微納測試與表征技術是微納加工技術的基礎與前提，它包括在微納器件的設計、制造和系統集成過程中，對各種參量進行微米/納米檢測的技術。微米測量主要服務于精密制造和微加工技術，目標是獲得微米級測量精度，或表征微結構的幾何、機械及力學特性；納米測量則主要服務于材料工程和納米科學，特別是納米材料，目標是獲得材料的結構、地貌和成分的信息。在半導體領域人們所關心的與尺寸測量有關的參數主要包括：特征尺寸或線寬、重合度、薄膜的厚度和表面的糙度等等。未來，微納測試與表征技術正朝著從二維到三維、從表面到內部、從靜態到動態、從單參量到多參量耦合、從封裝前到封裝后的方向發展。探索新的測量原理、測試方法和表征技術，發展微納加工及制造實時在線測試方法和微納器件質量快速檢測系統已成為了微納測試與表征的主要發展趨勢。 應用于MEMS制作的襯底可以說是各種各樣的，如硅晶圓、玻璃晶圓、塑料、還其他的材料。安徽微納加工設備

    高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作，這類光刻技術，像“寫字”一樣，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低，尤其在大面積制作方面捉襟見肘，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來，三維浮雕微納結構的需求越來越大，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡、多臺階微光學元件等。據悉，蘋果公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統也用到了復雜的微光學元件。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節，可以實現良好的灰度光刻能力。 潮州激光微納加工未來幾年微納制造系統和平臺的發展前景包括的方面：智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統。

微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發生反應生成SiO2，后續O2通過SiO2層擴散到Si/SiO2界面，繼續與Si發生反應增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結構層，提高MEMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比，提高刻蝕加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統的爐管設備來制作，成本低，產量大，一次作業100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內。

    微納加工：干法刻蝕VS濕法刻蝕！刻蝕工藝：用化學或物理方法有選擇性地從某一材料表面去除不需要那部分的過程，獲得目標圖形。在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應，形成揮發性物質，或直接轟擊薄膜表面使之被刻蝕的工藝。特點：能實現各向異性刻蝕，從而保證細小圖形轉移后的保真性。缺點：造價高。濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的化學反應將被刻蝕物質剝離下來的方法。大多數濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。特點：適應性強，表面均勻性好、對硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。缺點：圖形刻蝕保真想過不理想，刻蝕圖形的小線難以掌控。 在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。

電子束光刻技術是利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復印圖形的技術.電子抗蝕劑是一種對電子敏感的高分子聚合物，經過電子束掃描過的電子抗蝕劑發生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發生化學性質改變。經過顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形。電子束光刻技術的主要工藝過程為涂膠、前烘、電子束曝光、顯影和堅膜。現代的電子束光刻設備已經能夠制作小于10nm的精細線條結構。電子束光刻設備也是制作光學掩膜版的重要工具。影響曝光精度的內部工藝因素主要取決于電子束斑尺寸、掃描步長、電子束流劑量和電子散射引起的鄰近效應。通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件。石墨烯微納加工價目

提高微納加工技術的加工能力和效率是未來微納結構及器件研究的重點方向。安徽微納加工設備

隨著微電子、微機械、微光學、介入醫學等領域的發展，微型零件的需求量不斷增加。微注射成形作為一種微成型工藝，具有制品材料、幾何形狀和尺寸適應性好、成本低、效率高，以及可連續化、自動化生產等一系列優點，因此越來越受到人們的重視，成為當前研究的熱門課題。1985年，世界上第1臺專門用于加工微型塑件的注射裝置Micromelt在德國問世，其它國家緊隨其后，先后開發出了各種不同類型的微注塑成型機，這為發展微注塑成型技術以及實際生產微小塑件都提供了強有力的支持和較有效的保證，微注塑成型技術進入了發展的黃金時期。安徽微納加工設備