南京正性光刻膠感光膠
來源：
發布時間：2025-06-20
晶圓制造（前道工藝）
? 功能：在硅片表面形成高精度電路圖形，是光刻工藝的主要材料。
? 細分場景：
? 邏輯/存儲芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻膠（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先進制程的ArF浸沒式光刻膠（分辨率≤45nm），以及極紫外（EUV）光刻膠（目標7nm以下，研發中）。
? 功率半導體（如IGBT）：使用厚膜光刻膠（膜厚5-50μm），滿足深溝槽刻蝕需求。
? MEMS傳感器：通過高深寬比光刻膠（如SU-8）實現微米級結構（如加速度計、陀螺儀的懸臂梁）。
芯片封裝（后道工藝）
? 先進封裝技術：
? Flip Chip（倒裝芯片）：用光刻膠形成凸點（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），線寬精度要求≤10μm。
? 2.5D/3D封裝：在硅通孔（TSV）工藝中，光刻膠用于定義通孔開口（直徑5-50μm）。
技術優勢：23年研發沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發中實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，實現了3μm的分辨率，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘：公司擁有23年光刻膠研發經驗，掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠：在納米級圖案化領域（如量子點顯示、生物芯片）實現技術突破，分辨率達3μm，填補國內空缺。
? LCD光刻膠：針對顯示面板行業需求，開發出高感光度、高對比度的光刻膠，適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業認證，與新材料領域同伴們合作開發半導體光刻膠，計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發。
無錫光刻膠報價半導體材料選吉田，歐盟認證，支持定制化解決方案!
作為東莞松山湖的企業，吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年，成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達 98% 以上，已通過中芯國際等晶圓廠驗證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復雜環境下仍保持圖形穩定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝，產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準，遠銷全球并與跨國企業建立長期合作，加速國產替代進程。吉田半導體強化研發，布局下一代光刻技術。廈門光刻膠供應商
吉田半導體實現光刻膠技術突破，為半導體產業鏈自主化提供材料支撐。南京正性光刻膠感光膠
研發投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發費用約2億元，而國際巨頭年研發投入超10億美元。國內企業如彤程新材2024年半導體光刻膠業務營收只5.4億元，研發投入占比不足15%，難以支撐長期技術攻關。
2. 價格競爭的“雙重擠壓”
國內PCB光刻膠價格較國際低30%，但半導體光刻膠因性能差距，價格為進口產品的70%，而成本卻高出20%。例如，國產ArF光刻膠售價約150萬元/噸，而日本同類產品為120萬元/噸，且性能更優。
突破路徑與未來展望
原材料國產化攻堅：聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關鍵環節，推動八億時空、怡達股份等企業實現百噸級量產。
技術路線創新：探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向，華中科技大學團隊已實現5nm線寬原型驗證。
產業鏈協同創新：借鑒“TSMC-供應商”模式，推動晶圓廠與光刻膠企業共建聯合實驗室，縮短認證周期。
政策與資本雙輪驅動：依托國家大基金三期，對通過驗證的企業給予設備采購補貼（30%），并設立專項基金支持EUV光刻膠研發。
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