立式爐主要適用于6"、8"、12"晶圓的氧化、合金、退火等工藝。氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE），在硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜的一種工藝。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質層和柵氧化層等。退火是在中低溫條件下，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量的一種工藝。立式爐通過電加熱器或其他加熱元件對爐膛內的物料進行加熱。由于爐膛管道垂直放置，熱量在爐膛內上升過程中能夠得到更均勻的分布，有助于提高加熱效率和溫度均勻性?。立式爐的維護包括定期檢查加熱元件和清理爐膛殘留物。宣城立式爐氧化爐

立式爐在半導體行業，用于硅片的氧化、退火、合金等工藝，制造二氧化硅薄膜、優化硅片界面質量、降低接觸電阻等。在科研領域：常用于材料性質研究、新材料的制備、樣品處理等實驗室研究工作。金屬加工行業：可用于金屬材料的淬火、回火、退火等熱處理工藝，改善金屬材料的機械性能、硬度、強度等，還可用于金屬零件的焊接。陶瓷行業：適用于陶瓷材料的燒結工藝，確保陶瓷制品的致密度、硬度和強度。 玻璃行業：可用于玻璃的熱彎曲、玻璃的熔融、玻璃器皿的制造等。新能源領域：在鋰電正負極材料的制備和熱處理工藝中發揮作用，提高鋰電材料的性能和穩定性。南京立式爐合金爐陶瓷燒制選立式爐，成就精美陶瓷制品。

為確保立式爐長期穩定運行，定期的維護保養至關重要。日常維護包括檢查爐體外觀，查看是否有變形、裂縫等異常情況；檢查燃燒器的噴嘴和點火裝置，確保無堵塞和損壞。每周需對爐管進行無損檢測，查看是否有腐蝕、磨損等問題；檢查隔熱材料的完整性，如有損壞及時更換。每月要對控制系統進行校準和調試，保證溫度、壓力等參數的準確顯示和控制。每季度對風機、泵等輔助設備進行維護保養，更換潤滑油和易損件。每年進行一次整體的檢修，包括對爐體結構、燃燒系統、電氣系統等進行深度檢查和維護，確保設備處于良好運行狀態。

半導體立式爐是一種用于半導體制造的關鍵設備，應用于氧化、退火等工藝。這種設備溫度控制精確：支持從低溫到中高溫的溫度范圍，確保工藝的穩定性和一致性。 高效處理能力：可處理多張晶片，適合小批量生產和研發需求。 靈活配置：可選配多種功能模塊，如強制冷卻系統、舟皿旋轉機構等，滿足不同工藝需求。高質量工藝：采用LGO加熱器，確保溫度均勻性和再現性，適合高精度半導體制造。半導體立式爐在處理GaAs等材料時表現出色，尤其在VCSEL氧化工序中具有重要地位。化工行業應用立式爐，滿足多樣工藝需求。

為確保立式爐長期穩定運行，定期的維護保養至關重要。首先，要對燃燒器進行定期檢查和清潔，確保燃料噴嘴無堵塞，空氣供應通道暢通，保證燃燒器的正常工作和燃燒效率。其次，檢查爐管的腐蝕和磨損情況，對于出現輕微腐蝕或磨損的部位，及時進行修復或更換，防止爐管破裂泄漏。還要定期檢查隔熱材料的完整性，如有損壞及時更換，以減少熱量散失。此外，對自動化控制系統進行維護，確保溫度傳感器、控制器等設備的準確性和可靠性，定期校準和調試，保證溫度控制的精確性。做好立式爐的維護保養工作，能夠延長設備使用壽命，降低維修成本，提高生產效率。立式爐的溫控系統精度高，可實現±1℃的溫度控制。蕪湖立式爐化學氣相沉積

立式爐的模塊化設計，便于安裝與維護。宣城立式爐氧化爐

立式氧化爐：主要用于在中高溫下，使通入的特定氣體（如 O?、H?、DCE 等）與硅片表面發生氧化反應，生成二氧化硅薄膜，應用于 28nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等領域。立式退火爐：在中低溫條件下，通入惰性氣體（如 N?），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷，優化硅片界面質量，適用于 8nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等。立式合金爐：在低溫條件下，通入惰性或還原性氣體（如 N?、H?），降低硅片表面接觸電阻，增強附著力，用于 28nm 及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等。宣城立式爐氧化爐