特殊濺射沉積技術：反應濺射參數與生成物性能的關系：在純Ar狀態下濺射沉積的時純鋁膜，當氮氣被引入真空室后，靶面發生變化，隨氮氣的量不斷上升，填充因子下降，膜內AlN含量上升，膜的介質性提高，方塊電阻增加，當氮氣達到某一值時，沉積膜就是純的AlN。同時電流不變的條件下，電壓下降，沉積速率降低。根據膜的導電性的高低可定性的將反應濺射過程分為兩種模式--金屬模式和化合物模式，介乎兩者之間是過渡區。一般認為膜的方塊電阻在1000之下是金屬模式，大于幾M為化合物模式。由于反應氣體量的增加，靶面上會形成一層化合物，薄膜成分變化的同時沉積速率下降當氣體量按原來增加量減少時，放電曲線及沉積速率都出現滯后現象。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。廣州反應磁控濺射分類

真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應沉積鍍膜，實際上，真空磁控濺射鍍膜這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外，該工藝也特別適合用于多層膜結構的沉積，包括了光學設計、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、超晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年，已經有了高質量的光學薄膜沉積案例，開發了多種光學膜層材料。這些材料包括有透明導電材料、半導體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等，至于氟化物則多是用在蒸發鍍膜等工藝當中。廣州反應磁控濺射分類PVD鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。

磁控濺射包括很多種類，各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氬氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。磁控反應濺射絕緣體看似容易，而實際操作困難。主要問題是反應不光發生在零件表面，也發生在陽極，真空腔體表面以及靶源表面，從而引起滅火，靶源和工件表面起弧等。國外發明的孿生靶源技術，很好的解決了這個問題。其原理是一對靶源互相為陰陽極，從而消除陽極表面氧化或氮化。

磁控濺射的基本原理就是以磁場改變電子運動方向，束縛和延長運動路徑，提高電子的電離概率和有效地利用了電子的能量。因此在形成高密度等離子體的異常輝光放電中，正離子對靶材轟擊所引起的靶材濺射更加有效，同時受正交電磁場的束縛的電子只能在其能量將要耗盡時才能沉積在基片上，這就是磁控濺射具有低溫高速兩大特點的機理。磁控濺射的特點是成膜速率高，基片溫度低，膜的粘附性好，可實現大面積鍍膜。該技術可以分為直流磁控濺射法和射頻磁控濺射法。使用鉆頭的人射頻磁控濺射過程的第一步是將基片材料置于真空中真空室。

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、基片溫度低：可利用陽極導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。磁控濺射的優點：膜的牢固性好。廣州反應磁控濺射分類

磁控濺射是由二極濺射基礎上發展而來。廣州反應磁控濺射分類

磁控直流濺射法要求靶材能夠將從離子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導體材料，不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時，表面的離子電荷無法中和，這將導致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機會將變小，甚至不能電離，導致不能連續放電甚至放電停止，濺射停止。故對于絕緣靶材或導電性很差的非金屬靶材，須用射頻濺射法（RF）。濺射過程中涉及到復雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發生彈性碰撞，入射粒子的一部分動能會傳給靶材原子；某些靶材原子的動能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢壘（對于金屬是5-10eV），從而從晶格點陣中被碰撞出來，產生離位原子；這些離位原子進一步和附近的原子依次反復碰撞，產生碰撞級聯；當這種碰撞級聯到達靶材表面時，如果靠近靶材表面的原子的動能大于表面結合能（對于金屬是1-6eV），這些原子就會從靶材表面脫離從而進入真空。廣州反應磁控濺射分類

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