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陶瓷貼片電容的結構和主要特性
據統(tǒng)計，世界上生產的電容器中，80%是陶瓷貼片電容。一款手機需要用到的電容器在300~400個左右，筆記本和平板電腦大約700~800個，這對電子設備的小型化、輕量化有很大貢獻。這篇文章將帶你了解一下陶瓷貼片電容的那些事。
首先來看一下陶瓷貼片電容的結構，首要結構主要分為五個部分，陶瓷介質、內電積、外電極、鎳層、錫層。從結構上來看，這款陶瓷貼片電容是多層疊合結構，達到小型化、節(jié)省空間的效果，實現(xiàn)電路基板的高密度組裝。
要正確地使用電容器，必須了解其特性。下面我們將簡單介紹一種陶瓷貼片電容器的主要特性。
額定電壓：
電容器上可以施加的電壓有上限。可以穩(wěn)定地施加到電容器的、可用的最大電壓叫做額定電壓。通常用直流電壓來表示額定電壓，也有用交流電壓產品。
漏電流/絕緣電阻/絕緣擊穿：
盡管電容切斷了直流電，但仍會產生極小的漏流。通過該電容的電流除以對其施加于該電容的電壓得到的值叫做絕緣電阻值。陶瓷電容器的絕緣電阻較高，漏電流在一般應用中不會成為問題。但是，若超過額定電壓，再進一步升高所加電壓，電容器將發(fā)生絕緣擊穿。
tanδ?Q：在理想情況下，電容器不會在電路板上消耗內部能量，而事實上，電容器的介電損耗、電極、導線、電極的阻性成分(ESR：等價串聯(lián)電阻)都會引起能量損耗。它是由通過該電容的電流相移來表示的。加到電容上的電壓電流相差在理想狀態(tài)是90℃，但由于上述損耗滯后于90℃。用三角函數(shù) tan (正數(shù))來表示遲滯的角(損耗角)，叫做 tanδ或介質損耗角正切。tanδ的倒數(shù)稱為 Q (質量系數(shù))，用來表示高頻率域電容的性能。
阻抗-頻率特性：陶瓷貼片電容具有頻率越高，越容易通過的特性。在實際電容器中，阻抗值隨頻率的增加而無限接近于零，但在實際電容器中，阻抗會隨頻率的增加而上升。結果表明，該信號的阻抗-頻特性為 V字(或 U字)曲線。由于電容器所具有的 ESL (等價的串聯(lián)電感)和電容之間形成 LC諧振電路。自諧振頻率稱為 V字曲線底部相應的頻率，低于此值的值即為電容，在這個值范圍內，它就像一個感應器。此外，自共振頻率處 Q值為零。所以，為了讓電容器的功能低于自共振頻率，就有必要做出一些選擇。
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