致晟光電的一體化檢測設備，不僅是技術的集成，更是對半導體失效分析邏輯的重構。它讓 “微觀觀測” 與 “微弱信號檢測” 不再是選擇題，而是能同時實現的標準配置。在國產替代加速推進的背景下，這類自主研發的失效分析檢測設備，正逐步打破國外品牌在半導體檢測領域的技術壟斷，為我國半導體產業的高質量發展提供堅實的設備支撐。未來隨著第三代半導體、Micro LED 等新興領域的崛起，對失效分析的要求將進一步提升，而致晟光電的技術探索，無疑為行業提供了可借鑒的創新路徑。系統的邏輯是通過 “周期性激勵 - 熱響應 - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內部結構差異轉化為熱圖像特征。直銷鎖相紅外熱成像系統儀器

與傳統的熱成像技術相比，鎖相熱成像系統擁有諸多不可替代的優勢。傳統熱成像技術往往只能檢測到物體表面的溫度分布，對于物體內部不同深度的缺陷難以有效區分，而鎖相熱成像系統通過對相位信息的分析，能夠區分不同深度的缺陷，實現了分層檢測的突破，完美解決了傳統技術在判斷缺陷深度上的難題。不僅如此，它的抗干擾能力也極為出色，在強光照射、強烈電磁干擾等復雜且惡劣的環境下，依然能夠保持穩定的工作狀態，為工業質檢工作提供了堅實可靠的技術保障，確保了檢測結果的準確性和一致性，這在對檢測精度要求極高的工業生產中尤為重要。國產鎖相紅外熱成像系統方案鎖相熱成像系統提升電激勵檢測的缺陷識別率。

在產品全壽命周期中，失效分析以解決失效問題、確定根本原因為目標。通過對失效模式開展綜合性試驗分析，它能定位失效部位，厘清失效機理——無論是材料劣化、結構缺陷還是工藝瑕疵引發的問題，都能被系統拆解。在此基礎上，進一步提出針對性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復發生。作為貫穿產品質量控制全流程的關鍵環節，失效分析的價值體現在對全鏈條潛在風險的追溯與排查：在設計（含選型）階段，可通過模擬失效驗證方案合理性；制造環節，能鎖定工藝偏差導致的批量隱患；使用過程中，可解析環境因素對性能衰減的影響；質量管理層面，則為標準優化提供數據支撐。

先進的封裝應用、復雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰。有缺陷或性能不佳的半導體器件通常表現出局部功率損耗的異常分布，導致局部溫度升高。RTTLIT系統利用鎖相紅外熱成像進行半導體器件故障定位，可以準確有效地定位這些目標區域。LIT是一種動態紅外熱成像形式，與穩態熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環境中進行，無需光屏蔽箱。電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應使物體產生周期性的溫度波動。

在電子領域，所有器件都會在不同程度上產生熱量。器件散發一定熱量屬于正常現象，但某些類型的缺陷會增加功耗，進而導致發熱量上升。在失效分析中，這種額外的熱量能夠為定位缺陷本身提供有用線索。熱紅外顯微鏡可以借助內置攝像系統來測量可見光或近紅外光的實用技術。該相機對波長在3至10微米范圍內的光子十分敏感，而這些波長與熱量相對應，因此相機獲取的圖像可轉化為被測器件的熱分布圖。通常，會先對斷電狀態下的樣品器件進行熱成像，以此建立基準線；隨后通電再次成像。得到的圖像直觀呈現了器件的功耗情況，可用于隔離失效問題。許多不同的缺陷在通電時會因消耗額外電流而產生過多熱量。例如短路、性能不良的晶體管、損壞的靜電放電保護二極管等，通過熱紅外顯微鏡觀察時會顯現出來，從而使我們能夠精細定位存在缺陷的損壞部位。電激勵頻率可調，適配鎖相熱成像系統多場景檢測。中波鎖相紅外熱成像系統訂制價格

電激勵強度可控，保障鎖相熱成像系統檢測安全。直銷鎖相紅外熱成像系統儀器

致晟光電推出的多功能顯微系統，創新實現熱紅外與微光顯微鏡的集成設計，搭配靈活可選的制冷/非制冷模式，可根據您的實際需求定制專屬配置方案。這套設備的優勢在于一體化集成能力：只需一套系統，即可同時搭載可見光顯微鏡、熱紅外顯微鏡及InGaAs微光顯微鏡三大功能模塊。這種設計省去了多設備切換的繁瑣，更通過硬件協同優化提升了整體性能，讓您在同一平臺上輕松完成多波段觀測任務。相比單獨購置多套設備，該集成系統能大幅降低采購與維護成本，在保證檢測精度的同時，為實驗室節省空間與預算，真正實現性能與性價比的雙重提升。直銷鎖相紅外熱成像系統儀器