江蘇優普納科技有限公司：碳化硅減薄砂輪已獲ISO9001質量管理體系認證，并擁有強度高的陶瓷結合劑、多孔顯微調控技術等12項核心專利。第三方的檢測數據顯示，其砂輪磨削效率、壽命等指標均符合SEMI國際半導體設備與材料協會標準。在國產替代浪潮下，優普納以技術硬實力打破“卡脖子”困局，成為第三代半導體產業鏈的關鍵支撐者。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。第三代半導體減磨砂輪合作

優普納砂輪以國產價格提供進口品質，單次加工成本降低40%。例如，進口砂輪精磨8吋SiC晶圓磨耗比通常超過250%，而優普納產品只需200%，且Ra≤3nm的精度完全滿足5G、新能源汽車芯片制造需求。客戶反饋顯示，國產替代后設備停機更換頻率減少50%，年維護成本節省超百萬元。針對不同設備（如DISCO-DFG8640、東京精密HRG200X），優普納提供基體優化設計砂輪，增強冷卻液流動性，減少振動。支持定制2000#至30000#磨料粒度，適配粗磨、半精磨、精磨全工藝。案例中，6吋SiC晶圓使用30000#砂輪精磨后TTV≤2μm，表面質量達國際先進水平。GaN砂輪從粗磨到精磨，優普納砂輪在不同加工階段均能保持優越的性能，確保加工后的晶圓表面質量達到行業更高水平。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。

隨著半導體行業的快速發展，超薄晶圓的需求持續增長。這對襯底粗磨減薄砂輪提出了更高的挑戰。江蘇優普納科技有限公司緊跟行業發展趨勢，致力于研發更先進的砂輪技術和制造工藝。我們通過與高校、科研機構的合作，不斷探索新的磨料、結合劑和制備技術，以提高砂輪的磨削效率和加工質量。同時，我們還注重環保型砂輪的研發和推廣，積極響應國家對于綠色制造的號召。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。優普納砂輪的低磨耗比優勢，不僅降低客戶成本，還保證加工后的晶圓表面質量，是高性價比的國產化替代方案。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其專研的**高性能陶瓷結合劑**和**“Dmix+”制程工藝**，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。優普納的碳化硅晶圓減薄砂輪，以高性能和高可靠性，逐步替代進口產品，助力國內半導體產業供應鏈的安全。氮化鎵砂輪材料

在6吋SiC線割片的精磨加工中，優普納砂輪于DISCO-DFG8640減薄機上實現磨耗比100%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。第三代半導體減磨砂輪合作

在第三代半導體材料加工領域，江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪憑借其高精度加工能力脫穎而出。采用專研的強度高微晶增韌陶瓷結合劑，砂輪在磨削過程中展現出優越的穩定性，能夠有效減少振動，確保加工后的晶圓表面粗糙度極低。無論是6吋還是8吋的SiC線割片，使用優普納砂輪加工后，表面粗糙度Ra值均能達到納米級別，總厚度變化TTV控制在微米級別以內。這種高精度的加工能力，不只滿足了半導體制造的需求，也為優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場奠定了堅實的基礎，助力其品牌形象進一步鞏固。第三代半導體減磨砂輪合作