芯片制造工藝復雜精密，從設計到量產的每一個環節都可能潛藏缺陷，而失效分析作為測試流程的重要一環，是攔截不合格產品、追溯問題根源的 “守門人”。微光顯微鏡憑借其高靈敏度的光子探測技術，能夠捕捉到芯片內部因漏電、熱失控等故障產生的微弱發光信號，定位微米級甚至納米級的缺陷。這種檢測能力，能幫助企業快速鎖定問題所在 —— 無論是設計環節的邏輯漏洞，還是制造過程中的材料雜質、工藝偏差，都能被及時發現。這意味著企業可以針對性地優化生產工藝、改進設計方案，從而提升芯片良率。在當前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接轉化為生產成本的降低，讓企業在價格競爭中占據更有利的位置。微光顯微鏡的快速預熱功能，可縮短設備啟動至正常工作的時間，提高檢測效率。檢測用微光顯微鏡

半導體企業購入微光顯微鏡設備，是提升自身競爭力的關鍵舉措，原因在于芯片測試需要找到問題點 —— 失效分析。失效分析能定位芯片設計缺陷、制造瑕疵或可靠性問題，直接決定產品良率與市場口碑。微光顯微鏡憑借高靈敏度的光子探測能力，可捕捉芯片內部微弱發光信號，高效識別漏電、熱失控等隱性故障，為優化生產工藝、提升芯片性能提供關鍵數據支撐。在激烈的市場競爭中，快速完成失效分析意味著縮短研發周期、降低返工成本，同時通過提升產品可靠性鞏固客戶信任，這正是半導體企業在技術迭代與市場爭奪中保持優勢的邏輯。檢測用微光顯微鏡微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子，結合光學原理和算法可預估失效點深度，為失效分析和修復提供參考。

同時，微光顯微鏡（EMMI）帶來的高效失效分析能力，能大幅縮短研發周期。在新產品研發階段，快速發現并解決失效問題，可避免研發過程中的反復試錯，加快產品從實驗室走向市場的速度。當市場需求瞬息萬變時，更快的研發響應速度意味著企業能搶先推出符合市場需求的產品，搶占市場先機。例如，在當下市場 5G 芯片、AI 芯片等領域，技術迭代速度極快，誰能更早解決研發中的失效難題，誰就能在技術競爭中爭先一步，建立起差異化的競爭優勢。

隨著器件尺寸的逐漸變小，MOS器件的溝道長度也逐漸變短。短溝道效應也愈發嚴重。短溝道效應會使得MOS管的漏結存在一個強電場，該電場會對載流子進行加速，同時賦予載流子一個動能，該載流子會造成中性的Si原子被極化，產生同樣帶有能量的電子與空穴對，這種電子與空穴被稱為熱載流子，反映在能帶圖中就是電位更高的電子和電位更低的空穴。一部分熱載流子會在生成后立馬復合，產生波長更短的熒光，另一部分在電場的作用下分離。電子進入柵氧層，影響閾值電壓，空穴進入襯底，產生襯底電流。歸因于短溝道效應能在MOS管的漏端能看到亮點，同樣在反偏PN結處也能產生強場，也能觀察到亮點。其低噪聲電纜連接設計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。

光束誘導電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術常被集成于同一檢測系統，合稱為光發射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。

二者在原理與應用上形成巧妙互補，能夠協同應對集成電路中絕大多數失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術的獨特優勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發的電阻變化特性實現精細檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區域光信號捕捉受限的不足。

當二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態時，會有強烈的光子發射，形成明顯亮點。廠家微光顯微鏡批量定制

介電層漏電時，微光顯微鏡可檢測其光子定位位置，保障電子器件絕緣結構可靠，防止電路故障。檢測用微光顯微鏡

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產生熒光，然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光 檢測用微光顯微鏡