傳統方案縮小40%。在二次諧波抑制方面，通過優化版圖布局與寄生參數補償，將5MHz信號的二次諧波降至-40dBc，優于行業基準-45dBc，***提升圖像分辨率。目前TX芯片已完成流片，與掌上超聲企業合作開發便攜式超聲設備，可實現腹部、心血管等部位的實時成像，探頭尺寸*30mm×20mm，重量＜50g，推動超聲診斷設備向小型化、智能化邁進，助力基層醫療場景普及。隨著科技的不斷進步，MEMS 微納米加工的精度正在持續提高，趨近于原子級別的操控。北京MEMS微納米加工

微針器件的干濕法刻蝕與集成傳感：基于MEMS干濕法混合刻蝕工藝，公司開發出多尺度微針器件。通過光刻膠模板與各向異性刻蝕，制備前列曲率半徑<100nm、高度500微米的中空微針陣列，可無創穿透表皮提取組織間液。結合微注塑工藝，在微針內部集成直徑10微米的流體通道，實現5分鐘內采集3μL樣本，用于連續血糖監測（誤差±0.2mmol/L）。在透皮給藥領域，載藥微針采用可降解PLGA涂層，載藥率超90%，釋放動力學可控至24小時線性釋放。同時，微針表面通過濺射工藝沉積金納米層，集成阻抗傳感模塊，可實時檢測炎癥因子（如CRP），檢測限低至0.1pg/mL。此類器件與微流控芯片聯用，可在15分鐘內完成“采樣-分析-反饋”閉環，為慢性病管理提供便攜式解決方案。西藏MEMSMEMS微納米加工超薄石英玻璃雙面套刻加工技術，在 100μm 以上基板實現微流道與金屬電極的高精度集成。

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。

在腦科學與精細醫療領域，公司開發的MEA柔性電極采用超薄MEMS工藝，兼具物相容性與高導電性，可定制化設計“觸凸”電極陣列，***降低植入式腦機接口的手術創傷，同時提升神經信號采集的信噪比。針對藥物遞送與檢測需求，通過干濕結合刻蝕技術制備的微針器件，既可實現組織間液的無痛提取，又能集成電化學傳感功能，為糖尿病動態監測、透皮給藥系統提供硬件支持。此外，公司**的MEMS多重轉印工藝，可將光刻硅片模板快速轉化為PMMA、COC等硬質塑料芯片，支持10個工作日內完成從設計圖紙到塑料芯片成型的全流程，極大加速微流控產品的研發驗證周期。熱壓印技術支持 PMMA/COC 等材料微結構快速成型，較注塑工藝縮短工期并降低成本。

MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：

太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， 微納加工產業化能力覆蓋設計、工藝、量產全鏈條，月產能達 50,000 片并持續技術創新。西藏MEMS微納米加工怎么樣

MEMS的超透鏡是什么？北京MEMS微納米加工

三維微納結構的跨尺度加工技術：跨尺度加工技術實現了從納米級到毫米級結構的一體化制造，滿足復雜微流控系統對多尺度功能單元的需求。公司結合電子束光刻（EBL，分辨率10nm）、紫外光刻（分辨率1μm）與機械加工（精度10μm），在單一基板上構建跨3個數量級的微結構。例如，在類***培養芯片中，納米級表面紋理（粗糙度Ra＜50nm）促進細胞黏附，微米級流道（寬度50μm）控制營養物質輸送，毫米級進樣口（直徑1mm）兼容外部管路。加工過程中，通過工藝分層設計，先進行納米結構制備（如EBL定義細胞外基質蛋白圖案），再通過紫外光刻形成中層流道，***機械加工完成宏觀接口，各層結構對準誤差＜±2μm。該技術突破了單一工藝的尺度限制，實現了功能的跨尺度集成，在芯片實驗室（Lab-on-a-Chip）中具有重要應用。公司已成功制備包含10nm電極間隙、1μm流道與1mm閥門的復合芯片，用于單分子電信號檢測，信號分辨率提升至10fA，為納米生物技術與微流控工程的交叉融合提供了關鍵制造能力。北京MEMS微納米加工