半導體行業技術高、進步快，一代產品需要一代工藝，而一代工藝需要一代設備。半導體工藝設備為半導體大規模制造提供制造基礎。很多半導體器件，如光碟機(CD、VCD和DVD)和光纖通信中用的半導體激光器，雷達或衛星通信設備中的微波集成電路，甚至許多普通的微電子集成電路，都有相當部分的制作工序是在真空容器中進行的。真空程度越高，制作出來的半導體器件的性能也就越好。現在，很多高性能的半導體器件都是在超高真空環境中制作出來的。廣東省科學院半導體研究所。將多晶硅和摻雜劑放入單晶爐內的石英坩堝中，將溫度升高至1420℃以上，得到熔融狀態的多晶硅。上海醫療器械半導體器件加工步驟

表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據需要事先在薄膜下面已確定的區域中生長分離層。這些都需要制膜工藝來完成。制膜的方法有很多，如蒸鍍、濺射等物理的氣相淀積法（PVD）、化學氣相淀積法（CVD）以及外延和氧化等。其中CVD是微電子加工技術中較常用的薄膜制作技術之一，它是在受控氣相條件下，通過氣體在加熱基板上反應或分解使其生成物淀積到基板上形成薄膜。CVD技術可以分為常壓（APCVD）、低壓（LPCVD）、等離子體增強（PECVD）等不同技術。采用CVD所能制作的膜有多晶硅、單晶硅、非晶硅等半導體薄膜，氧化硅、氮化硅等絕緣體介質膜，以及高分子膜和金屬膜等。由于在表面硅MEMS加工技術中較常用到的是多晶硅、氧化硅、氮化硅薄膜，而它們通常采用LPCVD或PECVD來制作。北京半導體器件加工設計刻蝕技術不只是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路和其他微細圖形的加工。

光刻是集成電路制造中利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術；使用波長已從4000埃擴展到0.1埃數量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。光刻也是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔，以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。

半導體器件生產工藝說明：①鑄錠：首先需要加熱砂以分離一氧化碳和硅，重復該過程，直到獲得超高純電子級硅（EG-Si）。高純度硅熔化成液體，然后凝固成單晶固體形式，稱為“錠”，這是半導體制造的第一步。硅錠（硅柱）的制造精度非常高，達到納米級。②鑄錠切割：上一步完成后，需要用金剛石鋸將錠的兩端切掉，然后切成一定厚度的片。錠片的直徑決定了晶片的尺寸。更大更薄的晶圓可以分成更多的單元，這有助于降低生產成本。切割硅錠后，需要在切片上加上“平坦區域”或“縮進”標記，以便在后續步驟中以此為標準來設定加工方向。在MOS場效應管的制作工藝中，多晶硅是作為電極材料（柵極）用的，用多晶硅構成電阻的結構。

刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟，是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，其基本目標是在涂膠的硅片上正確地復制掩模圖形。隨著微制造工藝的發展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。上海醫療器械半導體器件加工步驟

干法刻蝕優點是：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全。上海醫療器械半導體器件加工步驟

光刻過程：首先，通過金屬化過程，在硅襯底上布置一層只數納米厚的金屬層。然后在這層金屬上覆上一層光刻膠。這層光阻劑在曝光（一般是紫外線）后可以被特定溶液（顯影液）溶解。使特定的光波穿過光掩膜照射在光刻膠上，可以對光刻膠進行選擇性照射（曝光）。然后使用前面提到的顯影液，溶解掉被照射的區域，這樣，光掩模上的圖形就呈現在光刻膠上。通常還將通過烘干措施，改善剩余部分光刻膠的一些性質。上述步驟完成后，就可以對襯底進行選擇性的刻蝕或離子注入過程，未被溶解的光刻膠將保護襯底在這些過程中不被改變。刻蝕或離子注入完成后，將進行光刻的較后一步，即將光刻膠去除，以方便進行半導體器件制造的其他步驟。通常，半導體器件制造整個過程中，會進行很多次光刻流程。生產復雜集成電路的工藝過程中可能需要進行多達50步光刻，而生產薄膜所需的光刻次數會少一些。上海醫療器械半導體器件加工步驟

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