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廣西DDR3測試PCI-E測試

來源: 發(fā)布時間:2025-06-13

重復步驟6至步驟9,設(shè)置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型為 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的時鐘網(wǎng)絡(luò)中含有上拉電阻(R515和R518),在模型賦置界面中找到 這兩個電阻,其Device Type都是R0402 47R,可以選中R0402 47R對這類模型統(tǒng)一進行設(shè)置, 

(12) 選中R0402 47R后,選擇Create ESpice Model...按鈕,在彈出的界面中單擊OK按 鈕,在界面中設(shè)置電阻模型后,單擊OK按鈕賦上電阻模型。

同步驟11、步驟12,將上拉電源處的電容(C583)賦置的電容模型。

上拉電源或下拉到地的電壓值可以在菜單中選擇LogicIdentify DC Nets..來設(shè)置。 DDR3一致性測試是否適用于工作站和游戲電腦?廣西DDR3測試PCI-E測試

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· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊,ApplicationNote:在這個文檔中,廠家一般會提出一些設(shè)計建議,甚至參考設(shè)計,有時該文檔也會作為器件手冊的一部分出現(xiàn)在器件手冊文檔中。但是在資料的搜集和準備中,要注意這些信息是否齊備。

· 參考設(shè)計,ReferenceDesign:對于比較復雜的器件,廠商一般會提供一些參考設(shè)計,以幫助使用者盡快實現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至會直接提供原理圖,用戶可以根據(jù)自己的需求進行更改。

· IBIS 文件:這個對高速設(shè)計而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過。 廣西DDR3測試PCI-E測試DDR3一致性測試是否適用于特定應(yīng)用程序和軟件環(huán)境?

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有其特殊含義的,也是DDR體系結(jié)構(gòu)的具體體現(xiàn)。而遺憾的是,在筆者接觸過的很多高速電路設(shè)計人員中,很多人還不能夠說清楚這兩個圖的含義。在數(shù)據(jù)寫入(Write)時序圖中,所有信號都是DDR控制器輸出的,而DQS和DQ信號相差90°相位,因此DDR芯片才能夠在DQS信號的控制下,對DQ和DM信號進行雙沿采樣:而在數(shù)據(jù)讀出(Read)時序圖中,所有信號是DDR芯片輸出的,并且DQ和DQS信號是同步的,都是和時鐘沿對齊的!這時候為了要實現(xiàn)對DQ信號的雙沿采樣,DDR控制器就需要自己去調(diào)整DQS和DQ信號之間的相位延時!!!這也就是DDR系統(tǒng)中比較難以實現(xiàn)的地方。DDR規(guī)范這樣做的原因很簡單,是要把邏輯設(shè)計的復雜性留在控制器一端,從而使得外設(shè)(DDR存儲心片)的設(shè)計變得簡單而廉價。因此,對于DDR系統(tǒng)設(shè)計而言,信號完整性仿真和分析的大部分工作,實質(zhì)上就是要保證這兩個時序圖的正確性。

DDR3一致性測試是一種用于檢查和驗證DDR3內(nèi)存模塊在數(shù)據(jù)操作和傳輸方面一致性的測試方法。通過進行一致性測試,可以確保內(nèi)存模塊在工作過程中能夠按照預期的方式讀取、寫入和傳輸數(shù)據(jù)。

一致性測試通常涵蓋以下方面:

電氣特性測試:對內(nèi)存模塊的電壓、時鐘頻率、時序等電氣特性進行測試,以確保其符合規(guī)范要求。

讀寫測試:驗證內(nèi)存模塊的讀取和寫入功能是否正常,并確保數(shù)據(jù)的正確性和一致性。

數(shù)據(jù)一致性檢查:通過檢查讀取的數(shù)據(jù)與預期的數(shù)據(jù)是否一致來驗證內(nèi)存模塊的數(shù)據(jù)傳輸準確性。

時序一致性測試:確認內(nèi)存模塊的時序設(shè)置是否正確,并檢查內(nèi)存模塊對不同命令和操作的響應(yīng)是否符合規(guī)范。

并發(fā)訪問測試:測試內(nèi)存模塊在并發(fā)訪問和多任務(wù)環(huán)境下的性能和穩(wěn)定性。

一致性測試有助于檢測潛在的內(nèi)存問題,如數(shù)據(jù)傳輸錯誤、時序不一致、并發(fā)訪問等,以確保內(nèi)存模塊在計算機系統(tǒng)中的正常運行。這種測試可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性,并減少不一致性可能帶來的數(shù)據(jù)損壞或系統(tǒng)故障。 DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試?

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所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition兩個選項卡,Pin Mapping跟IBIS 規(guī)范定義的Pin Mapping 一樣,它指定了每個管腳對應(yīng)的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的對應(yīng)關(guān)系;Bus Definition用來定義總線Bus和相關(guān)的時鐘參考信號。對于包 含多個Component的IBIS模型,可以通過右上角Component T拉列表進行選擇。另外,如果 提供芯片每條I/O 口和電源地網(wǎng)絡(luò)的分布參數(shù)模型,則可以勾選Explicit IO Power and Ground Terminals選項,將每條I/O 口和其對應(yīng)的電源地網(wǎng)絡(luò)對應(yīng)起來,以更好地仿真SSN效應(yīng),這 個選項通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。DDR3一致性測試期間是否會影響計算機性能?廣西DDR3測試PCI-E測試

如何確保DDR3一致性測試的可靠性和準確性?廣西DDR3測試PCI-E測試

每個 DDR 芯片獨享 DQS,DM 信號;四片 DDR 芯片共享 RAS#,CAS#,CS#,WE#控制信號。·DDR 工作頻率為 133MHz。·DDR 控制器選用 Xilinx 公司的 FPGA,型號為 XC2VP30_6FF1152C。得到這個設(shè)計需求之后,我們首先要進行器件選型,然后根據(jù)所選的器件,準備相關(guān)的設(shè)計資料。一般來講,對于經(jīng)過選型的器件,為了使用這個器件進行相關(guān)設(shè)計,需要有如下資料。

· 器件數(shù)據(jù)手冊 Datasheet:這個是必須要有的。如果沒有器件手冊,是沒有辦法進行設(shè)計的(一般經(jīng)過選型的器件,設(shè)計工程師一定會有數(shù)據(jù)手冊)。 廣西DDR3測試PCI-E測試

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