IGBT發生短路時,電流上升至4倍額定電流以上,終IGBT是要將這個電流關斷掉的,這時的電流的數值比平常變流器額定工作時的電流高了很多,所以此時產生的電壓尖峰也是非常高的。為了防止電壓尖峰損壞IGBT,還需要引入我們昨天聊過的電路——有源鉗位電路,但并不是所有的驅動電路都需要配備有源鉗位功能,容量比較大的IGBT,就比較有必要配置此電路。對于小功率IGBT模塊,通常采用直接串電阻的方法來檢測器件輸出電流,從而判斷過電流故障,通過電阻檢測時,無延遲;輸出電路簡單;成本低;但檢測電路與主電路不隔離,檢測電阻上有功耗,因此,只適合小功率IGBT模塊。比如:5.5KW以下的變頻器。器件關斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況。igbt和mosfet的區別
回顧功率器件過去幾十年的發展,1950-60年代雙極型器件SCR,GTR,GTO,該時段的產品通態電阻很小;電流控制,控制電路復雜且功耗大;1970年代單極型器件VD-MOSFET。但隨著終端應用的需求,需要一種新功率器件能同時滿足:驅動電路簡單,以降低成本與開關功耗、通態壓降較低,以減小器件自身的功耗。1980年代初,試圖把MOS與BJT技術集成起來的研究,導致了IGBT的發明。開關頻率是指IGBT在一秒鐘內開關次數。而在確定的母線電壓和導通電流下,IGBT每次開關都會產生一定的損耗,開通損耗是Eon,關斷損耗是Eoff,還有二極管反向恢復也有損耗Erec。IGBT的開關頻率越高,開關次數就越多,損耗功率就也高,那乘以散熱器的熱阻后,IGBT的溫升也越高,如果溫度高到超出了IGBT的上限,那IGBT就失效了。
igbt結構IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統來說至關重要。
IGBT是什么。全名叫 -- 絕緣柵雙極性晶體管,是當今社會比較新型也是利用比較的功率電子元器件。它的作用是將整流后的直流電再變成中頻交流電,應用,電磁爐,變頻空調,逆變電焊機等等很多的電源中。絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,因此,可。絕緣柵雙極性晶體管,大功率模塊。在IC處于飽和狀態時,可以降低導通期間從P+基片注入的空穴數量的百分比,把導通損耗定義成功率損耗是可行的,集電極電流引起以下問題,Rg值對功耗的。
IGBT模塊應用范圍十分,不僅是電動汽車及充電樁等設備的技術部件,廣泛應用于智能電網的發電端、輸電端、變電端及用電端,也已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。就新能源車來說,IGBT約占電機驅動系統成本的一半,占整車成本的7-10%,是除電池之外成本第二高的元件,也決定了整車的能源效率。由于IGBT器件處在電力產品的位置,產品在惡劣運行環境與極端工況下,客戶除了對器件的開關性能關注外,還對器件的安全工作區和長期可靠性要求極高。頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率。
IGBT絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為1500V的高壓變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。由于IGBT等功率器件都存在一定的結電容,所以會造成器件導通關斷的延遲現象。雖然我們盡量考慮去降低該影響(提高控制極驅動電壓電流,設置結電容釋放 回路等)。但是為了防止關斷延遲效應造成上下橋臂直通,因為一個橋臂未完全關斷,而另一橋臂又處于導通狀態,直通炸模塊后后果非常嚴重(比較好的結果是過 熱)。IGBT是怎么個意思?IGBT的驅動系統實際上應與MOSFET的相同。igbt驅動板 驅動
絕緣柵雙極型晶體管在大家熟悉的電動汽車上就有大量運用。igbt和mosfet的區別
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體細分為功率器件(分立器件的一支)和功率IC(集成電路的一支)。理想情況下,完美的轉化器在打開的時候沒有任何電壓損失,在開閉轉換的時候沒有任何的功率損耗,因此功率半導體這個領域的產品和技術創新,其目標都是為了提高能量轉化效率。功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其中,IGBT是功率半導體新一代中的典型產品。igbt和mosfet的區別
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