在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線，導致無法進行電動態分析，適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優點是開封過程不會損壞內部電路和引線，開封后仍可進行電動態分析，能為失效分析提供更豐富的動態數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除，自動化操作可提高效率和精度，不過同樣屬于破壞性處理，會對樣品造成一定程度的損傷。

熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。無損熱紅外顯微鏡應用

選擇熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI） 設備時，需緊密圍繞實際應用需求進行綜合評估。若檢測對象為半導體芯片、晶圓，應重點關注設備的空間分辨率（推薦≤1μm）和溫度靈敏度（≤0.01℃）；針對 3D 封裝器件，支持鎖相熱成像技術的設備能更好地實現深度定位；而 PCB/PCBA 檢測，則需要兼顧大視野與高精度掃描能力。在技術指標層面，InSb 材質的探測器靈敏度出色，適合半導體缺陷檢測，非制冷型氧化釩探測器雖成本較低，但分辨率相對有限；鎖相熱成像技術可提升信噪比，并實現 3D 空間的深度定位；同時，偏置系統的電壓電流范圍、EMMI 與熱成像融合功能以及 AI 輔助分析能力，也都是衡量設備性能的關鍵要素。佛山熱紅外顯微鏡熱紅外顯微鏡采用先進的探測器，實現對微小熱量變化的快速響應 。

當電子設備中的某個元件發生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯激光器等先進技術，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細探測與分析，熱紅外顯微鏡能夠將電子設備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現，直觀展現熱點區域的位置、尺寸及溫度變化趨勢，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點，實現高效可靠的故障排查。

熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業領域各有側重。

從工作原理看，光學顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態（如結構、顏色、紋理）呈現細節，其主要是捕捉 “可見形態特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射，通過檢測樣品自身發射的熱量差異生成熱分布圖，本質是捕捉 “不可見的熱信號”。

在主要功能上，光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結構缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結構分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析，能識別因電路缺陷、材料熱導差異等產生的溫度異常，即使是納米級的微小熱點（如半導體芯片的漏電區域）也能精確捕捉，這是光學顯微鏡無法實現的。

從適用場景來看，光學顯微鏡是通用型觀測工具，廣泛應用于基礎科研、教學等領域；而熱紅外顯微鏡更偏向專業細分場景，尤其在半導體失效分析中，可定位短路、虛焊等隱性缺陷引發的熱異常，在新材料研發中能分析不同組分的熱傳導特性，為解決 “熱相關問題” 提供關鍵依據。 熱紅外顯微鏡在電子產品研發階段，輔助優化熱管理方案 。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號的精密儀器，其優勢在于對材料、器件局部溫度分布的高空間分辨率觀測。

然而，在面對微弱熱信號（如納米尺度結構的熱輻射、低功耗器件的散熱特性等）時，傳統熱成像方法易受環境噪聲、背景輻射的干擾，難以實現精細測量。鎖相熱成像技術的引入，為熱紅外顯微鏡突破這一局限提供了關鍵解決方案。通過鎖相熱成像技術的賦能，熱紅外顯微鏡從 “可見” 微觀熱分布升級為 “可測” 納米級熱特性，為微觀尺度熱科學研究與工業檢測提供了不可或缺的工具。 熱紅外顯微鏡突破光學衍射極限，以納米級分辨率呈現樣品微觀結構與熱特性。自銷熱紅外顯微鏡廠家

熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復雜半導體失效分析 。無損熱紅外顯微鏡應用

在國內失效分析設備領域，專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域，具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術，也受限于市場需求的專業化程度，導致多數企業傾向于代理或集成方案。

致晟光電正是國內少數深耕該領域的原廠之一。不同于單純的設備組裝，其從中樞技術迭代入手，在傳統熱發射顯微鏡基礎上進化出熱紅外顯微鏡，形成從光學系統設計、信號算法研發到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內半導體、材料等行業的失效分析需求，例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產新材料的熱特性研究等場景，提供更貼合實際應用的設備與技術支持，成為本土失效分析領域不可忽視的自主力量。 無損熱紅外顯微鏡應用

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