T156WXB-500HB156WX1-100HT156WXB-502HB156WX1-600HB156WX1-500NT156WHM-N21HB156WX1-200NT156WHM-N10HB156FH1-301HB156FH1-401NT156WHM-N22NT156WHM-N12NT156WHM-N42NV156FHM-N31NT156WHM-N50NV156FHM-N41HT150X02-100HT150X02-101TDA150-004HM150X01-101TDA150-002HM150X01-200HT141WXB-100HT140WXB-100HT140WXB-501HT140WXB-101HT140WXB-300HT140WXB-400HB140WX1-100HT140WXB-601HB140WX1-200HW14WX101HW14WX102HW14WX103HB140WX1-300HB140WX1-500HB140WX1-600HB140WX1-101HT14X1B-121HB140WX1-501HB140WX1-401HB140WX1-400HB140WX1-301HB140WHA-101HB140WX1-503HB140FH1-401HB140WH1-504HB140FH1-301HB140WX1-601HT133WXB-100HN133WU3-100HB133WX1-402HB133WX1-403HN133WU1-100HB133WX1-201JH1330010LD1330020AV128HDM-NW0HB125WX1-100HB125WX1-200BA121S01-100TT121S0M-NW0HT116WXB-100IT1160020HN116WX1-100IT1160030IT1160040HN116WX1-102NT116WHM-N11NT116WHM-N21NT116WHM-N10IT1160060BA104S01-100BA104S01-200HT101WSA-100HT101WSB-100HT101WSB-101HT101WSB-200HT101WSB-201BA101WS1-100BP101WX1-100BP101WX1-200BP101WX1-300BA101WS2-100BP101WX1-203BP101WX1-20。蘇州口碑好的BOE蝕刻液公司。技術密集BOE蝕刻液商家

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    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來越小，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類、％的表面活性劑。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。

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