吉田半導體 JT-3001 厚板光刻膠：歐盟 RoHS 認證，PCB 電路板制造

1. 正性光刻膠（如 YK-300）
   應用場景：用于芯片的精細圖案化，如集成電路（IC）、分立器件（二極管、三極管）的制造。
   特點：高分辨率（可達亞微米級），適用于多層光刻工藝，確保芯片電路的高精度與可靠性。
2. 負性光刻膠（如 JT-1000）
   應用場景：用于功率半導體（如 MOSFET、IGBT）的制造，以及傳感器（如 MEMS）的微結構成型。
   特點：抗蝕刻能力強，適合復雜圖形的轉移，尤其在深寬比要求較高的工藝中表現優異。
3. 納米壓印光刻膠（JT-2000）
   應用場景：第三代半導體（GaN、SiC）芯片、量子點器件及微流控芯片的制造。特點：耐高溫（250℃）、耐酸堿，支持納米級精度圖案復制，降低芯片的制造成本。

正性光刻膠

• 半導體分立器件制造：對于二極管、三極管等半導體分立器件，正性光刻膠可實現精細的圖形化加工，滿足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件時，正性光刻膠憑借其高分辨率和良好對比度，能精確刻畫器件的結構，提高器件性能。
• 微機電系統（MEMS）制造：MEMS 器件如加速度計、陀螺儀等，結構復雜且尺寸微小。正性光刻膠用于 MEMS 制造過程中的光刻步驟，可在硅片等材料上制作出高精度的微結構，確保 MEMS 器件的功能實現。

負性光刻膠生產原料。

耐高溫光刻膠 JT-2000，250℃環境穩定運行，圖形保真度超 95%，用于納米結構制造！珠海水油光刻膠價格

吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業生產效率，通過優化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。
針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本，推動行業生產效率提升。珠海水油光刻膠價格