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在微觀熱信號檢測領域，熱發射顯微鏡作為經典失效分析工具，為半導體與材料研究提供了基礎支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡，并非簡單的名稱更迭，而是由技術工程師團隊在傳統熱發射顯微鏡原理上，歷經多代技術創新與功能迭代逐步演變進化而來。這一過程中，團隊針對傳統設備在視野局限、信號靈敏度、分析尺度等方面的痛點，通過光學系統重構、信號處理算法升級、檢測維度拓展等創新，重新定義、形成了更適應現代微觀熱分析需求的技術體系。熱紅外顯微鏡結合多模態檢測（THERMAL/EMMI/OBIRCH），實現熱 - 電信號協同分析定位復合缺陷。IC熱紅外顯微鏡廠家電話當電子設備中的某個元件發生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術，作為半導體失效分析領域的關鍵手段，通過捕捉器件內部產生的熱輻射，實現失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測，成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而，隨著半導體技術不斷升級，器件正朝著超精細圖案制程與低供電電壓方向快速演進：線寬進入納米級，供電電壓降至 1V 以下。這使得失效點（如微小短路、漏電流區域）產生的熱量急劇減少，其輻射的紅外線信號強度降至傳統檢測閾值邊緣，疊加芯片復雜結構的背景輻射干擾，信號提取難度呈指數級上升。分析倒裝芯片（Flip Chip）、3D 封裝（TSV）的層間熱傳導異常，排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。無...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI ）技術不僅可實現電子設備的故障精細定位，更在性能評估、熱管理優化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜，工程師能深度解析器件熱傳導特性，以此為依據優化散熱結構設計，有效提升設備運行穩定性與使用壽命。此外，該技術可實時監測線路功耗分布與異常發熱區域，建立動態熱特征數據庫，為線路故障的早期預警與預防性維護提供數據支撐，從根本上去降低潛在失效風險。熱紅外顯微鏡采用先進的探測器，實現對微小熱量變化的快速響應 。非制冷熱紅外顯微鏡平臺 熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH...

半導體制程已逐步進入 3 納米及更先進階段，芯片內部結構日趨密集，供電電壓也持續降低，這使得微觀熱行為對器件性能的影響變得更為明顯。致晟光電熱紅外顯微鏡是在傳統熱發射顯微鏡基礎上，經迭代進化而成的精密工具。在先進制程研發中，它在應對熱難題方面能提供一定支持，在芯片設計驗證、失效排查以及性能優化等環節，都能發揮相應的作用。其通過不斷優化的技術，適應了先進制程下對微觀熱信號檢測的需求，為相關研發工作提供了有助于分析和解決問題的熱分布信息，助力研發人員更好地推進芯片相關的研究與改進工作。在半導體制造中，通過逐點熱掃描篩選熱特性不一致的晶圓，提升良率。自銷熱紅外顯微鏡運動 熱紅外顯微鏡是半導體失效分...

非制冷熱紅外顯微鏡基于微測輻射熱計，無需低溫制冷裝置，具有功耗低、維護成本低等特點，適合長時間動態監測。其通過鎖相熱成像等技術優化后，雖靈敏度（通常 0.01-0.1℃）和分辨率（普遍 5-20μm）略遜于制冷型，但性價比更高，。與制冷型對比，非制冷型無需制冷耗材，適合 PCB、PCBA 等常規電子元件失效分析；而制冷型（如 RTTLIT P20）靈敏度達 0.1mK、分辨率低至 2μm，價格高，多用于半導體晶圓等檢測。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業檢測領域應用較多。監測微流控芯片、生物傳感器的局部熱反應，研究生物分子相互作用的熱效應。工業檢測熱紅外顯微鏡按需定制除了熱輻射，電子設備在出現故障...

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進的非破壞性檢測技術，主要用于精細定位電子設備中的熱點區域，這些區域通常與潛在的故障、缺陷或性能問題密切相關。該技術可在不破壞被測對象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態下釋放的熱輻射與光信號，為工程師提供關鍵的故障診斷線索和性能分析依據。在諸如復雜集成電路、高性能半導體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識別出異常發熱或發光的區域，幫助工程師迅速定位問題根源，從而及時采取有效的維修或優化措施。分析倒裝芯片（Flip Chip）、3D 封裝（TSV）的層間熱傳導異常，排查焊球陣列、TSV 通孔的熱界面失效。非制冷...

熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片熱檢測中發揮著關鍵作用。對于半導體IC裸芯片而言，其內部結構精密且集成度高，微小的熱異常都可能影響芯片性能甚至導致失效，因此熱檢測至關重要。熱紅外顯微鏡能夠非接觸式地對裸芯片進行熱分布成像與分析，清晰捕捉芯片工作時的溫度變化情況。它可以定位芯片上的熱點區域，這些熱點往往是由電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題引起的。通過對熱點的檢測和分析，工程師能及時發現芯片潛在的故障風險，為優化芯片設計、改進制造工藝提供重要依據。同時，該顯微鏡還能測量裸芯片內部關鍵半導體結點的溫度，也就是結溫。結溫是評估芯片性能和可靠性的重要參數，過高的結溫會縮短芯片壽命，影響其穩定性。...

熱紅外顯微鏡能高效檢測微尺度半導體電路及MEMS器件的熱問題。在電路檢測方面，這套熱成像顯微鏡可用于電路板失效分析，且配備了電路板檢測用軟件包“模型比較”，能識別缺陷元件；同時還可搭載“缺陷尋找”軟件模塊，專門探測不易發現的短路問題并定位短路點。在MEMS研發領域，空間溫度分布與熱響應時間是微反應器、微型熱交換器、微驅動器、微傳感器等MEMS器件的關鍵參數。目前，非接觸式測量MEMS器件溫度的方法仍存在局限，而紅外成像顯微鏡可提供20微米空間分辨率的熱分布圖像，是迄今為止測量MEMS器件熱分布的高效工具。熱紅外顯微鏡結合自研算法，對微弱熱信號進行定位分析，鎖定潛在缺陷 。紅外光譜熱紅外顯微鏡批...

在國內失效分析設備領域，專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域，具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術，也受限于市場需求的專業化程度，導致多數企業傾向于代理或集成方案。 致晟光電正是國內少數深耕該領域的原廠之一。不同于單純的設備組裝，其從中樞技術迭代入手，在傳統熱發射顯微鏡基礎上進化出熱紅外顯微鏡，形成從光學系統設計、信號算法研發到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內半導體、材料等行業的失效分析需求，例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產新材料的熱特性研究等場景，提...

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）的熱輻射信號捕捉。InSb材料具有優異的光電轉換效率和極低的本征噪聲，在制冷條件下可實現高達nW級的熱靈敏度和優于20mK的溫度分辨率，適用于高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統中的應用，提升了空間分辨率（可達微米量級）與溫度響應線性度，使其能夠對半導體器件、微電子系統中的局部發熱缺陷、熱點遷移和瞬態熱行為進行精細刻畫。配合致晟光電自主開發的高數值孔徑光學系統與穩態熱控平臺，InSb探測器可在多物理場耦合背景下實現高時空分辨的熱場成像，是先進電子器件失效分析、電熱耦合行為研究及材料熱特性評價中...

熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點產生的異常熱輻射，實現精細定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現為局部功耗異常，導致微區溫度升高。顯微熱分布測試系統結合熱點鎖定技術，能夠高效識別這些區域。熱點鎖定是一種動態紅外熱成像方法，通過調節電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術廣泛應用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關鍵故障。 熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。國內熱紅外顯微鏡設備制造 RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑...

熱紅外顯微鏡是一種融合紅外熱成像與顯微技術的精密檢測工具，通過捕捉物體表面及內部的熱輻射信號，實現微觀尺度下的溫度分布可視化分析。其**原理基于黑體輻射定律——任何溫度高于***零度的物體都會發射紅外電磁波，且溫度與輻射強度呈正相關，而顯微鏡系統則賦予其微米級的空間分辨率，可精細定位電子器件、材料界面等微觀結構中的異常熱點。 在電子工業中，熱紅外顯微鏡常用于半導體芯片的失效定位 —— 例如透過封裝材料檢測內部金屬層微短路、晶體管熱斑；在功率器件領域，可分析 IGBT 模塊的熱阻分布、SiC 器件的高溫可靠性；在 PCB 板級檢測中，能識別高密度線路的功耗異常區，輔助散熱設計優化。此外...

熱紅外顯微鏡是一種融合紅外熱成像與顯微技術的精密檢測工具，通過捕捉物體表面及內部的熱輻射信號，實現微觀尺度下的溫度分布可視化分析。其**原理基于黑體輻射定律——任何溫度高于***零度的物體都會發射紅外電磁波，且溫度與輻射強度呈正相關，而顯微鏡系統則賦予其微米級的空間分辨率，可精細定位電子器件、材料界面等微觀結構中的異常熱點。 在電子工業中，熱紅外顯微鏡常用于半導體芯片的失效定位 —— 例如透過封裝材料檢測內部金屬層微短路、晶體管熱斑；在功率器件領域，可分析 IGBT 模塊的熱阻分布、SiC 器件的高溫可靠性；在 PCB 板級檢測中，能識別高密度線路的功耗異常區，輔助散熱設計優化。此外...

在失效分析的有損分析中，打開封裝是常見操作，通常有三種方法。全剝離法會將集成電路完全損壞，留下完整的芯片內部電路。但這種方法會破壞內部電路和引線，導致無法進行電動態分析，適用于需觀察內部電路靜態結構的場景。局部去除法通過特定手段去除部分封裝，優點是開封過程不會損壞內部電路和引線，開封后仍可進行電動態分析，能為失效分析提供更豐富的動態數據。自動法則是利用硫酸噴射實現局部去除，自動化操作可提高效率和精度，不過同樣屬于破壞性處理，會對樣品造成一定程度的損傷。 熱紅外顯微鏡在 3D 封裝檢測中，通過熱傳導分析確定內部失效層 。無損熱紅外顯微鏡應用選擇熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）...

熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡雖同屬微觀觀測工具，但在原理、功能與應用場景上存在明顯差異，尤其在失效分析等專業領域各有側重。 從工作原理看，光學顯微鏡利用可見光（400-760nm 波長）的反射或透射成像，通過放大樣品的物理形態（如結構、顏色、紋理）呈現細節，其主要是捕捉 “可見形態特征”；而熱紅外顯微鏡則聚焦 3-10μm 波長的紅外熱輻射，通過檢測樣品自身發射的熱量差異生成熱分布圖，本質是捕捉 “不可見的熱信號”。 在主要功能上，光學顯微鏡擅長觀察樣品的表面形貌、結構缺陷（如裂紋、變形），適合材料微觀結構分析、生物樣本觀察等；熱紅外顯微鏡則專注于微觀熱行為解析，能識別因電路缺陷、...

致晟光電自主研發的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業中不可或缺的精密檢測工具，在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領域的失效分析中發揮著舉足輕重的作用。 該設備搭載——實時瞬態鎖相紅外熱分析（RTTLIT）系統，并集成高靈敏度紅外相機、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術組件，賦予其三大特性：超凡靈敏度與亞微米級檢測精度，可捕捉微弱熱信號與光子發射；高精度溫度測量能力（鎖相靈敏度達0.001℃），支持動態功耗分析；無損故障定位特性，無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術集成優勢，ThermaEMMIP系列不僅能快速定...

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研究、精密器件研發等領域的專業工具，為行業在微觀熱管控、缺陷排查、性能優化等方面提供了更高效的技術支撐，推動微觀熱分析從 “可見” 向 “可知”“可控” 邁進。區分 LED、激光二極管的電致發光熱點與熱輻射異常，優化光電轉換效率。無損熱紅外顯微鏡與光學顯微鏡對比 熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 作為一種能夠捕捉微觀尺度熱輻射信號...

熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片熱檢測中發揮著關鍵作用。對于半導體IC裸芯片而言，其內部結構精密且集成度高，微小的熱異常都可能影響芯片性能甚至導致失效，因此熱檢測至關重要。熱紅外顯微鏡能夠非接觸式地對裸芯片進行熱分布成像與分析，清晰捕捉芯片工作時的溫度變化情況。它可以定位芯片上的熱點區域，這些熱點往往是由電路設計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題引起的。通過對熱點的檢測和分析，工程師能及時發現芯片潛在的故障風險，為優化芯片設計、改進制造工藝提供重要依據。同時，該顯微鏡還能測量裸芯片內部關鍵半導體結點的溫度，也就是結溫。結溫是評估芯片性能和可靠性的重要參數，過高的結溫會縮短芯片壽命，影響其穩定性。...

車規級芯片作為汽車電子系統的重心，其可靠性直接關系到汽車的安全運行，失效分析是對提升芯片質量、保障行車安全意義重大。在車規級芯片失效分析中，熱紅外顯微鏡發揮著關鍵作用。芯片失效常伴隨異常發熱，通過熱紅外顯微鏡分析其溫度分布，能定位失效相關的熱點區域。比如，芯片內部電路短路、元器件老化等故障，會導致局部溫度驟升形成明顯熱點。從而快速定位潛在的故障點，為功率模塊的失效分析提供了強有力的工具。可以更好的幫助車企優化芯片良率與安全性。熱紅外顯微鏡結合多模態檢測（THERMAL/EMMI/OBIRCH），實現熱 - 電信號協同分析定位復合缺陷。制造熱紅外顯微鏡故障維修除了熱輻射，電子設備在出現故障或異常...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業，為產品研發和質量檢測提供支持，推動各領域創新突破。 定位芯片內部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。鎖相熱紅外顯微鏡用戶體驗近年來，非制冷熱紅外顯微鏡價格呈下行趨勢。在技術進步層面，國內紅外...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射，將其轉化為可視化圖像，進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光，熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光，利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電荷擾動會產生遠場輻射和近場輻射，近場輻射以倏逝波形式存在，強度隨遠離物體表面急劇衰退，通過掃描探針技術可散射近場倏逝波，從而獲取物體近場信息，實現超分辨紅外成像。熱紅外顯微鏡利用其高分辨率，觀察半導體制造過程中的熱工藝缺陷 。非制冷熱紅外顯微鏡設備廠家 熱紅外顯微鏡是半導體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）技術，作為半導體失效分析領域的關鍵手段，通過捕捉器件內部產生的熱輻射，實現失效點的精細定位。它憑借對微觀熱信號的高靈敏度探測，成為解析半導體故障的 “火眼金睛”。然而，隨著半導體技術不斷升級，器件正朝著超精細圖案制程與低供電電壓方向快速演進：線寬進入納米級，供電電壓降至 1V 以下。這使得失效點（如微小短路、漏電流區域）產生的熱量急劇減少，其輻射的紅外線信號強度降至傳統檢測閾值邊緣，疊加芯片復雜結構的背景輻射干擾，信號提取難度呈指數級上升。熱紅外顯微鏡可對不同材質的電子元件進行熱特性對比分析 。制冷熱紅外顯微鏡儀器熱紅外顯微鏡在半導體IC裸芯片熱檢測中發...

致晟光電——熱紅外顯微鏡在信號調制技術上的優化升級，以多頻率調制為突破點，構建了更精細的微觀熱信號解析體系。其通過精密算法控制電信號的頻率切換與幅度調節，使不同深度、不同材質的樣品區域產生差異化熱響應 —— 高頻信號可捕捉表層微米級熱點，低頻信號則能穿透材料識別內部隱性感熱缺陷，形成多維度熱特征圖譜。 這種動態調制方式，不僅將特征分辨率提升至納米級，更通過頻率匹配過濾環境噪聲與背景干擾，使檢測靈敏度較傳統單頻調制提高 3-5 倍，即使是 0.1mK 的微小溫度波動也能被捕捉。 熱紅外顯微鏡可實時監測電子設備運行中的熱變化，預防過熱故障 。高分辨率熱紅外顯微鏡哪家好 致晟光電熱紅外顯...

在失效分析中，零成本簡單且常用的三個方法基于“觀察-驗證-定位”的基本邏輯，無需復雜設備即可快速縮小失效原因范圍： 1.外觀檢查法（VisualInspection） 2.功能復現與對比法（FunctionReproduction&Comparison） 3.導通/通路檢查法（ContinuityCheck） 但當失效分析需要進階到微觀熱行為、隱性感官缺陷或材料/結構內部異常的層面時，熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 能成為關鍵工具，與基礎方法結合形成更深度的分析邏輯。在進階失效分析中，熱紅外顯微鏡可捕捉微觀熱分布，鎖定電子元件微區過熱（如虛焊、短路）、材料...

在國內失效分析設備領域，專注于原廠研發與生產的企業數量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域，具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術，也受限于市場需求的專業化程度，導致多數企業傾向于代理或集成方案。 致晟光電正是國內少數深耕該領域的原廠之一。不同于單純的設備組裝，其從中樞技術迭代入手，在傳統熱發射顯微鏡基礎上進化出熱紅外顯微鏡，形成從光學系統設計、信號算法研發到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內半導體、材料等行業的失效分析需求，例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產新材料的熱特性研究等場景，提...

致晟光電的熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列 ——RTTLIT P10 實時瞬態鎖相熱分析系統，搭載非制冷型熱紅外成像探測器，采用鎖相熱成像（Lock-In Thermography）技術，通過調制電信號大幅提升特征分辨率與檢測靈敏度，具備高靈敏度、高性價比的突出優勢。該系統鎖相靈敏度可達 0.001℃，顯微分辨率可達 5μm，分析速度快且檢測精度高，重點應用于電路板失效分析領域，可多用于適配 PCB、PCBA、大尺寸主板、分立元器件、MLCC 等產品的維修檢測場景。 熱紅外顯微鏡的 AI 智能分析模塊，自動標記異常熱斑并匹配歷史失效數據庫。IC熱紅外顯微鏡設備ThermalEM...

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測物體自身發出的紅外輻射，將其轉化為可視化圖像，進而分析物體表面溫度分布等信息的技術。其原理是溫度高于零度的物體都會向外發射紅外光，熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光，利用光電轉換將其變為溫度圖像。物體內電荷擾動會產生遠場輻射和近場輻射，近場輻射以倏逝波形式存在，強度隨遠離物體表面急劇衰退，通過掃描探針技術可散射近場倏逝波，從而獲取物體近場信息，實現超分辨紅外成像。在高低溫循環（-40℃~125℃）中監測車載功率模塊、傳感器的熱疲勞退化。低溫熱熱紅外顯微鏡訂制價格 RTTLITP20 熱紅外顯微鏡憑借多元光學物鏡配置，構建從宏觀到納米級的...

除了熱輻射，電子設備在出現故障或異常時，還可能伴隨微弱的光發射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發射通常源自電子在半導體材料中發生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過程。通過對光發射信號的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區域的存在，還可輔助判斷異常的具體機制，為故障定位和性能評估提供更精確的信息。熱紅外顯微鏡突破傳統限制，以超分辨率清晰呈現芯片內部熱分布細節 。紅外光譜熱紅外顯微鏡運動 熱紅外是紅外光譜中波長介于 3–18 微米的譜段，其能量主要來自物體自身的熱輻射，而非對外界光源的反...

選擇熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI） 設備時，需緊密圍繞實際應用需求進行綜合評估。若檢測對象為半導體芯片、晶圓，應重點關注設備的空間分辨率（推薦≤1μm）和溫度靈敏度（≤0.01℃）；針對 3D 封裝器件，支持鎖相熱成像技術的設備能更好地實現深度定位；而 PCB/PCBA 檢測，則需要兼顧大視野與高精度掃描能力。在技術指標層面，InSb 材質的探測器靈敏度出色，適合半導體缺陷檢測，非制冷型氧化釩探測器雖成本較低，但分辨率相對有限；鎖相熱成像技術可提升信噪比，并實現 3D 空間的深度定位；同時，偏置系統的電壓電流范圍、EMMI 與熱成像融合功能以及 AI 輔助分析能力，也都是衡量設備性能...

致晟光電熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態鎖相熱分析系統，采用鎖相熱成像（Lock-inThermography）技術，通過調制電信號提升特征分辨率與靈敏度，并結合軟件算法優化信噪比，實現顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器，測溫靈敏度達0.1mK，顯微分辨率低至2μm，具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景，包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析，是電子集成電路與半...