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珠海制版光刻膠工廠

來源: 發布時間:2025-04-22

 上游原材料:

? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實現KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質含量<5ppb(國際標準<10ppb)。

? 光引發劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產酸劑,累計形成噸級訂單;威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產線。

? 溶劑:怡達股份電子級PM溶劑全球市占率超40%,與南大光電合作開發配套溶劑,技術指標達SEMI G5標準。

設備與驗證:

? 上海新陽與上海微電子聯合開發光刻機適配參數,驗證周期較國際廠商縮短6個月;徐州博康實現“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產化,適配ASML Twinscan NXT系列光刻機。

? 國內企業通過18-24個月的晶圓廠驗證周期(如中芯國際、長江存儲),一旦導入不易被替代。
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? 化學反應:

? 正性膠:曝光后光敏劑(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在堿性顯影液中溶解;

? 負性膠:曝光后光敏劑引發交聯劑與樹脂形成不溶性網狀結構。

5. 顯影(Development)

? 顯影液:

? 正性膠:堿性水溶液(如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH),溶解曝光區域;

? 負性膠:有機溶劑(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光區域。

? 方法:噴淋顯影(PCB)或沉浸式顯影(半導體),時間30秒-2分鐘,需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘(Post-Bake)

? 目的:固化膠膜,提升耐蝕刻性和熱穩定性。

? 條件:

? 溫度:100-150℃(半導體用正性膠可能更高,如180℃);

? 時間:15-60分鐘(厚膠或高耐蝕需求時延長)。

7. 蝕刻/離子注入(后續工藝)

? 蝕刻:以膠膜為掩膜,通過濕法(酸堿溶液)或干法(等離子體)刻蝕基板材料(如硅、金屬、玻璃);

? 離子注入:膠膜保護未曝光區域,使雜質離子只能注入曝光區域(半導體摻雜工藝)。

8. 去膠(Strip)

? 方法:

? 濕法去膠:強氧化劑(如硫酸+雙氧水)或有機溶劑(如N-甲基吡咯烷酮NMP);

? 干法去膠:氧等離子體灰化(半導體領域,無殘留)。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。

LCD 正性光刻膠 YK - 200:具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力的特點,重量 100g。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,能確保 LCD 生產過程中圖形的精確轉移和良好的涂布效果。

半導體正性光刻膠 YK - 300:具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性,重量 100g。主要用于半導體制造工藝,滿足半導體器件對光刻膠在化學穩定性和電氣性能方面的要求。

耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蝕的特性,適用于在有腐蝕風險的光刻工藝中,比如一些特殊環境下的半導體加工或電路板制造。

光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:

 半導體制造

? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類:

? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。

? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。

? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示(LCD/OLED)

? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。

? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板(PCB)

? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。

? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。

 LED與功率器件

? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。

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 綠色制造與循環經濟
公司采用水性光刻膠技術,溶劑揮發量較傳統產品降低60%,符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時,其光刻膠廢液回收項目已投產,通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用,年減排VOCs(揮發性有機物)超100噸。

 低碳供應鏈管理
吉田半導體與上游供應商合作開發生物基樹脂,部分產品采用可再生原料(如植物基丙烯酸酯),碳排放強度較傳統工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞,相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。
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厚板光刻膠

  • 電路板制造:在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時,厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性,比如汽車電子、工業控制等領域的電路板,能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
  • 功率器件制造:像絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這類功率器件,需要承受高電壓和大電流,厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節,保障芯片內部電路的精細布局,提高器件的性能和可靠性。


負性光刻膠

  • 半導體制造:在芯片制造過程中,用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構,如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝,能實現精確的圖形轉移,確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
  • 平板顯示制造:在液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管顯示器(OLED)的制造中,用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例,負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案,控制液晶分子的排列,從而實現圖像顯示。


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