致晟光電熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態鎖相熱分析系統，采用鎖相熱成像（Lock-inThermography）技術，通過調制電信號提升特征分辨率與靈敏度，并結合軟件算法優化信噪比，實現顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器，測溫靈敏度達0.1mK，顯微分辨率低至2μm，具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景，包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析，是電子集成電路與半導體器件失效分析及缺陷定位領域的關鍵工具。檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導致的瞬態過熱。南山區熱紅外顯微鏡

通過大量海量熱圖像數據，催生出更智能的數據分析手段。借助深度學習算法，構建熱圖像識別模型，可快速準確地從復雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點，有效縮短分析時間。在數據處理軟件中集成熱傳導數值模擬功能，結合實驗測得的熱數據，反演材料內部熱導率、比熱容等參數，從熱傳導理論層面深入解析熱現象，為材料熱性能研究與器件熱設計提供量化指導。廠家熱紅外顯微鏡故障維修熱紅外顯微鏡借助圖像分析技術，直觀展示電子設備熱分布狀況 。

現市場呈現 “國產崛起與進口分野” 的競爭格局。進口品牌憑借早期技術積累，在市場仍占一定優勢，國產廠商則依托本土化優勢快速突圍，通過優化供應鏈、降低生產成本，在中低端市場形成強競爭力，尤其在工業質檢、電路板失效分析等場景中，憑借高性價比和快速響應的服務搶占份額。同時，國內企業持續加大研發投入，在探測器靈敏度、成像分辨率等指標上不斷追趕，部分中端產品可以做到超越國際水平，且在定制化解決方案上更貼合本土客戶需求，如針對大尺寸主板檢測優化的機型。隨著國產技術成熟度提升，與進口品牌的競爭邊界不斷模糊，推動整體市場向多元化、高性價比方向發展。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正常現象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。

在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。 定位芯片內部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。

   在產品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機理 —— 無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題，都能被系統拆解。在此基礎上，進一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復發生。

作為貫穿產品質量控制全流程的關鍵環節，失效分析的價值體現在對全鏈條潛在風險的追溯與排查：在設計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環節，能鎖定工藝偏差導致的批量隱患；使用過程中，可解析環境因素對性能衰減的影響；質量管理層面，則為標準優化提供數據支撐。 評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響，指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。國產熱紅外顯微鏡應用

熱紅外顯微鏡通過熱輻射相位差算法，三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。南山區熱紅外顯微鏡

從傳統熱發射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變，是其技術團隊對微觀熱分析需求的深度洞察與持續創新的結果。它既延續了通過紅外熱輻射解析熱行為的原理，又通過全尺度觀測、高靈敏度檢測、場景化分析等創新，突破了傳統技術的邊界。如今，這款設備已成為半導體失效分析、新材料熱特性研究、精密器件研發等領域的專業工具，為行業在微觀熱管控、缺陷排查、性能優化等方面提供了更高效的技術支撐，推動微觀熱分析從 “可見” 向 “可知”“可控” 邁進。南山區熱紅外顯微鏡

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