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如果>1T的爐子要大量增碳，一般前輩們的建議是不要一次性的投入，局部碳飽和會造成C損上升，應當分批隨爐料一同投下，盡量用爐料把增碳劑壓入鐵水中以減少燒損，留1450°C后再進行。所謂的先增碳后增硅，必須盡量保證增碳劑己吸收完畢才做增硅操作。不同種類的鑄鐵，根...

適用于感應爐熔煉時使用，依據工藝要求具體方法有為： ①中頻電爐熔煉，可按配比或碳當量要求隨爐料加入電爐中下部位，回收率可達 95%以上； ②鐵液熔清后碳量不足調整碳分時，先打凈爐中熔渣，再加增碳劑，通過鐵液升溫，電磁攪拌和人工攪拌使碳溶解吸收，回收率可在 9...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室...

使用增碳劑的增碳過程包括溶解擴散過程和氧化損耗過程。增碳劑的粒度大小不同，溶解擴散速度和氧化損耗速度也就不同。而增碳劑吸收率的高低就取決于增碳劑溶解擴散速度和氧化損耗速度的綜合作用：在一般情況下，增碳劑顆粒小，溶解速度快，損耗速度大；增碳劑顆粒大，溶解速度慢...

由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內經高溫冶煉而成。目前我國工業生產的碳...

在壓球化劑作球化處理之前，都要先燙包。由于沖天爐的熔化速度快，當一包球鐵澆注完畢后，再處理下一包時，包內溫度還很高，鐵水倒入澆包內降溫少，所以再進行球化處理時，出爐溫度與電爐相比較可以稍低些，對球化處理質量（球化劑的熔化及吸收、澆注溫度），影響不大或沒有影...

選用石墨粉做增碳劑，吹入量為40kg/t，預期能使鐵液含碳量從2%增到3%。隨著鐵液碳含量逐漸升高，碳量利用率下降，增碳前鐵液溫度1600℃，增碳后平均為1299℃。噴石墨粉增碳，一般采用氮氣做載體，但在工業生產條件下，用壓縮空氣更方便，而且壓縮空氣中的氧燃...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優于任何其它半導體材料。事實上, 在室...

用于鑄造，鑄鐵、鑄鋼，鑄件會有對碳的一個要求，那么增碳劑顧名思義就是來增加鐵液中的碳含量，又比如說，在熔煉中常用爐料為生鐵、廢鋼、回爐料，生鐵的碳含量高，但是卻采購價格相對廢鋼來說是要高出一節的，所以增加廢鋼投放量，降低生鐵投放量，加增碳劑，能起到一定的降低...

從出口的123家出口企業分析，出口數量在2000噸以上的企業有29家，這29家出口量之和為11.77萬噸，占出口總量的71.4%；這29家主營企業除2家出口價格有所上升外，其他均有大幅下滑，單價降幅較高的達73.6%；出口數量在1000-2000噸位之間的企...

中國碳化硅出口市場以亞洲和北美洲為主，出口份額分別占到全球出口份額的70.25%和23.76%，共出口到59個國別和地區，比2011年增加了6個。出口數量在千噸以上的國別和地區依次為日本、美國、韓國、、泰國、新加坡、印度、土耳其、墨西哥和德國，這10個國家和...

使用增碳劑不只能夠補足冶煉過程中碳的燒損，確保鋼鐵碳含量的要求，還可以用于爐后調整。作為感應電爐融化鐵水的重要原料，增碳劑的質量和用法，直接影響了鐵水的狀態。增碳劑種類繁多，工藝各異，有木質碳類，焦炭類，石墨類等等。其中在各個類別下又分為很多小種類。值得一提的...

中頻爐熔煉灰鐵的重中之重是控制增碳劑的重要作用，重要技術是鐵水增碳。增碳率越高，鐵水的冶金性能越好。這里所說的增碳率，是鐵水中以增碳劑形式加入的碳，而不是爐料中帶入的碳。生產實踐表明，在爐料配比中生鐵比例高，白口傾向大；增碳劑比例增大， 白口傾向減小。這就要求...

與傳統硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統硅基器件的10倍，導熱系數是傳統硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標均優于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達600℃...

碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的晶體生長工藝則是其中較重要的技術。之前，這項技術只掌握在美國人手里，且長期對我國技術封鎖。過去，我國的半導體材料長期依賴國外進口，由此帶來的問題就是半導體材料價格昂貴、渠道不穩，隨時都可能面對禁運的風險，而且產品...

碳化硅半導體材料的革新：碳化硅基功率器件性能優于硅基器件，更高效，更節能，更輕便！隨著寬禁帶半導體技術的日益普及，需要在高溫和苛刻的電流循環條件下，對二極管操作進行各種耐久性測試，以評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續發展。而...

受焦炭價格不斷上升、環保以及用戶對鑄件質量要求越來越高等因素的影響，電爐在很多地方已經取代了沖天爐。又由于生鐵價格的不斷上升，廢鋼在社會上沉淀存留量較多而價格較低，所以這幾年普遍的用廢鋼加增碳劑的方法生產球鐵及灰鐵。如果工藝操作正確，不但可以提高鑄件的綜合...

鐵液中的硅對增碳效果有較大的影響。硅含量高的鐵液增碳性不好。有人讓鐵液中Si的質量分數在0.6%~2.1%的范圍內變化，并添加的A，B兩種增碳劑，觀察加入增碳劑后增碳時間的區別，其結果如圖3所示，鐵液中Si的質量分數高時，增碳速度慢。 正如鐵液中的硅的質量分數...

據介紹，越是接近于構成共晶晶核的物質，即使所添加的石墨與共晶石墨的結晶度有些不同，與其他能夠推斷為形成石墨重要的物質相比較，勢必禍合度要大些。從此觀點出發，可以認為：懸浮的微細石墨粒子有利于生成石墨重要，可起到防止鑄鐵過冷和白口化的作用。 增碳劑粒度...

在壓球化劑作球化處理之前，都要先燙包。由于沖天爐的熔化速度快，當一包球鐵澆注完畢后，再處理下一包時，包內溫度還很高，鐵水倒入澆包內降溫少，所以再進行球化處理時，出爐溫度與電爐相比較可以稍低些，對球化處理質量（球化劑的熔化及吸收、澆注溫度），影響不大或沒有影...

中頻爐熔煉灰鐵的重中之重是控制增碳劑的重要作用，重要技術是鐵水增碳。增碳率越高，鐵水的冶金性能越好。這里所說的增碳率，是鐵水中以增碳劑形式加入的碳，而不是爐料中帶入的碳。生產實踐表明，在爐料配比中生鐵比例高，白口傾向大；增碳劑比例增大， 白口傾向減小。這就要求...

碳化硅、氮化鎵的市場潛力還遠未被全部挖掘：5G、智慧交通、新能源已經成為全球發展的方向，但作為上游材料的氮化鎵、碳化硅的市場潛力其實還遠未被全部挖掘。因為如果從產業鏈中游來看，我國第三代半導體器件市場有著巨大的增長空間，或能成為倒逼上游材料發展的一大動力。半...

碳化硅二極管，較初的二極管非常簡單，但隨著技術的發展，逐漸出現了升級的JFET、MOSFET和雙極晶體管。碳化硅肖特基二極管優勢明顯，它具有高開關性能、高效率和高功率密度等特性，而且系統成本較低。這些二極管具有零反向恢復時間、低正向壓降、電流穩定性、高抗浪涌...

在10A的額定電流下，硅續流二極管展現出較低的正向壓降，SiC肖特基二極管的Vf更高，而快速硅二極管展現出較高的正向壓降。正向電壓與溫度之間的關聯差別很大：快速硅二極管具有負的溫度系數，150°C下的Vf比25°C下的Vf低。對于12A以上的電流，CAL的溫...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優化用于低開關頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關頻率范圍內提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片...

碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好...

盡管當前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ，但生產SiC器件的技術仍處于學習曲線的早期階段。因此，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，對于給定的導通電阻和擊穿電壓，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規硅MOSFET顯著更少。因...

目前的碳化硅拋光方法存在著材料去除率低、成本高的問題，且無磨粒研拋、催化輔助加工等加工方法，由于要求的條件苛刻、裝置操作復雜，目前仍處在實驗室范圍內，批量生產的實現可能性不大。人類1905年 一次在隕石中發現碳化硅，現在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，...

如果不用增碳劑，熔煉出的鐵水雖然化學成分合格，溫度也合適， 孕育也合理，但鐵水卻表現不佳：看似溫度較高，流動性卻不太好，縮孔、縮松傾向大，易吸氣， 易產生白口，截面敏感性大，鐵水夾雜物多。這些都是鐵水增碳率和石墨化程度低造成的。碳在原鐵水中的存在形式主要為細小...

在熔化的鐵液中，增碳劑除了有已溶入鐵液的碳以外，還有殘留的、未溶入的石墨形式的碳，并以粒狀被卷入攪拌的液流之中。未熔解、粗大的石墨粒子，在通電時大部分懸浮在爐壁附近的鐵液液面，一部分則附著在相當于攪拌死角的爐壁中部。此時，一旦通電停止，這些粗大的石墨粒子由...