半導(dǎo)體企業(yè)購(gòu)入微光顯微鏡設(shè)備，是提升自身競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵舉措，原因在于芯片測(cè)試需要找到問(wèn)題點(diǎn) —— 失效分析。失效分析能定位芯片設(shè)計(jì)缺陷、制造瑕疵或可靠性問(wèn)題，直接決定產(chǎn)品良率與市場(chǎng)口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測(cè)能力，可捕捉芯片內(nèi)部微弱發(fā)光信號(hào)，高效識(shí)別漏電、熱失控等隱性故障，為優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升芯片性能提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支撐。在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，快速完成失效分析意味著縮短研發(fā)周期、降低返工成本，同時(shí)通過(guò)提升產(chǎn)品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導(dǎo)體企業(yè)在技術(shù)迭代與市場(chǎng)爭(zhēng)奪中保持優(yōu)勢(shì)的邏輯。微光顯微鏡可搭配偏振光附件，分析樣品的偏振特性，為判斷晶體缺陷方向提供獨(dú)特依據(jù)，豐富檢測(cè)維度。高分辨率微光顯微鏡儀器

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時(shí)，電子-空穴對(duì)復(fù)合會(huì)釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對(duì)于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測(cè)，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問(wèn)題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會(huì)導(dǎo)致局部過(guò)熱，其可通過(guò)檢測(cè)紅外輻射差異定位。對(duì)于高功耗區(qū)域因設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 什么是微光顯微鏡品牌排行微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能，可縮短設(shè)備啟動(dòng)至正常工作的時(shí)間，提高檢測(cè)效率。

失效分析是指通過(guò)系統(tǒng)的檢測(cè)、實(shí)驗(yàn)和分析手段，探究產(chǎn)品或器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、使用過(guò)程中出現(xiàn)故障、性能異常或失效的根本原因，進(jìn)而提出改進(jìn)措施以預(yù)防同類問(wèn)題再次發(fā)生的技術(shù)過(guò)程。它是連接產(chǎn)品問(wèn)題與解決方案的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，**在于精細(xì)定位失效根源，而非*關(guān)注表面現(xiàn)象。在半導(dǎo)體行業(yè)，失效分析具有不可替代的應(yīng)用價(jià)值，貫穿于芯片從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期。

在研發(fā)階段，針對(duì)原型芯片的失效問(wèn)題（如邏輯錯(cuò)誤、漏電、功耗過(guò)高等），通過(guò)微光顯微鏡、探針臺(tái)等設(shè)備進(jìn)行失效點(diǎn)定位，結(jié)合電路仿真、材料分析等手段，可追溯至設(shè)計(jì)缺陷（如布局不合理、時(shí)序錯(cuò)誤）或工藝參數(shù)偏差，為芯片設(shè)計(jì)優(yōu)化提供直接依據(jù)；在量產(chǎn)環(huán)節(jié)，當(dāng)出現(xiàn)批量性失效時(shí)，失效分析能快速判斷是光刻、蝕刻等制程工藝的穩(wěn)定性問(wèn)題，還是原材料（如晶圓、光刻膠）的質(zhì)量波動(dòng)，幫助生產(chǎn)線及時(shí)調(diào)整參數(shù)，降低報(bào)廢率；在應(yīng)用端，針對(duì)芯片在終端設(shè)備（如手機(jī)、汽車電子）中出現(xiàn)的可靠性失效（如高溫環(huán)境下性能衰減、長(zhǎng)期使用后的老化失效），通過(guò)環(huán)境模擬測(cè)試、失效機(jī)理分析，可推動(dòng)芯片在封裝設(shè)計(jì)、材料選擇上的改進(jìn)，提升產(chǎn)品在復(fù)雜工況下的穩(wěn)定性。

致晟光電作為專注于微光顯微鏡與熱紅外顯微鏡應(yīng)用的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，設(shè)備在微小目標(biāo)定位、熱分布成像等場(chǎng)景中具備高分辨率優(yōu)勢(shì)，可廣泛應(yīng)用于芯片、PCB板、顯示屏等消費(fèi)電子元器件的檢測(cè)環(huán)節(jié)，為您提供客觀的物理位置或熱分布定位數(shù)據(jù)。

為讓您更直觀了解設(shè)備的定位精度與適用性，我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)貴單位參與樣品測(cè)試合作：若您有需要進(jìn)行微光定位（如細(xì)微結(jié)構(gòu)位置標(biāo)記、表面瑕疵定位）或熱紅外定位（如元器件發(fā)熱點(diǎn)分布、溫度梯度成像）的樣品，可郵寄至我方實(shí)驗(yàn)室。我們將提供專業(yè)檢測(cè)服務(wù)，輸出包含圖像、坐標(biāo)、數(shù)值等在內(nèi)的定位數(shù)據(jù)報(bào)告（注：報(bào)告呈現(xiàn)客觀檢測(cè)結(jié)果，不做定性或定量結(jié)論判斷）。測(cè)試過(guò)程中，我們會(huì)根據(jù)您的需求調(diào)整檢測(cè)參數(shù)，確保定位數(shù)據(jù)貼合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景。若您對(duì)設(shè)備的定位效果認(rèn)可，可進(jìn)一步洽談設(shè)備采購(gòu)或長(zhǎng)期檢測(cè)服務(wù)合作。 熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子，在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測(cè)先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長(zhǎng)增長(zhǎng)。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測(cè)先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點(diǎn)和熱點(diǎn)（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)：

1.偵測(cè)到缺陷所需時(shí)間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10；

2.能夠偵測(cè)到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷；

3.能夠偵測(cè)到較輕微的MetalBridge缺陷；

4.針對(duì)芯片背面（Back-Side）的定位分析中，紅外光對(duì)硅基板具有較高的穿透率。 針對(duì)光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點(diǎn)，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。鎖相微光顯微鏡設(shè)備制造

它嘗試通過(guò)金屬層邊緣等位置的光子來(lái)定位故障點(diǎn)，解決了復(fù)雜的檢測(cè)難題。高分辨率微光顯微鏡儀器

選擇國(guó)產(chǎn) EMMI 微光顯微鏡，既是擁抱技術(shù)自主，更是搶占效率與成本的雙重優(yōu)勢(shì)！致晟光電全本土化研發(fā)實(shí)力，與南京理工大學(xué)光電技術(shù)學(xué)院深度攜手，致力于光電技術(shù)研究和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，充分發(fā)揮其科研優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建起產(chǎn)學(xué)研深度融合的技術(shù)研發(fā)體系。

憑借這一堅(jiān)實(shí)后盾，我們的 EMMI 微光顯微鏡在性能上實(shí)現(xiàn)更佳突破：-80℃制冷型探測(cè)器搭配高分辨率物鏡，輕松捕捉極微弱漏電流光子信號(hào)，漏電缺陷定位精度與國(guó)際設(shè)備同步，讓每一個(gè)細(xì)微失效點(diǎn)無(wú)所遁形。 高分辨率微光顯微鏡儀器