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由于相比硅基半導體在材料特性上有所差異，SiC(碳化硅)半導體具備比硅基半導體更好的高頻、大功率、高輻射性能。碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料在電阻爐內(nèi)經(jīng)高溫冶煉而成。目前我國工業(yè)生產(chǎn)的碳...

中頻爐熔煉灰鐵的重中之重是控制增碳劑的重要作用，重要技術(shù)是鐵水增碳。增碳率越高，鐵水的冶金性能越好。這里所說的增碳率，是鐵水中以增碳劑形式加入的碳，而不是爐料中帶入的碳。生產(chǎn)實踐表明，在爐料配比中生鐵比例高，白口傾向大；增碳劑比例增大， 白口傾向減小。這就要求...

碳在常壓下的熔點為3550℃，沸點為4194℃，3500℃開始升華，是熔點較高的元素。且在高溫下不發(fā)生晶態(tài)變化，幾乎不軟化、不變形。碳的同素異構(gòu)體有無定形碳、石墨和金剛石。不同結(jié)構(gòu)的碳密度不相同，無定形碳密度約為1.98g/cm3，石墨密度約為 2.3g/c...

碳化硅可以抵受的電壓或電場八倍于硅或砷化鎵, 特別適用于制造高壓大功率器件如高壓二極管、功率三極管、可控硅以及大功率微波器件. 另外, 此一特性可讓碳化硅器件緊密排列, 有利于提高封裝密度。碳化硅是熱的良導體, 導熱特性優(yōu)于任何其它半導體材料。事實上, 在室...

SiC 主要應用于微波領(lǐng)域，非常適合在雷達發(fā)射機中使用；使用它可明顯提高雷達發(fā)射機的輸出功率和功率密度，提高工作頻率和工作頻帶寬度，提高雷達發(fā)射機的環(huán)境溫度適應性，提高抗輻射能力。和普通硅（Si）功率器件相比，碳化硅（SiC）功率器件所具有的優(yōu)勢非常明顯。...

增碳劑粒度是影響增碳劑熔入鐵液的主要因素。用表1中成分大致相同而粒度有所不同的A，B，C增碳劑作增碳效果試驗，其結(jié)果如圖1所示。盡管經(jīng)過15min后的增碳率是相同的，但達到90%增碳率的增碳時間則大有區(qū)別。使用未經(jīng)粒度處理的C增碳劑要13min，除去微粉...

使用增碳劑不只能夠補足冶煉過程中碳的燒損，確保鋼鐵碳含量的要求，還可以用于爐后調(diào)整。作為感應電爐融化鐵水的重要原料，增碳劑的質(zhì)量和用法，直接影響了鐵水的狀態(tài)。增碳劑種類繁多，工藝各異，有木質(zhì)碳類，焦炭類，石墨類等等。其中在各個類別下又分為很多小種類。值得一提的...

鐵液的攪拌可以促進增碳，因此攪拌力弱的中頻感應電爐與攪拌力強的工頻感應電爐比較，增碳相對困難得多，所以中頻感應電爐有增碳跟不上金屬爐料的熔解速度的可能性。即使是攪拌力強的工頻感應電爐，增碳操作也不能忽視。這是因為，從感應電爐熔煉的原理圖可知，感應電爐內(nèi)存...

但要注意：它與天然金剛砂（石榴子石）的成分不同。在工業(yè)生產(chǎn)中，SiC冶煉塊通常以石英、石油焦等為原料，輔助回收料、乏料，經(jīng)過粉磨等工序調(diào)配成為配比合理與粒度合適的爐料（為了調(diào)節(jié)爐料的透氣性需要加入適量的木屑，制備綠碳化硅時還要添加適量食鹽)經(jīng)高溫制備而成。高...

隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。這便是SiC的用武之地?；诘墸℅aN）的功率半導體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù)。硅的帶隙為1.1 eV。 相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶...

增碳劑是一種含碳量很高的黑色或者灰色顆粒的產(chǎn)物，加入到金屬冶煉爐里，提高鐵液里碳的含量，一方面可以降低鐵液里氧的含量，另一方面更重要的是提高冶煉金屬或者鑄件的力學性能。增碳劑的來源很多，形態(tài)各異，根據(jù)其加工工藝和成分不同，價格差異很大。傳統(tǒng)的熔煉方式比如沖天爐...

鋼鐵料配料大多都采用 20%-30%的回爐料+工業(yè)碳素廢鐵，回爐料配量以車間回爐料的多少定，不超過30%為宜。加料順序是爐底先加入回爐料，隨后加入工業(yè)碳素廢鐵，大功率送電。在爐料熔化60%時加入配料晶體增碳劑總量的一半，加入晶體增碳劑后繼續(xù)提高爐溫加料熔化，...

綠碳化硅是以石油焦和優(yōu)越硅石為主要原料,添加食鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間,機械強度高于剛玉。碳化硅(SiC)由于其獨特的物理及電子特性, 在一些應用上成為較佳的半導體材料: 短波長光電器件, 高溫, 抗幅射以及高頻大功率...

在壓球化劑作球化處理之前，都要先燙包。由于沖天爐的熔化速度快，當一包球鐵澆注完畢后，再處理下一包時，包內(nèi)溫度還很高，鐵水倒入澆包內(nèi)降溫少，所以再進行球化處理時，出爐溫度與電爐相比較可以稍低些，對球化處理質(zhì)量（球化劑的熔化及吸收、澆注溫度），影響不大或沒有影...

按照材質(zhì)分，一般可以分為：冶金焦增碳劑，煅煤增碳劑，石油焦增碳劑，石墨化增碳劑，天然石墨增碳劑，復合材料增碳劑。 石油焦增碳劑采用石油焦煅燒提純等加工而成，外觀成圓?；蚨嗬庑?。其特點高碳、低硫，低灰是冶金化工、機械、電力等行業(yè)理想的加碳材料和反應中間體，得到...

選哪一種增碳劑，里邊的含氮量也不一樣，要選低氮的增碳劑，里邊的有害物質(zhì)也會減少，在鐵水中鈦的含量很低，不會消耗太多的氮素，這樣很容易出現(xiàn)氮素含量高氣孔大、氣縮嚴重等缺點;找石墨化較好的增碳劑，否則會造成吸收率低、速度慢、有渣、還有有害元素影響鐵水質(zhì)量;就是增...

全SiC模塊的功率密度比IGBT模塊要高得多，甚至在開關(guān)頻率低于5kHz時。因此，通過使用更大的芯片面積來優(yōu)化用于低開關(guān)頻率的全SiC模塊是可能的。 只要SiC芯片尺寸合適，SiC器件可以在普遍的開關(guān)頻率范圍內(nèi)提供更高的輸出電流和輸出功率。大功率要求功率芯片...

適用于感應爐熔煉時使用，依據(jù)工藝要求具體方法有為： ①中頻電爐熔煉，可按配比或碳當量要求隨爐料加入電爐中下部位，回收率可達 95%以上； ②鐵液熔清后碳量不足調(diào)整碳分時，先打凈爐中熔渣，再加增碳劑，通過鐵液升溫，電磁攪拌和人工攪拌使碳溶解吸收，回收率可在 9...

在一定的溫度和化學成分相同的條件下，鐵液中碳的飽和濃度一定。鑄鐵中碳的溶解極限為([C%]=1.3+0.0257T－0.31[Si%]－0.33[P%]－0.45[S%]+0.028[Mn%]（T為鐵液溫度）。在一定飽和度下，增碳劑加入量越多，溶解擴散所需時...

增碳劑可謂是鑄造行業(yè)降本增效的一大利器，在用電爐熔煉的過程中，將增碳劑隨廢鋼等爐料一起往里投放，可減少生鐵使用量，有效降低鑄件生產(chǎn)成本，增碳劑的加入時間不能忽視。增碳劑的加入時間若過早，容易使其附著在爐底附近，而且附著爐壁的增碳劑又不易被熔入鐵液。與之相反，...

SiC的硬度只次于金剛石，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進行機械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率較高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不只具有高硬度的特點，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆...

鐵液中的硅對增碳效果有較大的影響。硅含量高的鐵液增碳性不好。有人讓鐵液中Si的質(zhì)量分數(shù)在0.6%~2.1%的范圍內(nèi)變化，并添加如表1所示的A，B兩種增碳劑，觀察加入增碳劑后增碳時間的區(qū)別，其結(jié)果如圖3所示，鐵液中Si的質(zhì)量分數(shù)高時，增碳速度慢。正如鐵液中...

由于二極管是基于10A額定電流進行比較的，考慮不同供應商的器件之間有時不同的額定電流定義是很重要的。為了更加深入地了解器件性能，畫出電流密度（正向電流除以芯片面積）與正向壓降之間的關(guān)系是有用的，它考慮到了芯片的面積。顯示了等效電流密度，傳統(tǒng)硅二極管和SiC肖...

鐵液中的硅對增碳效果有較大的影響。硅含量高的鐵液增碳性不好。有人讓鐵液中Si的質(zhì)量分數(shù)在0.6%~2.1%的范圍內(nèi)變化，并添加如表1所示的A，B兩種增碳劑，觀察加入增碳劑后增碳時間的區(qū)別，其結(jié)果如圖3所示，鐵液中Si的質(zhì)量分數(shù)高時，增碳速度慢。正如鐵液中...

盡管當前可用的基于Si的晶體管已接近其在*面積極限上的R ，但生產(chǎn)SiC器件的技術(shù)仍處于學習曲線的早期階段。因此，我們可以期望在后代看到更高的性能。值得注意的是，對于給定的導通電阻和擊穿電壓，SiC MOSFET所需的管芯面積比常規(guī)硅MOSFET顯著更少。因...

在冶煉過程中，由于配料或負荷不當以及除碳過量，鋼中碳含量不能滿足高峰要求。常用的增碳劑包括鐵、電極粉、石油焦粉、炭粉和焦粉。在轉(zhuǎn)爐冶煉中高碳鋼中，采用少雜質(zhì)石油焦作為增碳劑。對頂吹轉(zhuǎn)爐煉鋼碳增碳劑的要求是：固定碳含量較高，灰分、揮發(fā)性和硫、磷、氮等雜質(zhì)含量較...

其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景較明朗的半導體材料，堪稱半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。歷史上人類一次發(fā)現(xiàn)碳化硅是在1891年，美國人艾奇遜在電溶金剛石的時候發(fā)現(xiàn)一種碳的化合物，這就是碳化硅初次合成和發(fā)現(xiàn)。在經(jīng)歷了百年的探索之后，特別是進入21世紀以后，人類...

碳化硅是全球較先進的第三代半導體材料。和一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優(yōu)良的物理特性，是衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的重要材料，尤其是在航天、國防等領(lǐng)域有著不可替代的優(yōu)勢。N型碳化硅晶片的作用是...

許多物質(zhì)化合物以稱為多晶型物的不同晶體結(jié)構(gòu)存在。碳化硅在這方面非常獨特，因為研究人員已經(jīng)鑒定出250多種不同的碳化硅多晶型物。3C-SiC和4H-SiC由于其優(yōu)越的半導體性能而成為較常用的多型體。本文使用的SiC晶體管基于4H-SiC。用eV表示的能隙是結(jié)晶...

在一定的溫度和化學成分相同的條件下，鐵液中碳的飽和濃度一定。一般鑄鐵中碳的溶解極限為([C%]=1.3+0.0257T－0.31[Si%]－0.33[P%]－0.45[S%]+0.028[Mn%]（T為鐵液溫度）。在一定飽和度下，增碳劑加入量越多，溶解擴散所...