(2) 認真核對變壓器基礎橫、縱軸線尺寸及預埋管位置,并與圖紙所給尺寸核對,無誤后方可進行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時,應會同業主、監理及廠家的有關人員一同檢查。(2) 在卸車前測量和記錄沖擊記錄器的沖擊值,這個數值應小于3...
該電子為p+n-p晶體管的少數載流子,從集電極襯底p+層開始流入空穴,進行電導率調制(雙極工作),所以可以降低集電極-發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn-寄生晶體管。若n+pn-寄生晶體管工作,又變成p+n- pn+晶閘管。電流繼續流動,直到輸出側停...
普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件,出現于70年代。pnpn四層半導體結構,有三個極:陽極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,它的出現使半導體器件由弱電領域擴展到強電領域。普通晶閘管t在工作過程中,它的陽極a和陰極k與...
右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器,變壓器用于產生滿足整流器要求的兩組三相電壓,兩組三相電壓(Va'',Vb'',Vc'')與(Va',Vb',Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°,兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2,整流橋輸出通過平衡電抗器并聯...
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...
E 節能照明:隧道照明,路燈照明,攝影照明,舞臺燈光F 化學工業:蒸餾蒸發,預熱系統,管道加熱,石油化工,溫度補償G 其它行業:鹽浴爐,工頻感應爐,淬火爐溫控,熱處理爐溫控,金剛石壓機加熱,大功率充磁/退磁設備,航空電源調壓,中央空調電加熱器溫控,紡織機械,水...
BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大,直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程,對可控硅來說,觸發信號加入控制極,可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后,...
IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機、變頻器、變頻家電等領域。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領域中已經得到廣泛的應用,在實際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇及輸出功率的計算決定了換流系統的可靠性。驅動器功率不足或選擇錯誤可能會直接導致 IGBT ...
一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結,有正極和負極兩個端子。二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中,電流只能從二極管的正極流入,負極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二...
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個...
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異,不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據...
阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,...
測量靜態測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大; 表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子, 顯示電阻應為無窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此...
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍...
若保持接通A極或T2極時斷開G極,指針立即退回∞位置,則說明可控硅觸發電流太大或損壞。可按圖2方法進一步測量,對于單向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K燈仍不息滅,否則說明可控硅損壞。對于雙向可控硅,閉合開關K,燈應發亮,斷開K,燈應不息滅。然后將電池反接,...
整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波(Y或△)橋式、三相曲折式(Zo形)、六相Y形(中點接線)、六相叉形(又曲折形)、六相Y形并聯橋式(帶平衡電抗器)、六相△Y形串聯橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相(十二、二十四...
(五)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。(七)非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅,常見的是移相觸...
觸發電流(I_gt)和觸發電壓(V_gt):用于觸發晶閘管導通的電流和電壓。關斷時間(t_q):晶閘管從完全導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。導通壓降(V_f):晶閘管在導通狀態下兩端的電壓降。浪涌電流能力(I_tsm):晶閘管能夠承受的短時過載電流。動態dv...
但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的,如圖2所示。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來...
保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護,...
4、故障解除:當整流器故障時,發出燈光報警信號并停機,操作人員應在排除故障以后可 合閘,否則將擴大故障范圍,造成更大損失,故障排除后,可將 K 主令開關置一下,除去電 笛聲,排除故障后,然后按正常運行程序開機。5、起動后,直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...
可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點,被***用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部...
2.變壓器設計的基本問題是什么?變壓器設計的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比,電流密度的大小(即導線的粗細)按照導體的發熱量來考慮。對于磁通,電磁學的基本關系式為u=4.44fwΦ,其中u為電壓;f為頻率,在這里為50Hz,定值;w為線圈的匝...
2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極,在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極,指針應指示幾十歐至一百歐,此時可控硅已被觸發,且觸發電壓低(或觸發電流小)。然后瞬時斷開A極再接通,指針應退回∞位置,則表明可控硅...
四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上,容量在數萬千伏安。需特別注意對地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源,勵磁用直流電源,充電用及靜電除塵用直流電源等。應用整流變**多的化學行業中,大功率整流裝置也是二次電壓低,電流...
三相整流橋是將數個整流管封在一個殼內,從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器,對...
保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護,...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模...
KP型晶閘管(phase control thyristor),又叫普通晶閘管,是用于可控整流的設備。定義:應用PNPN四層半導體結構和三極(陰極,陽極,門極)實現可控整流功能。晶閘管T在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電...