按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(Static RAM)和 動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic RAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是 SRAM每比特的數(shù)據(jù)存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時 延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內(nèi)置的緩存等。DRAM的 時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數(shù)據(jù)存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經(jīng)成為大 容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內(nèi)存都是DRAM。82496 DDR信號質(zhì)量的測試方法、測試裝置與測試設(shè)備與流程；天津DDR一致性測試推薦貨源

對DDR5來說，設(shè)計更為復雜，仿真軟件需要幫助用戶通過應用IBIS模型針對基于 DDR5顆粒或DIMM的系統(tǒng)進行仿真驗證，比如仿真驅(qū)動能力、隨機抖動/確定性抖動、寄 生電容、片上端接ODT、信號上升/下降時間、AGC(自動增益控制)功能、4taps DFE(4抽頭 判決反饋均衡)等。

DDR的讀寫信號分離

對于DDR總線來說，真實總線上總是讀寫同時存在的。規(guī)范對于讀時序和寫時序的 相關(guān)時間參數(shù)要求是不一樣的，讀信號的測量要參考讀時序的要求，寫信號的測量要參考寫 時序的要求。因此要進行DDR信號的測試，第一步要做的是從真實工作的總線上把感興 趣的讀信號或者寫信號分離出來。JEDEC協(xié)會規(guī)定的DDR4總線的 一個工作時 序圖(參考資料： JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM,JESD79-4),可以看到對于讀和寫信 號來說，DQS和DQ間的時序關(guān)系是不一樣的。 天津DDR一致性測試推薦貨源DDR原理及物理層一致性測試；

相關(guān)器件的應用手冊，ApplicationNote:在這個文檔中，廠家一般會提出一些設(shè)計建議，甚至參考設(shè)計，有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中，要注意這些信息是否齊備。

參考設(shè)計，ReferenceDesiqn:對于比較復雜的器件，廠商一般會提供一些參考設(shè)計，以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖，用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

IBIS 文件:這個對高速設(shè)計而言是必需的，獲得的方法前面已經(jīng)講過。

通常測量眼圖很有效的一種方法就是使用示波器的眼圖測量功能，即用時鐘做觸發(fā)對數(shù) 據(jù)信號進行累積，看累積結(jié)果的差情況是否在可以容許的范圍內(nèi)。但遺憾的是，想用這種 方法直接測量DDR的信號質(zhì)量非常困難，因為DDR信號讀寫時序是不一樣的。

可以看到，寫數(shù)據(jù)(DQ)的跳變位置對應著鎖存信號(DQS)的中心，而 讀數(shù)據(jù)的跳變位置卻對應著鎖存信號的邊沿，而且在總線上還有三態(tài)，因此如果直接用DQS 觸發(fā)對DQ累積進行眼圖測量的話，會得到的結(jié)果。 DDR4 和 LPDDR4 一致性測試應用軟件提供了多種可以簡化設(shè)計驗證的關(guān)鍵功能。

DDR數(shù)據(jù)總線的一致性測試

DQS (源同步時鐘)和DQ (數(shù)據(jù))的波形參數(shù)測試與命令地址總線測試類似，比較簡 單，在此不做詳細介紹。對于DDR1, DQS是單端信號，可以用單端探頭測試；DDR2&3 DQS 則是差分信號，建議用差分探頭測試，減小探測難度。DQS和DQ波形包括三態(tài)(T特征，以及讀數(shù)據(jù)(Read Burst)、寫數(shù)據(jù)(Write Burst)的DQS和DQ的相對時序特征。在 我們測試時，只是捕獲了這樣的波形，然后測試出讀、寫操作時的建立時間和保持時間參數(shù) 是不夠的，因為數(shù)據(jù)碼型是變化的，猝發(fā)長度也是變化的，只測試幾個時序參數(shù)很難覆蓋各 種情況，更難測出差情況。很多工程師花了一周時間去測試DDR,卻仍然測不出問題的關(guān) 鍵點就在于此。因此我們應該用眼圖的方式去測試DDR的讀、寫時序，確保反映整體時序情 況并捕獲差情況下的波形，比較好能夠套用串行數(shù)據(jù)的分析方法，調(diào)用模板幫助判斷。 DDR3信號質(zhì)量測試,信號一致性測試。吉林DDR一致性測試參考價格

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DDR內(nèi)存的典型使用方式有兩種： 一種是在嵌入式系統(tǒng)中直接使用DDR顆粒，另一 種是做成DIMM條(Dual In - line Memory Module,雙列直插內(nèi)存模塊，主要用于服務器和 PC)或SO - DIMM(Small Outline DIMM,小尺寸雙列直插內(nèi)存，主要用于筆記本) 的形式插  在主板上使用。

在服務器領(lǐng)域，使用的內(nèi)存條主要有UDIMM、RDIMM、LRDIMM等。UDIMM(UnbufferedDIMM,非緩沖雙列直插內(nèi)存)沒有額外驅(qū)動電路，延時較小，但數(shù)據(jù)從CPU傳到每個內(nèi)存顆粒時，UDIMM需要保證CPU到每個內(nèi)存顆粒之間的傳輸距離相等，設(shè)計難度較大，因此UDIMM在容量和頻率上都較低，通常應用在性能/容量要求不高的場合。 天津DDR一致性測試推薦貨源