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SiC MOSFET的Qrr對PFC效率的影響是什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-29

二極管損耗：Qrr引反向恢復損耗Prr∝Qrr×V×f，芯技SiC體二極管Qrr<0.1μC（Si基>1μC） EMI噪聲：Qrr致di/dt>100A/μs，芯技低Qrr設計使di/dt<30A/μs 死區優化：tdead>trr，芯技器件trr<100ns支持死區縮至50ns（η↑0.8%）

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護器件、MOSFET和二三極管等產品，廣泛應用于消費電子等多個領域。
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