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四川專業磁控濺射設備

來源: 發布時間:2023-09-18

高能脈沖磁控濺射技術是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術。電源與等離子體淹沒離子注入沉積方法相結合,形成一種新穎的成膜過程與質量調控技術,是可應用于大型矩形靶的離化率可控磁控濺射新技術,填補了國內在該方向的研究空白。將高能沖擊磁控濺射與高壓脈沖偏壓技術復合,利用其高離化率和淹沒性的特點,通過成膜過程中入射粒子能量與分布的有效操控,實現高膜基結合力、高質量、高均勻性薄膜的制備。同時結合全新的粒子能量與成膜過程反饋控制系統,開展高離化率等離子體發生、等離子體的時空演變及荷能粒子成膜物理過程控制等方面的研究與工程應用。其中心技術具有自主知識產權,已申請相關發明專利兩項。該項技術對實現PVD沉積關鍵瓶頸問題的突破具有重大意義,有助于提升我國在表面工程加工領域的國際競爭力。如在交通領域,該技術用于汽車發動機三部件,可降低摩擦25%,減少油耗3%;機械加工領域,沉積先進鍍層可使刀具壽命提高2~10倍,加工速度提高30-70%。磁控濺射靶材根據材料的成分不同,可分為金屬靶材、合金靶材、無機非金屬靶材等。四川專業磁控濺射設備

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磁控濺射是以磁場束縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。電子的歸宿不只是基片,真空室內壁及靶源陽極也是電子歸宿。但一般基片與真空室及陽極在同一電勢。磁場與電場的交互作用使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是只在靶面圓周運動。至于靶面圓周型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀分布。磁力線分布方向不同會對成膜有很大關系。在EXBshift機理下工作的除磁控濺射外,還有多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在此原理下工作。所不同的是電場方向,電壓電流大小等因素。湖北單靶磁控濺射用處磁控濺射靶材的制備方法:粉末冶金法。

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磁控濺射是一種涉及氣態等離子體的沉積技術,該等離子氣體被生成并限制在一個包含要沉積的材料的空間內,濺射靶材的表面被等離子體中的高能離子侵蝕,釋放出的原子穿過真空環境并沉積在基板上以形成薄膜。磁控濺射鍍膜的產品優點:1、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時保持與原始材料相似的組成。磁控濺射鍍膜的適用范圍:1、建材及民用工業中;2、在鋁合金制品裝飾中的應用;3、高級產品零/部件表面的裝飾鍍中的應用;4、在不銹鋼刀片涂層技術中的應用;5、在玻璃深加工產業中的應用。

磁控濺射技術原理如下:濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下,對陰極靶材表面進行轟擊,把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來,被濺射出來的粒子帶有一定的動能,沿一定的方向射向基體表面,在基體表面形成鍍層。濺射鍍膜較初出現的是簡單的直流二極濺射,它的優點是裝置簡單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓下進行;在直流二極濺射裝置中增加一個熱陰極和陽極,就構成直流三極濺射。增加的熱陰極和陽極產生的熱電子增強了濺射氣體原子的電離,這樣使濺射即使在低氣壓下也能進行;另外,還可降低濺射電壓,使濺射在低氣壓,低電壓狀態下進行;同時放電電流也增大,并可單獨控制,不受電壓影響。在熱陰極的前面增加一個電極,構成四極濺射裝置,可使放電趨于穩定。但是這些裝置難以獲得濃度較高的等離子體區,沉積速度較低,因而未獲得普遍的工業應用。磁控濺射鍍膜產品優點:可以根據基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置。

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磁控濺射是在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場,當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陽極,而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子較終沿磁力線漂移到陰極附近的陽極而被吸收,避免高能電子對極板的強烈轟擊,消除了二極濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在,電子的復雜運動增加了電離率,實現了高速濺射。磁控濺射的技術特點是要在陰極靶面附件產生與電場方向垂直的磁場,一般采用永久磁鐵實現。磁控濺射方法在裝飾領域的應用:如各種全反射膜和半透明膜;比如手機殼、鼠標等。山西多功能磁控濺射

磁控濺射可用于制備多種材料,如金屬、半導體、絕緣子等。四川專業磁控濺射設備

PVD技術特征如下:在真空室內充入放電所需要的惰性氣體,在高壓電場作用下氣體分子因電離而產生大量正離子。帶電離子被強電場加速,便形成高能量的離子流轟擊蒸發源材料。在離子轟擊下,蒸發源材料的原子將離開固體表面,以高速度濺射到基片上并沉積成薄膜。RF濺射:RF濺射使用的頻率約為13.56MHz,它不需要熱陰極,能在較低的氣壓和較低的電壓下進行濺射。RF濺射不只可以沉積金屬膜,而且可以沉積多種材料的絕緣介質膜,因而使用范圍較廣。電弧離子鍍:陰極弧技術是在真空條件下,通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態,從而完成薄膜材料的沉積,該技術材料的離化率更高,薄膜性能更加優異。四川專業磁控濺射設備

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