微納加工技術指尺度為亞毫米、微米和納米量級元件以及由這些元件構成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設計、加工、組裝、系統(tǒng)集成與應用技術，涉及領域廣、多學科交叉融合，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列專門用技術，研制微型傳感器、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化、批量化、成本低的鮮明特點，微納加工技術對現(xiàn)代的生活、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進作用，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。在Si片上形成具有垂直側(cè)壁的高深寬比溝槽結(jié)構是制備先進MEMS器件的關鍵工藝，其各向異性刻蝕要求非常嚴格。高深寬比的干法刻蝕技術以其刻蝕速率快、各向異性較強、污染少等優(yōu)點脫穎而出，成為MEMS器件加工的關鍵技術之一。微納加工技術是現(xiàn)代科技的重要支柱，它可以制造出更小、更先進的電子設備，從而推動科技和社會的進步。佛山微納加工工藝流程

在微納加工過程中，薄膜的組成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜、合金薄膜、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空，在電場的作用下，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜。商洛半導體微納加工微納加工可以實現(xiàn)對微納材料的高度純凈和純度控制。

Mems加工工藝和微納加工大體上都是一樣的，只是表述不一樣而已，MEMS即是微機械電子系統(tǒng)，大多時候等同于微納系統(tǒng)是根據(jù)產(chǎn)品需要，在各類襯底（硅襯底，玻璃襯底，石英襯底，藍寶石襯底等等）制作微米級微型結(jié)構的加工工藝。微納傳感器加工工藝制作的微型結(jié)構主要是作為各類傳感器和執(zhí)行器等，其中更加器件原理需要而制作的可動結(jié)構（齒輪，懸臂梁，空腔，橋結(jié)構等等）以及各種功能材料，本質(zhì)上是將環(huán)境中的各種特征參數(shù)（溫度，壓力，氣體，流量等等）變化通過微型結(jié)構轉(zhuǎn)化為各種電信號的差異，以實現(xiàn)小型化高靈敏的傳感器和執(zhí)行器。

微納加工技術都有高精度、科技含量高、產(chǎn)品附加值高等特點，能突顯一個國家工業(yè)發(fā)展水平，在推動科技進步、促進產(chǎn)業(yè)發(fā)展、提升生活品質(zhì)等方面都發(fā)揮著重要作用。廣東省科學院半導體研究所微納加工平臺，是國內(nèi)少數(shù)擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一，可進行鍍膜、光刻、刻蝕等工藝，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺將面向國內(nèi)外科研機構和企業(yè)提供較全的開放服務，對半導體材料與器件的深入研發(fā)給予較全支持，能夠為廣大科研單位和企業(yè)提供好品質(zhì)服務。微納加工可以實現(xiàn)對微納材料的合成和改性。

目前微納制造領域較常用的一種微細加工技術是LIGA。這項技術由于可加工尺寸小、精度高，適合加工半導體材料，因而在半導體產(chǎn)業(yè)中得到普遍的應用，其較基礎的中心技術是光刻，即曝光和刻蝕工藝。隨著LIGA技術的發(fā)展，人們開發(fā)出了比較多種不同的曝光、刻蝕工藝，以滿足不同精度尺寸、生產(chǎn)效率等的需求。LIGA技術經(jīng)過多年的發(fā)展，工藝已經(jīng)相當成熟，但是這項技術的基本原理決定了它必然會存在的一些缺陷，比如工藝過程復雜、制備環(huán)境要求高、設備投入大、生產(chǎn)成本高等。由于微納加工的尺寸非常小，因此需要使用高度專業(yè)化的設備和工藝，這使得生產(chǎn)過程具有很高的技術難度。威海石墨烯微納加工

微納加工可以實現(xiàn)對微納器件的性能調(diào)控和優(yōu)化。佛山微納加工工藝流程

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：沉積結(jié)構材料；第五步：光刻定義結(jié)構層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構層圖形轉(zhuǎn)移；第七步：釋放去除系繩層，保留結(jié)構層，完成微結(jié)構制作；體加工基本流程如下：起先：沉積保護層材料；第二步：光刻定義保護圖形；第三步：刻蝕完成保護層圖形轉(zhuǎn)移；第四步：腐蝕硅襯底，在制作三維立體腔結(jié)構；第五步：去除保護層材料。佛山微納加工工藝流程