定義與特性
正性光刻膠是一種在曝光后,曝光區(qū)域會溶解于顯影液的光敏材料,形成與掩膜版(Mask)圖案一致的圖形。與負性光刻膠(未曝光區(qū)域溶解)相比,其優(yōu)勢是分辨率高、圖案邊緣清晰,是半導體制造(尤其是制程)的主流選擇。
化學組成與工作原理
主要成分
? 樹脂(成膜劑):
? 傳統(tǒng)正性膠:采用**酚醛樹脂(Novolak)與重氮萘醌(DNQ,光敏劑)**的復合體系(PAC體系),占比約80%-90%。
? 化學增幅型(用于DUV/EUV):含環(huán)化烯烴樹脂或含氟聚合物,搭配光酸發(fā)生器(PAG),通過酸催化反應提高感光度和分辨率。
? 溶劑:溶解樹脂和感光劑,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加劑:表面活性劑(改善涂布均勻性)、穩(wěn)定劑(防止暗反應)、堿溶解度調(diào)節(jié)劑等。
工作原理
? 曝光前:光敏劑(如DNQ)與樹脂結(jié)合,形成不溶于堿性顯影液的復合物。
? 曝光時:
? 傳統(tǒng)PAC體系:DNQ在紫外光(G線436nm、I線365nm)照射下發(fā)生光分解,生成羧酸,使曝光區(qū)域樹脂在堿性顯影液中溶解性增強。
? 化學增幅型:PAG在DUV/EUV光下產(chǎn)生活性酸,催化樹脂發(fā)生脫保護反應,大幅提高顯影速率(靈敏度提升10倍以上)。
? 顯影后:曝光區(qū)域溶解去除,未曝光區(qū)域保留,形成正性圖案。
耐高溫光刻膠 JT-2000,250℃環(huán)境穩(wěn)定運行,圖形保真度超 95%,用于納米結(jié)構(gòu)制造!浙江水性光刻膠廠家
廣東吉田半導體材料有限公司憑借技術創(chuàng)新與質(zhì)量優(yōu)勢,在半導體材料行業(yè)占據(jù)重要地位。公司聚焦光刻膠、電子膠、錫膏等產(chǎn)品,其中納米壓印光刻膠可耐受 250℃高溫及強酸強堿環(huán)境,適用于高精度納米結(jié)構(gòu)制造;LCD 光刻膠以高穩(wěn)定性和精細度成為顯示面板行業(yè)的推薦材料。此外,公司還提供焊片、靶材等配套材料,滿足客戶多元化需求。
在技術層面,吉田半導體通過自主研發(fā)與國際合作結(jié)合,持續(xù)優(yōu)化生產(chǎn)工藝,實現(xiàn)全流程自動化控制。其生產(chǎn)基地配備先進設備,并嚴格執(zhí)行國際標準,確保產(chǎn)品性能達到國際水平。同時,公司注重人才培養(yǎng)與引進,匯聚化工、材料學等領域的專業(yè)團隊,為技術創(chuàng)新提供堅實支撐。未來,吉田半導體將繼續(xù)以 “中國前列半導體材料方案提供商” 為愿景,推動行業(yè)技術升級與國產(chǎn)化進程。
河北水性光刻膠品牌光刻膠是有什么東西?
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全品類覆蓋
吉田半導體產(chǎn)品線涵蓋正性 / 負性光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、厚膜光刻膠及水性光刻膠等,覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等多領域需求,技術布局全面性于多數(shù)國內(nèi)廠商。
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關鍵技術突破
納米壓印技術:JT-2000 納米壓印光刻膠耐高溫達 250℃,支持納米級精度圖案復制,適用于第三代半導體(GaN/SiC)及 Mini LED 等新興領域,技術指標接近國際先進水平。
水性環(huán)保配方:JT-1200 水性感光膠以水為溶劑替代傳統(tǒng)有機溶劑,低 VOC 排放,符合 RoHS 和 REACH 標準,環(huán)保性能優(yōu)于同類產(chǎn)品。
厚膜工藝能力:JT-3001 厚板光刻膠膜厚可控(達數(shù)十微米),滿足高密度像素陣列及 MEMS 器件的制造需求。
市場與客戶優(yōu)勢:全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網(wǎng)絡
產(chǎn)品遠銷全球,與三星、LG、京東方等世界500強企業(yè)建立長期合作,在東南亞、北美市場市占率超15%。
區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,與華為、OPPO等本土企業(yè)合作,在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。
產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢:原材料與設備協(xié)同
主要原材料自主化
公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂、光引發(fā)劑,降低對進口依賴,成本較國際競品低20%。
設備與工藝協(xié)同
與國內(nèi)涂膠顯影設備廠商合作,開發(fā)適配國產(chǎn)設備的光刻膠配方,提升工藝兼容性。
LCD 光刻膠供應商哪家好?吉田半導體高分辨率+低 VOC 配方!
技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢
更高分辨率需求:
? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度(LER)”問題(目標<5nm),通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制:
? 半導體級正性膠要求金屬離子含量<1ppb,顆粒(>50nm)<1個/mL,需優(yōu)化提純工藝(如多級過濾+真空蒸餾)。
國產(chǎn)化突破:
? 國內(nèi)企業(yè)(如上海新陽、南大光電、容大感光)已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨,但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷,需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環(huán)保與節(jié)能:
? 開發(fā)水基顯影正性膠(減少有機溶劑使用),或低烘烤溫度膠(降低半導體制造能耗)。
典型產(chǎn)品示例
? 傳統(tǒng)正性膠:Shipley S1813(G/I線,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩陣)。
? DUV正性膠:信越化學的ArF膠(用于14nm FinFET制程)、中芯國際認證的國產(chǎn)KrF膠(28nm節(jié)點)。
? EUV正性膠:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料,其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破,未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
吉田公司以無鹵無鉛配方與低 VOC 工藝打造光刻膠。青海網(wǎng)版光刻膠品牌
正性光刻膠生產(chǎn)原料。浙江水性光刻膠廠家
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正性光刻膠(如 YK-300)
應用場景:用于芯片的精細圖案化,如集成電路(IC)、分立器件(二極管、三極管)的制造。
特點:高分辨率(可達亞微米級),適用于多層光刻工藝,確保芯片電路的高精度與可靠性。
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負性光刻膠(如 JT-1000)
應用場景:用于功率半導體(如 MOSFET、IGBT)的制造,以及傳感器(如 MEMS)的微結(jié)構(gòu)成型。
特點:抗蝕刻能力強,適合復雜圖形的轉(zhuǎn)移,尤其在深寬比要求較高的工藝中表現(xiàn)優(yōu)異。
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納米壓印光刻膠(JT-2000)
應用場景:第三代半導體(GaN、SiC)芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點:耐高溫(250℃)、耐酸堿,支持納米級精度圖案復制,降低芯片的制造成本。
浙江水性光刻膠廠家