磁控濺射技術不只是科學研究和精密電子制造中常用的薄膜制備工藝技術，經過多年的不斷完善和發展，該技術也已經成為重要的工業化大面積真空鍍膜技術之一，普遍應用于玻璃、汽車、醫療衛生、電子工業等工業和民生領域。例如，采用磁控濺射工藝生產鍍膜玻璃，其膜層可以由多層金屬或金屬氧化物祖成，允許任意調節能量通過率、反射率，具有良好的美觀效果，被越來越多的被應用于現代建筑領域。再比如，磁控濺射技術也能夠應用于織物涂層，這些織物涂層可以應用于安全領域，如防電擊、電磁屏蔽和機器人防護面料等，也可用于染料制作。這樣的涂層織物在醫療衛生、環境保護、電子工業等領域都有重要的應用。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設備。山西直流磁控濺射流程

脈沖磁控濺射的工作原理：脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產生進而消除由此產生的薄膜缺陷，同時可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優點，是濺射絕緣材料沉積的優先選擇工藝過程。在一個周期內存在正電壓和負電壓兩個階段，在負電壓段，電源工作于靶材的濺射，正電壓段，引入電子中和靶面累積的正電荷，并使表面清潔，裸露出金屬表面。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同!為400~500V,電源頻率在10~350KHz，在保證穩定放電的前提下，應盡可能取較低的頻率#由于等離子體中的電子相對離子具有更高的能動性，因此正電壓值只需要是負電壓的10%~20%，就可以有效中和靶表面累積的正電荷。占空比的選擇在保證濺射時靶表面累積的電荷能在正電壓階段被完全中和的前提下，盡可能提高占空，以實現電源的較大效率。浙江單靶磁控濺射過程有些鍍膜要用到射頻電源，如功率大，需做好屏蔽處理。

真空磁控濺射鍍膜技術的特點：1、基片溫度低：可利用陽極導走放電時產生的電子，而不必借助基材支架接地來完成，可以有效減少電子轟擊基材，因而基材的溫度較低，非常適合一些不太耐高溫的塑料基材鍍膜。2、磁控濺射靶表面不均勻刻蝕：磁控濺射靶表面刻蝕不均是由靶磁場不均所導致，靶的局部位置刻蝕速率較大，使靶材有效利用率較低。因此，想要提高靶材利用率，需要通過一定手段將磁場分布改變，或者利用磁鐵在陰極中移動，也可提高靶材利用率。

磁控濺射靶材的分類：根據材料的成分不同，靶材可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。其中無機非金屬靶材又可分為氧化物、硅化物、氮化物和氟化物等不同種類靶材。根據幾何形狀的不同，靶材可分為長（正）方體形靶材、圓柱體靶材和不規則形狀靶材；此外，靶材還可以分為實心和空心兩種類型靶材。目前靶材較常用的分類方法是根據靶材應用領域進行劃分，主要包括半導體領域應用靶材、記錄介質應用靶材、顯示薄膜應用靶材、光學靶材、超導靶材等。其中半導體領域用靶材、記錄介質用靶材和顯示靶材是市場需求規模較大的三類靶材。直流濺射方法用于被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中，其工藝設備簡單，有較高的濺射速率。

反應磁控濺射：以金屬、合金、低價金屬化合物或半導體材料作為靶陰極，在濺射過程中或在基片表面沉積成膜過程中與氣體粒子反應生成化合物薄膜，這就是反應磁控濺射。反應磁控濺射普遍應用于化合物薄膜的大批量生產，這是因為：(1)反應磁控濺射所用的靶材料和反應氣體純度很高，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。(2)通過調節反應磁控濺射中的工藝參數,可以制備化學配比或非化學配比的化合物薄膜，通過調節薄膜的組成來調控薄膜特性。(3)反應磁控濺射沉積過程中基板升溫較小，而且制膜過程中通常也不要求對基板進行高溫加熱，因此對基板材料的限制較少。在各種濺射鍍膜技術中，磁控濺射技術是較重要的技術之一。廣州多層磁控濺射用處

濺射的金屬膜通常能獲得良好的光學性能、電學性能及某些特殊性能。山西直流磁控濺射流程

磁控濺射技術是一門起源較早，但至今仍能夠發揮很大作用的技術。它的優越性不只體現在鍍膜方面，更滲透到各個行業領域。時至如今，我國的濺射技術水平較之以前有了很大的突破。隨著時代進步和現代工業化生產需求，社會對磁控濺射工藝的要求也越來越高，這就需要廣大科研人員不斷深入探究，對這項技術進行進一步研究和改良，增強其精度和功能，滿足日益增長的現代工業需求，更好的為社會發展和科學進步貢獻力量。廣東省科學院半導體研究所。山西直流磁控濺射流程

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