工藝所用化學物質取決于要刻蝕的薄膜類型。介電刻蝕應用中通常使用含氟的化學物質。硅和金屬刻蝕使用含氯成分的化學物質。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執行特定的刻蝕步驟。當需要處理多層薄膜時，以及刻蝕中必須精確停在某個特定薄膜層而不對其造成損傷時，刻蝕工藝的選擇比就變得非常重要。選擇比是兩個刻蝕速率的比率：被去除層的刻蝕速率與被保護層的刻蝕速率（例如刻蝕掩膜或終止層）。掩模或停止層）通常都希望有更高的選擇比。硅材料刻蝕廠商有圖形刻蝕可用來在硅片上制作多種不同的特征圖形，包括柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。半導體材料刻蝕加工廠等離子體刻蝕機要求相同的元素：化學刻蝕劑和能量源。中山氧化硅材料刻蝕

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快很多，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當的深度時停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。刻蝕較簡單較常用分類是：干法刻蝕和濕法刻蝕。Si材料刻蝕硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。

ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點較具競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式光刻技術一般也具有相當大的優勢。浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有：如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以及有效數值孔徑NA值的拓展等問題。針對這些難題挑戰，國內外學者以及公司已經做了相關研究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。

在等離子蝕刻工藝中，發生著許多的物理現象。當在腔體中使用電極或微波產生一個強電場的時候,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內部能量(由于宇宙射線的原因,在任何環境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發生電離現象,并且產生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發電離現象則無法產生穩定且能發生反應的中性物當足夠的能量提供給系統,一個穩定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應中性物通過物理和化學方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強電場來加速正原子離子（通常使用重量較重,惰性的氬原子）朝向襯底，加速過程將能量傳遞給了離子,當它們撞擊到襯底表面時,內部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統抽走。溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過高工藝方面波動較大，要通過設備自帶溫控器和點檢確認。

反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。硅片處于陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直于硅片表面的電場加速，垂直入射到硅片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地阻止了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中比較有發展前景的一種刻蝕方法。硅材料刻蝕廠商有圖形刻蝕可以用來在硅片上制作多種不同的特征圖形。河南半導體材料刻蝕外協

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。中山氧化硅材料刻蝕

選擇比指的是在同一刻蝕條件下一種材料與另一種材料相比刻蝕速率快多少，它定義為被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。基本內容：高選擇比意味著只刻除想要刻去的那一層材料。一個高選擇比的刻蝕工藝不刻蝕下面一層材料（刻蝕到恰當的深度時停止）并且保護的光刻膠也未被刻蝕。圖形幾何尺寸的縮小要求減薄光刻膠厚度。高選擇比在較先進的工藝中為了確保關鍵尺寸和剖面控制是必需的。特別是關鍵尺寸越小，選擇比要求越高。廣東省科學院半導體研究所。中山氧化硅材料刻蝕

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